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公开(公告)号:CN1242467C
公开(公告)日:2006-02-15
申请号:CN03138122.7
申请日:2003-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5227 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是在半导体集成电路部分的绝缘性树脂膜上设置了感应元件的WL-CSP型半导体装置中,介于感应元件的绝缘性树脂膜降低泄漏损失。其解决方法是采用具有覆盖半导体晶片(11)的主面的同时,在各缓冲电极(21)上设置了具有复数个接触孔(13)的第1绝缘性树脂膜(12);该绝缘性树脂膜(12)中形成在感应元件形成区域12a上的,其两端子介于接触孔(13)的各自与缓冲电极(21)连接的感应元件(17)。第1绝缘性树脂膜(12)上的感应元件形成区域(12a)的膜厚,制成大于接触孔(13)的形成部分的膜厚。
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公开(公告)号:CN1665023A
公开(公告)日:2005-09-07
申请号:CN200510052999.5
申请日:2005-03-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L23/495 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/645 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16245 , H01L2224/16257 , H01L2224/16258 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81385 , H01L2224/95001 , H01L2224/97 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01037 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19104 , Y10T156/10 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/48145 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/01033
Abstract: 提供一种引线框架,该引线框架包括:设置在平面上的多个第一外部端子部分5;由各自第一外部端子部分的背表面形成的并被设置成以便于包围在内部引线部分之内的区域的内部引线部分6;和由位于各自内部引线部分之外的凸面部分的最高表面形成的第二外部端子部分7;经由凸点3倒装键合到所述内部引线部分的半导体元件2;以及密封半导体元件和所述内部引线部分周围的密封树脂4。在密封树脂的下表面区域中,沿着该区域的外围设置第一外部端子部分,而将第二外部端子部分暴露在密封树脂的上表面上。按照栅格图形在第一外部端子部分之内的区域中设置多个用于电连接的端子8,并将其暴露在密封树脂的下表面上。可以合并多个半导体元件或线圈与电阻器,并且可以叠置另外的半导体器件。
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公开(公告)号:CN1463037A
公开(公告)日:2003-12-24
申请号:CN03138122.7
申请日:2003-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5227 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是在半导体晶片的绝缘性树脂膜上设置了感应元件的WL-CSP型半导体装置中,介于感应元件的绝缘性树脂膜降低泄漏损失。其解决方法是采用具有覆盖半导体晶片(11)的主面的同时,在各缓冲电极(21)上设置了具有复数个接触孔(13)的第1绝缘性树脂膜(12);该绝缘性树脂膜(12)中形成在感应元件形成区域12a上的,其两端子介于接触孔(13)的各自与缓冲电极(21)连接的感应元件(17)。第1绝缘性树脂膜(12)上的感应元件形成区域(12a)的膜厚,制成大于接触孔(13)的形成部分的膜厚。
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公开(公告)号:CN1242471C
公开(公告)日:2006-02-15
申请号:CN02155954.6
申请日:2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/0001 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,使与半导体元件(11)的电极(12)电连接的金属布线(14)中的外部电极部(14a)的厚度,比金属布线(14)的非电极部的厚度要大。从而在对与半导体元件的电极电连接的金属布线进行重新布线的半导体装置中,提高了金属布线、与装在其外部电极部上的球形电极之间的连接可靠性。
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公开(公告)号:CN1427472A
公开(公告)日:2003-07-02
申请号:CN02155954.6
申请日:2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/0001 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,使与半导体元件(11)的电极(12)电连接的金属布线(14)中的外部电极部(14a)的厚度,比金属布线(14)的非电极部的厚度要大。从而在对与半导体元件的电极电连接的金属布线进行重新布线的半导体装置中,提高了金属布线、与装在其外部电极部上的球形电极之间的连接可靠性。
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