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    Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten
    2.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten 未知

    公开(公告)号：DE102010032041A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102010032041

    申请日：2010-07-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEIDNER KARL ,  RAMCHEN JOHANN ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  GRUBER STEFAN ,  BOGNER GEORG

    IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit – einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; – einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; – einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement
    3.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010031732A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102010031732

    申请日：2010-07-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEIDNER KARL ,  KALTENBACHER AXEL ,  RAMCHEN JOHANN ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  GRUBER STEFAN ,  BOGNER GEORG

    IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01L33/52

    Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

    Optoelektronisches Modul
    4.
    发明专利
    Optoelektronisches Modul 未知

    公开(公告)号：DE102009042205A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：DE102009042205

    申请日：2009-09-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS

    IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Modul (100) angegeben, umfassend - einen Träger (1) mit zumindest einer Kontaktstelle (1A); - einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) eine erste Kontaktfläche (2A) und eine zweite Kontaktfläche (2B) aufweist; - eine elektrisch isolierende Schicht (4), die eine erste (4A) und eine zweite Aussparung (4B) aufweist; - zumindest eine elektrisch leitfähige Leitstruktur (8), wobei - die erste Kontaktfläche (2A) auf der von dem Träger (1) abgewandten Seite des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) angeordnet ist, - die elektrisch isolierende Schicht (4) zumindest stellenweise auf dem Träger (1) und dem Halbleiterchip (2) aufgebracht ist und die erste Aussparung (4A) im Bereich der ersten Kontaktfläche (2A) und die zweite Aussparung (4B) im Bereich der Kontaktstelle (1A) angeordnet ist, - die elektrisch leitfähige Leitstruktur (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) angeordnet ist und die erste Kontaktfläche (2A) mit der Kontaktstelle (1A) des Trägers (1) elektrisch kontaktiert und - die elektrisch isolierende Schicht (4) überwiegend mit einem keramischen Material gebildet ist.

    Optoelektronisches Bauelement
    6.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010045403A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：DE102010045403

    申请日：2010-09-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEIDNER KARL ,  KALTENBACHER AXEL ,  RAMCHEN JOHANN ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt.

    Träger und Leuchtvorrichtung
    8.
    发明专利
    Träger und Leuchtvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102013218268A1

    公开(公告)日：2015-03-26

    申请号：DE102013218268

    申请日：2013-09-12

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KALTENBACHER AXEL ,  BECKER DIRK ,  GHASEMI AFSHAR FARHANG

    IPC: H01L33/60 ,  H01L25/075

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Träger für wenigstens eine Halbleiter-Lichtquelle. Der Träger weist ein Reflexionselement zur Strahlungsreflexion auf. Das Reflexionselement weist eine erste Seite zum Tragen der wenigstens einer Halbleiter-Lichtquelle und eine der ersten Seite entgegen gesetzte zweite Seite auf. Der Träger weist des Weiteren eine an das Reflexionselement angrenzende Isolationsschicht auf. Das Reflexionselement ist umfangsseitig von der Isolationsschicht umgeben. Die Erfindung betrifft ferner eine Leuchtvorrichtung mit einem solchen Träger, und ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung.

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