公开(公告)号：CN107430065B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201680019642.3

申请日：2016-03-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山本大贵 ,  山本武继 ,  笠原健司

IPC: G01N21/21 ,  G01B11/06 ,  G01N21/27 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种测定方法，所述方法对依次具有基底基板、吸收层及被测层的层叠基板进行测定，被测层具有单一或多层被测单层，所述方法具有下述步骤：通过从被测层所处的这侧照射包含波长短于界限波长的光的入射光、并测定反射光，从而取得界限波长以下的波长中的相互独立的2n(n为被测层中包含的被测单层的层数，为1以上的整数)个以上的反射光关联值的步骤，以及，使用2n个以上的反射光关联值，针对被测层中包含的各被测单层，计算与被测单层有关的值的步骤；作为界限波长，使用将吸收层的消光系数k以波长λ(单位为nm)的函数k(λ)的形式表示时的一次微分dk(λ)/dλ的绝对值成为消光微分界限值以下的波长范围内的最大波长。

公开(公告)号：CN102792773A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013201.X

申请日：2011-03-04

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  清水诚也 ,  仓田知己

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L31/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/448 ,  H05B33/0896 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/49002

Abstract: 所述电气装置具有：支承基板(12)；在支承基板(12)上设定的密封区域内设置的电路(14)；在支承基板(12)上，将外部的电气信号输入输出源与电路(14)电连接的电气配线；包围密封区域且设置在支承基板(12)上的密封构件(16)；隔着密封构件(16)贴合于支承基板(12)的密封基板(17)。电路(14)具备具有有机层的电子元件(24)，在俯视下，密封构件(16)的宽度在电气配线(15)与密封构件(16)交叉的交叉区域和除了交叉区域以外的非交叉区域中不同。

公开(公告)号：CN101421858A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780013435.8

申请日：2007-02-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  上田和正 ,  小野善伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供三族氮化物半导体发光元件及其制造方法。三族氮化物半导体发光元件，依次包含(a1)、(b1)及(c1)，即：(a1)N电极；(b1)半导体多层膜；(c1)透明导电性氧化物P电极，在此，半导体多层膜依次包含N型半导体层、发光层、P型半导体层、n型杂质浓度为5×1018cm－3～5×1020cm－3的高浓度N型半导体层，N型半导体层与N电极接触，且半导体多层膜具有凸部。另外，三族氮化物半导体发光元件包含(a2)、(b2)及(c2)，即：(a2)透明导电性氧化物N电极；(b2)半导体多层膜；(c2)P电极，在此，半导体多层膜依次包含n型杂质浓度为5×1018cm－3～5×1020cm－3的高浓度N型半导体层、N型半导体层、发光层、P型半导体层，P型半导体层与P电极接触，且半导体多层膜具有凸部。

公开(公告)号：CN101120451A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680004866.3

申请日：2006-02-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  上田和正

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30621 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体元件包括下述的(i)～(ii)。(i)具有从锥、锥台中选择的凸部的半导体层、(ii)电极，以及当凸部为锥台时，凸部高度为0.05μm～5.0μm，下底面的直径为0.05μm～2.0μm，在凸部为锥的情况下，凸部高度为0.05μm～5.0μm，底面的直径为0.05μm～2.0μm，而且，半导体发光元件的制造方法包括工序(a)～(c)。a)是在基板上生长半导体层的工序；(b)是在半导体层上形成包含平均粒径为0.01μm～10μm的粒子且面密度为2×106cm－2～2×1010cm－2的区域的工序；(c)是对半导体层进行干蚀刻而形成从锥及锥台中选择的凸部的工序。

公开(公告)号：CN107078034B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201580059596.5

