公开(公告)号：CN104106123B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380004763.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16

CPC classification number: H01J37/147 ,  G01K5/00 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。

公开(公告)号：CN105103264A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201580000348.3

申请日：2015-02-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 汤濑琢巳 ,  寺泽寿浩

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/04

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/09 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/028 ,  H05H1/16 ,  H05H7/04

Abstract: 从离子源向离子加速装置16入射并且在离子加速管24内飞行的正离子被在离子加速管24的内部配置的多个加速电极2a~2h加速而向照射对象物照射。在离子加速管24内配置有多个磁铁装置5，使各磁铁装置5分别形成的磁力线的方向在相邻的磁铁装置5中以比0度大且90度以下的角度不同，使各磁力线在离子加速管24内沿一个方向旋转。使在离子加速管24内逆行的电子与磁力线交叉，使电子一边逆行一边增加离飞行轴的距离。电子与离子加速管24内的构件冲撞，在变为高能量之前停止，因此，不产生高能量X射线。

公开(公告)号：CN102484024B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080041421.9

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 渡边将也 ,  楠本淑郎

IPC: H01J37/063 ,  C23C14/30 ,  H01J29/48 ,  H01J37/065

CPC classification number: C23C14/30 ,  H01J37/063 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/06308 ,  H01J2237/3132

Abstract: 本发明的电子枪的特征在于，在比阳极电极（23）靠近发射口（13）侧具备被施加了相对于阳极电极（23）为正电压的推斥电极（24），所述推斥电极（24）将通过电子束与残留气体的碰撞而产生的沿着中心轴线（28）向阴极电极（21）方向行进的正离子向真空槽（18）侧推回。由于所述推斥电极（24）是圆筒形形状，所以不使电子束的轨道弯曲。此外，由于在所述推斥电极（24）形成有许多细孔，所以推斥电极（24）内的气体通过所述细孔而被真空排气。由此，能够提供防止正离子入射到阴极电极（21）的长寿命的电子枪。

公开(公告)号：CN102027574B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200980112463.4

申请日：2009-02-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 鲍比·卡德霍达彦 ,  乔恩·麦克切斯尼 ,  埃里克·佩普 ,  拉金德尔·德辛德萨

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/505 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/0213 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种在等离子体室中使用的柔性聚合物或弹性体涂覆的射频返回带，以保护该射频带免受等离子体产生的自由基(比如氟和氧自由基)的损害，以及一种处理半导体衬底，同时减少等离子体处理装置中的微粒污染的方法。该涂覆射频带最小化微粒的产生并比未涂覆基底构件呈现出更低的侵蚀速率。在导电的柔性基底构件上具有柔性涂层的这种涂覆元件提供了射频地返回，其被配置为允许可调节间隙的电容耦合等离子体反应室中的一个或更多电极的移动。

公开(公告)号：CN101296881B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200680040106.8

申请日：2006-10-12

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 齐藤清 ,  横山文昭 ,  铃木均 ,  安藤温子 ,  东城哲朗 ,  筱原诚治

IPC: C04B35/52 ,  C01B31/04 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C04B35/522 ,  C04B35/532 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。

公开(公告)号：CN101971286A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980102279.1

申请日：2009-01-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 留德米拉·史东 ,  朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  罗·S·希瑞史盖

IPC: H01J37/30 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本设备包括配置于真空室的界面的衬层。一构件位于真空式内以定义该界面。该衬层配置成用以保护工件免受污染，或是用以避免因原子或离子植入界面所引起的界面产生气泡。在一些实施例中，衬层可由真空室中的界面丢弃以及移除并以新的衬层取代。在一些实施例中，此衬层可为具有粗糙面的聚合物，以碳为基质或是由纳米管构成。

公开(公告)号：CN108885960A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019766.6

申请日：2017-04-04

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 尼尔·科尔文 ,  哲-简·谢 ,  保罗·西尔弗斯坦

IPC: H01J27/08 ,  H01J9/32 ,  H01J37/08

CPC classification number: G21F1/06 ,  H01J9/32 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/03 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明涉及一种电弧腔室，其包括具有凹进表面的内衬以及具有第一直径的通孔。内衬具有自所述表面朝向围绕通孔的表面向上延伸并且具有第二直径的唇缘。电极具有轴部和头部。轴部具有小于第一直径的第三直径并且穿过主体和通孔并通过环状间隙与内衬电性隔离。头部具有第四直径和第三表面，该第三表面具有自第三表面朝向第二表面向下延伸的电极唇缘。电极唇缘具有介于第二直径与第四直径之间的第五直径。内衬唇缘与电极唇缘之间的间距界定迷宫式密封件并大体上防止污染物进入环状间隙。

公开(公告)号：CN106415791B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201580005269.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 大卫·汀布莱克 ,  马克·R·亚玛多 ,  纳岚·罗夫

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/24535

Abstract: 本发明提供一种离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法，该离子植入系统结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。

公开(公告)号：CN104603078B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201380046452.7

申请日：2013-03-12

Applicant: 利拉茨有限公司

Inventor： V·利索特申克

IPC: C03C23/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/147 ,  H01J37/15 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J29/70 ,  H01J3/30 ,  H01J29/04 ,  H01J29/48 ,  H01J31/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/147 ,  H01J37/15 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06308

Abstract: 本发明涉及一种用于产生电子束(4)的装置(20)，其包括热阴极(1)、阴极电极(2)、具有开口(6)的阳极电极(3)，由所述装置产生的电子束(4)可以穿过该开口，其中，在装置(20)运行时，在阴极电极(2)和阳极电极(3)之间施加有用于加速从热阴极(1)射出的电子的电压，所述装置还包括偏转机构，该偏转机构可以偏转穿过阳极电极(3)的开口的电子束(4)，其中，偏转机构包括至少一个偏转电极(8、12)，在所述偏转电极上电子束(4)可以被反射和/或所述偏转电极具有相对于电子束(4)的传播方向倾斜的偏转面(9)并且所述至少一个偏转电极(8、12)处于与阴极电极(2)相同的电势上。

公开(公告)号：CN107768279A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710728796.6

申请日：2017-08-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王建齐 ,  尤吉塔·巴瑞克 ,  朱丽亚·巴文 ,  凯文·A·派克

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32504 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有约2gm/cm3或更大的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上，氟氧化铝层具有约2nm或更大的厚度。