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公开(公告)号：CN1312778C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02808393.8
申请日：2002-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/783 , H01L29/78606 , H01L29/78687 , H01L29/802
Abstract: 一种半导体装置，倾斜SiGe-HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1-xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n-Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1-xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。
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公开(公告)号：CN103493224A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019898.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L24/05 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 氮化物半导体发光芯片(100)包括具有氮化物半导体层的导电性基板(104)、依次形成在氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层(105)、活性层(106)及p型氮化物半导体层(107)、以及设置成与导电性基板接触的n侧电极(109)。导电性基板具有形成在与主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上的多个凹部(104a)。n侧电极与凹部(104a)的至少一部分表面接触。当设导电性基板的厚度为T、设凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。
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公开(公告)号：CN103403842A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010663.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/18 , C30B25/04 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L21/20 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/58 , H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。
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公开(公告)号：CN103283043A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201280002602.X
申请日：2012-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 一种氮化物系半导体元件，其是具备生长面为m面的p型接触层(26)、和在p型接触层(26)的生长面上所设置的电极(30)的氮化物系半导体元件。就p型接触层(26)而言，其具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。
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公开(公告)号：CN103222078A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201280003779.1
申请日：2012-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , H01L25/0753 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 包含以非极性面为生长面的氮化物半导体有源层（106）的半导体发光芯片（100），在安装基板（101）的表面上、与被来自氮化物半导体有源层的光照射的区域的有源层平行且与来自该有源层的光的偏振方向垂直的结晶轴方向的芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，被来自有源层的光照射的区域的高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，金属配置在高偏振特性区域的至少一部分的区域，低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比金属的镜面反射的比例低，高偏振特性区域的镜面反射的比例比低偏振特性区域的镜面反射的比例高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103155182A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003354.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化镓类半导体发光元件，在进行对具有除c面外的结晶面的氮化物半导体发光元件的光提取面（50）的表面的润湿性进行控制的表面改性之后，在粒子层对表面进行覆盖。其后，通过进行蚀刻，将粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上且800nm以下的凹凸构造（60）形成在光提取面（50）。
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公开(公告)号：CN103081136A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280002640.5
申请日：2012-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/16 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的氮化物类半导体发光元件包括：半导体层叠结构，包括主面为半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层（306），具有形成有凹部和凸部中至少一个的凹凸面（310）；和双折射性基板（304），其覆盖半导体层叠结构的凹凸面（310）一侧，将从活性层（306）发射的光中的至少一部分反射的电极（308）和半导体层叠结构的凹凸面（310）配置于相反侧，该双折射性基板（304）使从活性层（306）发射的光和被电极（308）反射的光透过。
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公开(公告)号：CN102067348B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201080001925.8
申请日：2010-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具备：具有布线(265)的安装基板(260)以及倒装片式安装在安装基板(260)上的氮化物系半导体发光元件。氮化物系半导体发光元件(100)具备：将m面(12)作为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠结构(20)以及在半导体层叠结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)含有Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠结构(20)中的p型半导体区域的表面接触。电极(30)与布线(265)连接。
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公开(公告)号：CN102576786A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080036400.8
申请日：2010-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/18
Abstract: 一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在六方晶纤锌矿结构的(10-10)m面生长p-GaN层，将作为p型掺杂物的Mg浓度在1.0×1018cm-3到9.0×1018cm-3的范围内进行调整。
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公开(公告)号：CN102067348A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201080001925.8
申请日：2010-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具备：具有布线(265)的安装基板(260)以及倒装片式安装在安装基板(260)上的氮化物系半导体发光元件。氮化物系半导体发光元件(100)具备：将m面(12)作为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠结构(20)以及在半导体层叠结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)含有Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠结构(20)中的p型半导体区域的表面接触。电极(30)与布线(265)连接。
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