申请日：2015-11-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山田永 ,  山本大贵 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种半导体基板以及半导体基板的检查方法，其中，在使用外延生长法在Si基板上形成III族氮化物半导体层的情况下，满足该III族氮化物半导体层要求的耐电压等特性，并且，在确保薄膜电阻等物性值的面内均匀性的同时翘曲量小。本发明提供一种半导体基板，其中，硅基板上的氮化物晶体层具有：反应抑制层，抑制硅原子与III族原子的反应；应力产生层，产生压缩应力；以及活性层，形成电子元件，反应抑制层、应力产生层以及活性层从硅基板侧起按反应抑制层、应力产生层、活性层的顺序配置，应力产生层具有：第1晶体层，块状晶体状态下的晶格常数为a1；以及第2晶体层，位于与所述第1晶体层的活性层侧相接的位置，且块状晶体状态下的晶格常数为a2(a1＜a2)。

公开(公告)号：CN101432850B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780008086.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及III-V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III-V族。化物半导体基板的制造方法包括工序(I-1)～(I-6)：(I-1)在衬底基板上配置无机粒子；(I-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I-3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I-4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I-5)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(I-6)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III-V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II-1)～(II-7)：(II-1)在衬底基板上配置无机粒子；(II-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II-3)去除无机粒子；(II-4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II-5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II-6)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(II-7)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。

公开(公告)号：CN101842904A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113516.X

申请日：2008-10-29

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松室智纪 ,  笠原健司 ,  西冈幸也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0005

Abstract: 提供一种薄膜有源元件组，其提高有机薄膜晶体管组的制造简便性，并进一步抑制制造成本。该薄膜有源元件组具有驱动有源元件和开关有源元件，所述驱动有源元件在源极电极及漏极电极之间的通道区域形成半导体的通道层而构成，所述开关有源元件在源极电极及漏极电极之间的通道区域形成半导体的通道层而构成、且用于通断上述驱动有源元件的开关有源元件，上述驱动有源元件及上述开关有源元件，互相在通道宽度的方向上形成间隔地形成，以上述驱动有源元件的上述通道区域所属的直线和上述开关有源元件的上述通道区域所属的直线呈平行的状态地形成上述驱动有源元件及上述开关有源元件。

公开(公告)号：CN100527453C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200580024108.3

申请日：2005-07-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  佐佐木诚 ,  清水诚也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/02 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，和0≤z≤1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850℃范围内的温度下，在p-型接触层和n-型接触层之间，形成厚度为500至5000的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0≤a≤1，0≤b≤1，和0≤c≤1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。

公开(公告)号：CN101454913A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019950.7

申请日：2007-03-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小野善伸 ,  笠原健司 ,  上田和正

IPC: H01L33/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/308 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/856

Abstract: 本发明提供基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光元件。基板的微细加工方法在从具有单粒子层的基板除去单粒子层后，利用蚀刻，以载置过构成单粒子层的各个粒子的基板的位置为中心，形成具有比粒子的直径小的内径的孔。基板的制造方法依次包括如下的工序(I)～(V)，即：(I)在基板上排列粒子，形成单粒子层；(II)蚀刻得到的基板，将粒子小粒径化；(III)在得到的基板上形成由掩模材料构成的薄膜；(IV)从基板除去粒子，在各个粒子存在的位置形成具有与粒子的直径相等的内径的孔的掩模；(V)使用掩模，蚀刻基板，在掩模具有的孔的下方的基板形成与掩模的孔的内径相等的直径的孔。

公开(公告)号：CN102792773B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180013201.X

申请日：2011-03-04

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  清水诚也 ,  仓田知己

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L31/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/448 ,  H05B33/0896 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/49002

Abstract: 所述电气装置具有：支承基板(12)；在支承基板(12)上设定的密封区域内设置的电路(14)；在支承基板(12)上，将外部的电气信号输入输出源与电路(14)电连接的电气配线；包围密封区域且设置在支承基板(12)上的密封构件(16)；隔着密封构件(16)贴合于支承基板(12)的密封基板(17)。电路(14)具备具有有机层的电子元件(24)，在俯视下，密封构件(16)的宽度在电气配线(15)与密封构件(16)交叉的交叉区域和除了交叉区域以外的非交叉区域中不同。