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公开(公告)号：CN1776898A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510125011.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/2891 , G01R31/2855 , G01R31/2884 , H01L2224/06 , H01L2224/0603
Abstract: 在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端与导通部电极端，检测部电极端设置间隔并包围导通部电极端的周围且构成一部分被开放的形状。
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公开(公告)号：CN1905180B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200610108514.4
申请日：2006-07-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，通过加厚层间膜(22)，并将电极焊盘(11)的一部分或全部引出到有源区(16)且形成于该区，能使输入输出区(15)缩小，因而能缩小半导体器件的面积。
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公开(公告)号：CN100461381C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510125011.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/2891 , G01R31/2855 , G01R31/2884 , H01L2224/06 , H01L2224/0603
Abstract: 在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端子的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端子与导通部电极端子，检测部电极端子设置间隔并包围导通部电极端子的周围且构成一部分被开放的形状。
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公开(公告)号：CN1601735A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410082604.1
申请日：2004-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种防止在半导体工序中的接合或者检查时的探测时，由于施加在衬垫电极上的应力而在衬垫电极的下层的绝缘膜产生裂纹的半导体器件。半导体器件，包括：在形成在硅衬底101上的绝缘膜(113)上形成的第1衬垫(116)、在第1衬垫(116)上形成的绝缘膜(117)、在绝缘膜(117)上形成的第2衬垫(121)、以及在第1衬垫(116)和第2衬垫(121)之间的绝缘膜(117)中形成的网状连接孔(119)。网状连接孔(119)为一个连续的结构体。
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公开(公告)号：CN101399254A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810166300.1
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/50
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，不减少每单位面积可配置的电极焊盘的数目，抑制通过探针检查发生的裂缝的影响，并提高可靠性。该半导体装置中，在电极焊盘(21)内设置探针可接触的探针区域(32)和非探针区域(31)。在以2列以上的锯齿状来配置的电极焊盘(21)中，不在探针区域(32)的正下方而是在非探针区域(31)的正下方配置连接不同的电极焊盘(21)和内部电路的引出布线(52)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1905180A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108514.4
申请日：2006-07-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，通过加厚层间膜(22)，并将电极焊盘(11)的一部分或全部引出到有源区(16)且形成于该区，能使输入输出区(15)缩小，因而能缩小半导体器件的面积。
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公开(公告)号：CN1652329A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510009184.9
申请日：2005-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L22/32 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19043
Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。
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公开(公告)号：CN101399254B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810166300.1
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/50
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，不减少每单位面积可配置的电极焊盘的数目，抑制通过探针检查发生的裂缝的影响，并提高可靠性。该半导体装置中，在电极焊盘(21)内设置探针可接触的探针区域(32)和非探针区域(31)。在以2列以上的锯齿状来配置的电极焊盘(21)中，不在探针区域(32)的正下方而是在非探针区域(31)的正下方配置连接不同的电极焊盘(21)和内部电路的引出布线(52)。
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公开(公告)号：CN102176437A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110022394.7
申请日：2006-07-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，通过加厚层间膜(22)，并将电极焊盘(11)的一部分或全部引出到有源区(16)且形成于该区，能使输入输出区(15)缩小，因而能缩小半导体器件的面积。
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公开(公告)号：CN1601735B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200410082604.1
申请日：2004-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种防止在半导体工序中的接合或者检查时的探测时，由于施加在衬垫电极上的应力而在衬垫电极的下层的绝缘膜产生裂纹的半导体器件。半导体器件，包括：在形成在硅衬底101上的绝缘膜(113)上形成的第1衬垫(116)、在第1衬垫(116)上形成的绝缘膜(117)、在绝缘膜(117)上形成的第2衬垫(121)、以及在第1衬垫(116)和第2衬垫(121)之间的绝缘膜(117)中形成的网状连接孔(119)。网状连接孔(119)为一个连续的结构体。
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