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公开(公告)号：CN101447527A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180178.3
申请日：2008-11-28
Applicant: OKI半导体株式会社
Inventor： 三浦规之
IPC: H01L31/18 , H01L21/84 , H01L27/144
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L31/105
Abstract: 本发明涉及光电二极管的制造方法及使用其而形成的光电二极管，该光电二极管的制造方法，包括：在硅半导体层的各扩散层的形成区域，以预定的浓度注入预定类型的杂质后，在硅半导体层上形成由具有透光性的绝缘材料构成的绝缘材料层的步骤；通过有选择地除去绝缘材料的蚀刻，在绝缘材料层的所述低浓度扩散层的形成区域形成开口部的步骤；把具有开口部的绝缘材料层作为掩模，通过有选择地除去硅的蚀刻，蚀刻低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层，把低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层薄膜化为预定的厚度的步骤。
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公开(公告)号：CN101552244B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200910005617.1
申请日：2009-01-20
Applicant: OKI半导体株式会社
IPC: H01L23/28 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/304
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/274 , H01L2924/01078 , H01L2924/10157 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有第一区域(40)和与其相邻的第二区域(50)，还包括：半导体基板，具有主表面和侧面，所述主表面位于所述第一区域(40)，所述侧面位于所述第一区域(40)和所述第二区域(50)的边界；多个焊盘(18)和与多个焊盘(18)电连接的多个外部连接端子，其形成在半导体基板的所述主表面上；第一树脂部(34)，覆盖多个焊盘(18)，在所述半导体基板的所述主表面上形成，并且具有主表面和侧面，从所述主表面露出所述多个外部连接端子，侧面(42)位于所述边界；第二树脂部(46)，位于第二区域(50)，覆盖所述半导体基板的侧面和第一树脂部(34)的侧面(44)，其组成与第一树脂部(34)不同。
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公开(公告)号：CN101452667B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200810177318.1
申请日：2008-10-31
Applicant: OKI半导体株式会社
CPC classification number: G09G3/2011 , G09G2310/0248 , G09G2310/027
Abstract: 本发明提供一种显示驱动装置及显示驱动方法。源极驱动器(16)，包括输出多个灰度电压的梯形电路(32)，从多个灰度电压中选择与图像数据对应的灰度电压并输出的第1解码器(34)，输出多个预充电电压的外部电源(36)，从多个预充电电压中选择与图像数据对应的预充电电压并输出的第2解码器(38)，将与输入的灰度电压对应的电位输出的运算放大器(42)，设置在运算放大器(42)和第2解码器(38)之间的预充电用开关(44)，控制预充电用开关(44)的控制部(45)。在包括预充电期间的采样期间全部期间，第1解码器(34)和运算放大器(42)始终被连接，控制部(45)在预充电期间接通预充电用开关(44)，预充电期间结束后进行关断。
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公开(公告)号：CN102398566A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110275945.0
申请日：2011-09-13
Applicant: OKI半导体株式会社
IPC: B60R25/00
CPC classification number: G01S13/82 , B60R25/24 , H04B7/0825 , H04B7/086 , H04B17/27
Abstract: 本发明提供一种通过简单的处理就能准确地判定无线钥匙位于主体的内部还是外部的无线钥匙系统以及钥匙位置检测方法。设置在主体内的通信装置通过内部天线、和设置在主体外侧且指向性与内部天线不同的外部天线发送无线信号；无线钥匙在通过具有相互不同的指向性的多个天线中的任意一个接收到了从通信装置发送的无线信号时，测定无线钥匙的移动方向，并在多个天线中检测出以最高接收电平接收到无线信号的天线来作为第一天线，根据测定出的移动方向和检测出的天线的指向性，从多个天线中选择指向性与内部天线相同的天线来作为第二天线，当由第二天线接收的无线信号的接收电平比由第一天线接收的无线信号的接收电平高时，判断为无线钥匙存在于主体内。
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公开(公告)号：CN102273127A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154175.5
申请日：2009-11-13
Applicant: OKI半导体株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H04L9/08 , H04N21/41 , H04N21/422 , H04N21/4367
CPC classification number: H04N7/1675 , H04L9/085 , H04L2209/80 , H04N7/163 , H04N21/4126 , H04N21/42204 , H04N21/4367 , H04W12/04
Abstract: 本发明提供一种秘密信息传输方法，通过第1装置生成包含主密钥信息的多个分散信息并通过无线通信将这些分散信息发送到第2装置，通过第2装置接收所述多个分散信息并恢复主密钥，在该秘密信息传输方法中，在第1装置中，排列通过对多个随机数信息和主密钥依次进行EXOR运算而求出的信息来生成秘密信息，通过对所述多个分散信息和所述秘密信息依次实施EXOR运算来生成最后的分散信息，将所述多个分散信息发送到所述第2装置，在所述第2装置中，对所述多个分散信息依次进行EXOR运算来恢复所述秘密信息，并分割恢复后的秘密信息，对分割后的信息进行EXOR运算来恢复主密钥。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101552244A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910005617.1
