公开(公告)号：CN101053066B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200580037487.X

申请日：2005-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  金成国 ,  前嶋聪 ,  伊藤裕之 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。

公开(公告)号：CN101156503A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011123.9

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  伊藤裕之 ,  水野文二 ,  金成国 ,  中山一郎

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412

Abstract: 提出能够精确监控进入样品表面的离子电流的等离子体处理方法和系统。当从气体供应单元(2)引入预定字体时，通过涡轮高真空泵(3)通过出口(11)排除真空容器(1)，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)中保持预定压力级。通过从等离子体源的高频电源(5)向在介电窗(7)附近提供的线圈(8)供应高频功率，来生成感应耦合等离子体。提供用于向样品电极(6)供应高频功率的样品电极的高频电源(10)，且在样品电极的高频电源(10)和样品电极(6)之间提供样品电极的匹配电路(13)和高频传感器(14)。从而能够使用高频传感器(14)和算术单元(15)来精确地监控进入样品表面的离子电流。

公开(公告)号：CN1993806A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026453.0

申请日：2005-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  水野文二 ,  冈下胜己 ,  金成国 ,  伊藤裕之

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412

Abstract: 本发明提供了一种能够有效地实现浅杂质引入的引入方法。该杂质引入方法包括：第一步骤，通过使由在半导体层内是电学非活性的粒子组成的等离子体与包括所述半导体层的固态基体的表面反应，由此使所述半导体层表面成为非晶；以及第二步骤，将杂质引入到所述固态基体的表面。在执行所述第一步骤之后，通过执行所述第二步骤，在包括所述半导体层的固态基体表面上形成具有精细孔隙的非晶层，且在所述非晶层内引入杂质以形成杂质引入层。

公开(公告)号：CN1969365A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019295.6

申请日：2005-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤裕之 ,  作道训之 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G21K1/14 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/26513 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种电荷中和装置，其能够提供5eV水平或者更低优选地为2eV水平的低能量电子，从而消除甚至是前线装置中的离子植入的充电和电子导致的损害，并且适用于大尺寸的基片(113)。电荷中和装置包括微波发生装置(104)；等离子发生装置(101)，其利用微波发生装置产生的微波产生电子等离子；和接触装置(107)，其使等离子发生装置产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触。

公开(公告)号：CN1965392A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018635.3

申请日：2005-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二 ,  冈下胜己 ,  伊藤裕之 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪 ,  中山一郎

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/0276

Abstract: 一种方法包括通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体的步骤、从该固态基体形成起着降低光反射率的功能的抗光反射膜的步骤、以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。

公开(公告)号：CN1965391A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018450.2

申请日：2005-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  中山一郎 ,  伊藤裕之 ,  奥村智洋 ,  金成国 ,  冈下胜己 ,  金田久隆

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供了一种具有均匀特征的并且能够以高成品率制造的半导体器件。为了消除由干法蚀刻引起的衬底表面内的差异，调整由作为后处理的掺杂和退火步骤引起的差异，最后提供在衬底表面内实现极佳均匀性的步骤。

公开(公告)号：CN1842896A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024667.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  金成国 ,  田村秀贵 ,  中山一郎 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基板等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。

公开(公告)号：CN101258786B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200680032251.1

申请日：2006-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  伊藤裕之 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  中山一郎 ,  置田尚吾 ,  永井久雄

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。

公开(公告)号：CN101601138B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200880002383.9

申请日：2008-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  中本圭一 ,  伊藤裕之 ,  水野文二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a-13d)。在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。

公开(公告)号：CN1969365B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200580019295.6

申请日：2005-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤裕之 ,  作道训之 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G21K1/14 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/26513 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种电荷中和装置，其能够提供5eV水平或者更低优选地为2eV水平的低能量电子，从而消除甚至是前线装置中的离子植入的充电和电子导致的损害，并且适用于大尺寸的基片(113)。电荷中和装置包括微波发生装置(104)；等离子发生装置(101)，其利用微波发生装置产生的微波产生电子等离子；和接触装置(107)，其使等离子发生装置产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触。