-
公开(公告)号：CN108318838B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810181371.2
申请日：2018-03-06
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种磁电阻传感器，其包括：设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡，斜坡包括底面、分布于底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面；若干磁场传感单元，磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有磁场传感单元，且磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致；自检线圈，其位于若干纵长条形的斜坡的底面的下方或上方，自检线圈包括依次并行排布的若干导线，导线的延伸方向与斜坡的纵长延伸方向一致，若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。与现有技术相比，本发明中设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。
-
公开(公告)号：CN113830724B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111175740.5
申请日：2021-10-09
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构和制造方法，带腔体器件的气密封装结构包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于半导体部件和盖板之间；第一腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；第二腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；若干第一通孔，其贯穿盖板至第一腔体；若干第二通孔，其贯穿盖板至第二腔体；第一密封层，其设置于盖板远离所述半导体部件的一侧表面，以密封所述若干第一通孔；第二密封层，其设置于所述第一密封层远离所述盖板的一侧表面，以密封所述若干第二通孔。与现有技术相比，本发明可以为带腔体器件提供更高的真空度，且不同芯片气压的均匀度好，进而提高带腔体器件的性能，改善良率。
-
公开(公告)号：CN113624994A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110942892.7
申请日：2021-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01P15/18 , G01P15/125 , B81B5/00
Abstract: 本发明提供一种三轴加速度计，其包括：Z轴加速度计，其包括Z质量块、Z质量块锚点、扭转梁，Z质量块内定义有第一空间、第二空间和第三空间，Z质量块锚点位于第三空间内；扭转梁位于第三空间内且平行于Y轴放置，扭转梁连接所述Z质量块锚点和Z质量块；Z质量块位于所述扭转梁一侧的质量与Z质量块位于所述扭转梁另一侧的质量不同，以使Z质量块以所述扭转梁为轴发生类似跷跷板式运动；X轴加速度计，其位于所述第一空间内；Y轴加速度计，其位于所述第二空间内。与现有技术相比，本发明的三轴加速度计将X轴加速度计和Y轴加速度计设置在Z轴加速度计的质量块内，其整体架构合理紧凑，可节省芯片面积，降低成本。
-
公开(公告)号：CN111785825A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010675549.6
申请日：2020-07-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成热电堆红外探测器的封装结构及其封装方法，集成热电堆红外探测器的封装结构包括：第一晶圆，其包括第一衬底、热电堆薄膜、金属焊盘和第一腔体，其中，所述热电堆薄膜和金属焊盘设置于所述第一衬底的正面，所述第一腔体与所述热电堆薄膜相对且自所述第一衬底的背面延伸至所述热电堆薄膜；第二晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的正面；第三晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的背面，所述第三晶圆包括第二衬底以及设置于第二衬底上且与所薄膜相对的第二腔体。与现有技术相比，本发明极大的降低了热电堆红外传感器的制造成本，提供了生产效率，缩小了器件尺寸。
-
公开(公告)号：CN108333538A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810270669.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁电阻传感器，其包括磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，以及形成于所述磁电阻条上的并与所述磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个短路条，所述短路条与所属的磁场传感单元的磁易轴之间的夹角称为短路条的取向角度α，所述短路条的取向角度α介于28～40度之间。本发明突破了传统对磁电阻传感器的短路条的取向角度认知，给出了短路条的最优取向角度，从而使得磁电阻传感器的灵敏度最优或更优。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105259520B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510759597.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴；至少一个螺旋重置线圈，其螺旋式环绕对应的磁场传感单元，其包括有位于对应的磁场传感单元上方的第一导线部分、位于对应的磁场传感单元下方的第二导线部分以及连接第一导线部分以及第二导线部分的穿过对应的磁场传感单元所在平面的第三导线部分。在本发明中设置了螺旋式环绕对应的磁场传感单元的螺旋重置线圈，其可以面积利用率高，在相同电流的情况下，能够产生更强的重置/再重置磁场。
-
公开(公告)号：CN105552054A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610078264.8
申请日：2016-02-03
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L2224/26 , H01L2224/27 , H01L2224/31
Abstract: 本发明公开一种晶圆级封装结构及其制造方法，晶圆级封装结构包括：堆叠圆片，其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；多个沟槽，其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应，并位于第二半导体圆片的第二表面；与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔，其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面；重分布层，其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方，其包括多个连接部和/或多个焊垫部，且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比，本发明可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。
-
公开(公告)号：CN105203250A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510685795.9
申请日：2015-10-21
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种热式压力传感器，其包括：一基片，其形成有凹槽，所述凹槽的开口部设置有薄膜，所述薄膜将所述凹槽封闭为腔体，所述腔体中设置有热电偶和加热器所述热电偶分别位于所述加热器的内侧和外侧。与现有技术相比，本发明制作成本低、具有高集成度、体积小，节约空间，具有高灵敏度，测量压力的精度高。
-
公开(公告)号：CN102826499B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110161493.3
申请日：2011-06-15
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS传感器的弹性梁和包括其的MEMS传感器，其中弹性梁包括锚点、质量块施加的力、梁弯曲部分以及设置在锚点和质量块施加的力所界定的端部之间的枢轴元件，所述枢轴元件连接梁弯曲部分。本发明涉及的弹性梁，有效地减少了梁弯曲部分的长度，减少相对面的面积，同时还降低粘连和闭锁发生的可能性。此外，本发明涉及的弹性梁在保持了几乎相同的弹性常数的基础上，还无需增加指定的芯片面积或者改变指定的芯片形状。本发明涉及的包含新型弹性梁的MEMS传感器，其具有理想的机械性能和较低的成本。
-
公开(公告)号：CN102269598B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010192534.0
申请日：2010-06-04
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01D5/24
Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度的电容传感器及其制造方法。其中高灵敏度的电容传感器包括柔性梁、固定叉指以及与柔性梁连接的且与固定叉指配合的可动叉指，其中固定叉指和可动叉指分别都包括底部和与所述底部垂直连接的两个以上的凸起部。本发明涉及的高灵敏度的电容传感器及其制造方法，通过大大增加电容极板的等效变化面积，从而大大提高器件测量的灵敏度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
115
records
(took 0.037 seconds)