申请日：2009-01-20
Applicant: OKI半导体株式会社
IPC: H01L23/28 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/304
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/274 , H01L2924/01078 , H01L2924/10157 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有第一区域(40)和与其相邻的第二区域(50)，还包括：半导体基板，具有主表面和侧面，所述主表面位于所述第一区域(40)，所述侧面位于所述第一区域(40)和所述第二区域(50)的边界；多个焊盘(18)和与多个焊盘(18)电连接的多个外部连接端子，其形成在半导体基板的所述主表面上；第一树脂部(34)，覆盖多个焊盘(18)，在所述半导体基板的所述主表面上形成，并且具有主表面和侧面，从所述主表面露出所述多个外部连接端子，侧面(42)位于所述边界；第二树脂部(46)，位于第二区域(50)，覆盖所述半导体基板的侧面和第一树脂部(34)的侧面(44)，其组成与第一树脂部(34)不同。
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公开(公告)号：CN101545919A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910005608.2
申请日：2009-01-20
Applicant: OKI半导体株式会社
Inventor： 野村昭彦
CPC classification number: G01P15/123 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P2015/0842
Abstract: 本发明提供一种加速度传感器的构造及其制造方法，对于具有限位部构造的加速度传感器，特别是利用微细加工工艺制造的具有限位部构造的加速度传感器，能消除锤和限位部粘附的问题。本发明提供的加速度传感器，其特征在于，包括：锤部；具有间隔地包围所述锤部的周围的框部；连接所述锤部和所述框部的梁部；以及限位部，该限位部具有限制所述锤部垂直向上的变位的变位限制部，和连接在该变位限制部上并且与该锤部、所述框部、所述梁部具有间隔的挠性部。
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公开(公告)号：CN101533815A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910005616.7
申请日：2009-01-20
Applicant: OKI半导体株式会社
Inventor： 山田茂
IPC: H01L23/485 , H01L21/50
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/94 , H01L27/14603 , H01L27/14618 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，抑制通过设置在半导体基板上贯通口所露出的电极层发生裂缝。贯通过孔(22)的开口直径比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口直径大，并且按照贯通过孔(22)的开口边缘位于比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘更靠外侧的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。或者按照贯通过孔(22)的开口边缘与钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘(与焊盘电极(14)接触的部位的开口边缘)在不重叠的位置的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。
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公开(公告)号：CN101447452A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810173274.5
申请日：2008-10-31
Applicant: OKI半导体株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/762 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/823481 , Y10S438/975
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，在半导体器件的制造中可削减制造成本，并且总是能够确保充分的对准精度。根据本发明的制造方法，在半导体基板上，形成多个元件隔离用沟槽和多个对准标记用沟槽，并在形成有该两种沟槽的半导体基板上层叠氧化膜，并且进行使用了遮盖该元件隔离用沟槽的抗蚀剂掩模的蚀刻，将层叠于有源区域的氧化膜和层叠于该对准标记用沟槽内部的氧化膜几乎全部去除。接着，通过对去除了该氧化膜的半导体基板的面进行研磨，使层叠于该元件隔离用沟槽而残留的氧化膜平坦化，按照每个上述半导体元件来隔离该有源区域，并进行抗蚀剂掩模的定位，以使用该对准标记用沟槽来形成该半导体元件。
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公开(公告)号：CN101445919B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200810173276.4
申请日：2008-10-31
Applicant: OKI半导体株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法，通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件，可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备：加热板，其使蓝宝石衬底在大气中升温；支承部，其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对，并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承；以及喷出孔，其设置于加热板，朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体；在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下，将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为：规定间隔为1mm以下，来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上；将预热的结束条件设定为：蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
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