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公开(公告)号：CN103959380B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201280057804.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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公开(公告)号：CN104995333A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008492.7
申请日：2014-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·萨克斯顿·安德伍德 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 妮琴·英吉 , 罗曼·古科 , 史蒂文·韦尔韦贝克
Abstract: 提供了用于形成图案化的磁性基板的方法和装置。将图案化的抗蚀部形成于基板的磁致激活表面上。通过可流动式CVD工艺将氧化物层形成在所述图案化的抗蚀部之上。蚀刻所述氧化物层，以使所述图案化的抗蚀部的部分暴露出来。随后，使用经蚀刻的氧化物层作为掩模来对所述图案化的抗蚀部进行蚀刻，以使所述磁致激活表面的部分暴露出来。随后，通过引导能量穿过经蚀刻的抗蚀层和经蚀刻的氧化物层，对所述磁致激活表面的暴露部分的磁特性进行改性，然后，将所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层从所述基板去除。
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公开(公告)号：CN104081544A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006710.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/056 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/077 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic；PV)装置，所述硅基光电装置包括高功函数(high work-function；HWF)缓冲层，所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)层与p-i-n结的p型硅基层之间。所述PV装置通常具有透明基板、设置在所述透明基板上的第一TCO层、设置在所述第一TCO层上的HWF缓冲层、设置在所述高功函数缓冲层上的p-i-n结、设置在n型硅基层上的第二TCO层和设置在所述第二TCO层上的金属反射层。所述p-i-n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述HWF缓冲层接触。
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公开(公告)号：CN103975388A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060754.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·希尔金 , 罗曼·古科 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 彼得·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/127
CPC classification number: C23C14/5826 , C23C14/042 , C23C14/0605 , C23C14/48 , C23C14/5873 , G11B5/62 , G11B5/85 , G11B5/851 , G11B5/858
Abstract: 本发明所述的实施例提供用于通过将离子通过压印的氧反应掩模注入到磁性基板的磁致激活表面来处理磁性基板，和通过将基板暴露于含氧等离子体来去除掩模的方法和设备，所述磁性基板具有形成在所述磁性基板上的压印的、氧反应掩模，其中离子不降低掩模的氧反应性。掩模可以是无定形碳，通过所述无定形碳，含碳离子被注入到磁致激活表面中。也可包含氢的含碳离子可通过激活烃气和氢气的混合物形成。氢气与烃气之比可被选择或调整以控制离子注入。
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公开(公告)号：CN102576548A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080047182.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 皮特·I·波尔什涅夫 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/746 , H01J37/32412
Abstract: 本发明的具体实施例提供一种在用以形成图案的等离子体离子注入工艺期间减少热能聚积的方法，所形成的图案包括基板上的磁性敏感表面上的磁畴及非磁畴。于一具体实施例中，在等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法包含下列步骤：(a)于处理腔室中，在基板上进行等离子体离子注入工艺的第一部份达第一时段，该基板上形成有磁性敏感层，其中该基板的温度被维持在低于约摄氏150度，(b)在完成等离子体离子注入工艺的第一部份之后，冷却该基板的温度，以及(c)在该基板上进行等离子体离子注入工艺的第二部份，其中该基板的温度被维持低于摄氏150度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116207033A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310144800.X
申请日：2016-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板。
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公开(公告)号：CN116206947A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211571621.6
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
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公开(公告)号：CN108140546B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201680057046.4
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的的额外液态CO2至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO2相转变为超临界CO2，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO2来干燥该基板。
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公开(公告)号：CN108474129A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079254.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了用于处理硅基板的方法和装置。在某些实现方式中，所述方法可包含下列步骤：提供具有孔的硅基板，所述孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；以及通过使电流流经硅基板的背侧，将硅基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶层上形成金属层。
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公开(公告)号：CN108140546A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057046.4
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/02101 , B08B7/0021 , B08B7/0035 , F26B5/04 , F26B21/14 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/67034
Abstract: 公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的额外液态CO2至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO2相转变为超临界CO2，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO2来干燥该基板。
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