公开(公告)号：FR2968129A1

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：FR1059917

申请日：2010-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： JOBLOT SYLVAIN ,  FARCY ALEXIS ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  BAR PIERRE

IPC: H01L23/50 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01L21/48

Abstract: Dispositif semi-conducteur et procédé pour sa fabrication, dans lesquels une plaquette diélectrique (17) est munie, au-dessus d'une face avant (10a), d'un moyen de connexion électrique avant (13) comprenant une portion de connexion électrique (14) parallèle à cette face avant, un trou borgne (21) traversant la plaquette et découvrant au moins partiellement une face arrière de la portion de connexion électrique (14) étant aménagé. Un condensateur traversant (30) est formé dans le trou borgne (21) et comprend une couche conductrice (24) couvrant la paroi latérale et la portion de connexion électrique (14) et formant une électrode externe (32), une couche intermédiaire diélectrique (27) couvrant la couche conductrice ci-dessus (24) et formant une membrane diélectrique (33), et un matériau conducteur de remplissage (28a, 29a), remplissant au moins partiellement la couche intermédiaire diélectrique (27) et formant une électrode interne (34). Un moyen de connexion électrique arrière (35) est relié à l'électrode interne (34).

公开(公告)号：FR2964789A1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：FR1003633

申请日：2010-09-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CASSET FABRICE ,  CADIX LIONEL ,  COUDRAIN PERCEVAL ,  FARCY ALEXIS ,  CHAPELON LAURENT LUC ,  FELK YACINE ,  ANCEY PASCAL

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/027 ,  H01L21/441

Abstract: Le circuit intégré comporte un substrat de support (1) ayant des première et seconde faces principales (2a, 2b) opposées. Une cavité traverse le substrat de support (1) et relie les première et seconde faces principales (2a, 2b). Le circuit intégré comporte un dispositif à élément mobile (5) dont l'élément mobile (6) et un couple d'électrodes (7) associées sont inclus dans une cavité. Un nœud d'ancrage de l'élément mobile (6) est localisé au niveau de la première face principale (2a). Le circuit intégré comprend une première puce (3) élémentaire disposée au niveau de la première face principale (2a) et connectée électriquement au dispositif à élément mobile (5).

公开(公告)号：FR2968130A1

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：FR1059919

申请日：2010-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： JOBLOT SYLVAIN ,  FARCY ALEXIS ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  BAR PIERRE

IPC: H01L23/50 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: Dispositif semi-conducteur et procédé pour sa fabrication, dans lesquels une plaquette (11a) présente une face avant (24) et une face arrière (31a) et un trou borgne principal (17a) est aménagé dans sa face avant ; un condensateur traversant (38) est formé dans le trou borgne principal et comprend une couche externe conductrice couvrant la paroi latérale et le fond du trou borgne principal et formant une électrode externe (40), une couche intermédiaire diélectrique couvrant la paroi latérale et le fond de la couche externe formant une membrane diélectrique (42), et un matériau conducteur de remplissage, remplissant au moins partiellement la couche intermédiaire diélectrique et formant une électrode interne (41), de telle sorte que les parties cylindriques de l'électrode externe, de la couche intermédiaire diélectrique et de l'électrode interne présentent des extrémités avant situées dans le plan (24) de la face avant de la plaquette ; un trou arrière secondaire (33) est aménagé dans la face arrière (31a) de la plaquette, découvrant au moins partiellement le fond (35) de l'électrode externe (40) ; et un moyen de connexion électrique arrière (36) en contact sur le fond (40) de l'électrode externe (40) au travers du trou arrière secondaire (33).

公开(公告)号：FR2970120A1

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：FR1061395

申请日：2010-12-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FARCY ALEXIS ,  ROUSSEAU MAXIME

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/52

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant du côté de sa face supérieure des composants électroniques actifs et au moins un via (30) traversant le substrat (34), dans lequel le via est séparé des composants électroniques actifs adjacents par une tranchée vide (36) s'étendant dans le substrat sur au moins 50% de sa hauteur à partir de ladite face supérieure.

公开(公告)号：FR3055471B1

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：FR1658070

申请日：2016-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： PETITDIDIER SEBASTIEN ,  HOTELLIER NICOLAS ,  BIANCHI RAUL ANDRES ,  FARCY ALEXIS ,  FROMENT BENOIT

IPC: H01L23/58

Abstract: L'invention concerne une puce semiconductrice comprenant au moins deux vias isolés (8) traversant la puce de la face avant à la face arrière dans laquelle, du côté de la face arrière, les vias sont connectés à une même bande conductrice (12) et, du côté de la face avant, chaque via est séparé d'un plot conducteur (3, 4) par une couche d'un diélectrique (6).

公开(公告)号：FR2886050A1

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：FR0504988

申请日：2005-05-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： TORRES JOAQUIM ,  FARCY ALEXIS

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/06

Abstract: Un condensateur incorporé dans un circuit électronique intégré comprend deux armatures (1, 2) et une série de couches intermédiaires disposées entre les armatures. Les couches intermédiaires sont alternativement isolantes (10-13) et conductrices (21-23), et chaque couche conductrice (21-23) est isolée électriquement du reste du circuit. Un tel condensateur peut présenter une tension de claquage élevée.

公开(公告)号：FR3055471A1

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：FR1658070

申请日：2016-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： PETITDIDIER SEBASTIEN ,  HOTELLIER NICOLAS ,  BIANCHI RAUL ANDRES ,  FARCY ALEXIS ,  FROMENT BENOIT

IPC: H01L23/58

Abstract: L'invention concerne une puce semiconductrice comprenant au moins deux vias isolés (8) traversant la puce de la face avant à la face arrière dans laquelle, du côté de la face arrière, les vias sont connectés à une même bande conductrice (12) et, du côté de la face avant, chaque via est séparé d'un plot conducteur (3, 4) par une couche d'un diélectrique (6).

公开(公告)号：FR2955202B1

公开(公告)日：2012-08-03

申请号：FR0958852

申请日：2009-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FARCY ALEXIS ,  ROUSSEAU MAXIME

IPC: H01L23/58

公开(公告)号：FR2955202A1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0958852

申请日：2009-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FARCY ALEXIS ,  ROUSSEAU MAXIME

IPC: H01L23/58

Abstract: Dispositif microélectronique intégré comprenant un substrat (1) présentant une première face et une deuxième face, au moins un composant (3) situé sur la première face et possédant une zone active dopée (2) dans le substrat, au moins une liaison traversante (4) électriquement conductrice reliant la deuxième face à la première face, et électriquement isolée du substrat (1) par une couche isolante. Le dispositif comprend une zone tampon (9) située entre ladite couche isolante et ladite zone active dopée (2), différente de la couche isolante et de la zone active dopée, et agencée de façon à réduire le couplage électrique entre la liaison traversante (4) électriquement conductrice et la zone active dopée (2).

公开(公告)号：FR2823903A1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：FR0105403

申请日：2001-04-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FARCY ALEXIS ,  AMAL VINCENT ,  TORRES JOAQUIM

IPC: H01F17/00 ,  H01F41/04 ,  H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H01P3/08 ,  H01Q1/36 ,  H01Q11/08 ,  H01Q13/20 ,  H01L27/00 ,  H01Q1/00

Abstract: The integrated chip inductance has a number of line conductors (L1 to L6) which are parallel and having an optimized width. Each line conductor is formed within the thickness of an isolating layer (20,23,27). The lines are interconnected by a perpendicular conductor segment.