公开(公告)号：CN102318047A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156596.1

申请日：2009-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  田中健一郎 ,  上田哲三

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体装置的制造方法中，首先在基板(101)上依次外延生长第1氮化物半导体层(103)、第2氮化物半导体层(104)和p型第3半导体层(105)。然后，选择性地除去第3半导体层(105)。接着，在第2氮化物半导体层(104)上外延生长第4氮化物半导体层(106)。然后，在第3半导体层(105)上形成栅电极。

公开(公告)号：CN100502176C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN03147458.6

申请日：2003-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15165 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，优点是在将多个半导体元件混合集成化而形成的半导体装置中，制造时既采用FSA工艺，又可以容易并且确实地安装各半导体元件。该制造方法的特征是：半导体激光装置(100)具备：具有邻接主面形成的第一凹部(10a)以及第二凹部(10b)的基板(10)；分别嵌入一部分到各凹部(10a、10b)中的第一半导体激光元件11以及第二半导体激光元件(12)。各凹部(10a、10b)的深度都要比嵌入凹部(10a、10b)的第一以及第二半导体激光元件(11、12)的高度要小。

公开(公告)号：CN100431179C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN03148730.0

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/14

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。

公开(公告)号：CN1581526A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056355.9

申请日：2004-08-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山久志 ,  上田哲三 ,  油利正昭 ,  泷泽俊幸

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/09 ,  H01S5/00 ,  H01L29/778 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L33/08

Abstract: 一种半导体装置，具有形成在蓝宝石基板(101)上的由第1半导体层构成的有源层(活性层)(105)，在有源层(活性层)(105)上，形成由氧化层构成的第1氧化区域。根据本发明的半导体装置，可以提高半导体装置的元件特性。

公开(公告)号：CN103098189A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN103053015A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180038572.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹤见直大 ,  中泽敏志 ,  梶谷亮 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：被设于基板(101)上且由III-V族氮化物半导体构成的缓冲层(102)；被设于缓冲层(102)上且由III-V族氮化物半导体构成的第1半导体层(103)；被设于第1半导体层(103)上且由III-V族氮化物半导体构成的第2半导体层(104)；被设于基板(101)的背面上且与接地连接的背面电极(111)；在第2半导体层104上被设置成相互分离开的源电极(132)及漏电极(134)；被设于第2半导体层(104)上的栅电极(136)；以及贯通第2半导体层(104)、第1半导体层(103)、及缓冲层(102)并至少抵达基板(101)且使源电极(132)与背面电极(111)电连接的插塞(109)。

公开(公告)号：CN101926013B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200980103286.3

申请日：2009-02-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泷泽俊幸 ,  上田哲三 ,  薄田学

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02433 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。

公开(公告)号：CN102326238A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200980156954.9

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中健一郎 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L23/58 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/142 ,  H01L23/562 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 晶体管具备晶体管主体(100)、和对晶体管主体施加应力的应力施加部(200)。晶体管主体(100)具有形成基板(101)、在形成基板(101)之上依次层叠的第一半导体层(105)以及与第一半导体层(105)相比带隙大的第二半导体层(107)。应力施加部(200)按照施加于第二半导体层(107)的拉伸应力随温度的上升而变大的方式对晶体管主体(100)施加应力。

公开(公告)号：CN100490191C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510076124.9

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/3043 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明的目的是提供一种衬底的分割方法，通过该方法，可在不会产生芯片缺陷的情况下，进行衬底分割，使芯片形状再现性良好且接近四边形，并且可以再现性良好地形成平坦的解理面，在衬底表面(2)上，照射使衬底的内部产生错位的强度的电子束(1)，产生以错位为起点的裂缝，从而形成解理面(5)，来分割衬底。

公开(公告)号：CN100341212C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03152677.2

申请日：2003-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/42 ,  H01L21/00 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/02252 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  G11B2007/0006 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明，着眼于FSA法，是以在混合集成半导体激光元件阵列中，可通过自我调整来控制各半导体激光晶片的发光点间隔为目的的。半导体激光装置(100)，包括具有如由硅形成的，在其主面上相互保持一定间隔形成了第1凹槽部分(10a)及第2凹槽部分(10b)的衬底(10)。第1凹槽部分(10a)上，嵌入发射红外光的功能部件化了的第1半导体激光元件(11)，第2凹槽部分(10b)上，嵌入发射红色光的功能部件化了的第2半导体激光元件(12)。