公开(公告)号：CN1909215B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610110947.3

申请日：2006-08-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨谷毅 ,  太田行俊

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，密封环沿半导体元件区与划线区的边界连续形成，沿密封环配置的辅助部分断续排列，密封环由金属层构成。

公开(公告)号：CN100394561C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。

公开(公告)号：CN1905180A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610108514.4

申请日：2006-07-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井纪行 ,  滨谷毅 ,  三村忠昭

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L23/5225 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，通过加厚层间膜(22)，并将电极焊盘(11)的一部分或全部引出到有源区(16)且形成于该区，能使输入输出区(15)缩小，因而能缩小半导体器件的面积。

公开(公告)号：CN1652329A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510009184.9

申请日：2005-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三村忠昭 ,  滨谷毅 ,  水谷笃人 ,  植田贤治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。

公开(公告)号：CN1595621A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。