公开(公告)号：CN1941339B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200610159955.7

申请日：2006-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川畑贤一 ,  森田高章

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/544 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/09918 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1469 ,  H05K2203/166 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了嵌入有半导体IC的基板及其制造方法。一种适合嵌入其中电极间距非常窄的半导体IC的嵌入有半导体IC的基板。该基板包括：其中在主表面(120a)上设置有柱状凸点(121)的半导体IC(120)；用于覆盖半导体IC(120)的主表面(120a)的第一树脂层(111)；以及用于覆盖半导体IC(120)的背面(120b)的第二树脂层(112)。半导体IC(120)的柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起。用于使柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起的的方法可以包括使用湿法喷砂方法使第一树脂层(111)的厚度整体减小。由此，即使在半导体IC(120)的电极间距窄时也可以适当地暴露出柱状凸点(121)。

公开(公告)号：CN101355857B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810144212.1

申请日：2008-07-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 金丸善一 ,  大川博茂 ,  川畑贤一

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/30 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10204 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种不需要繁杂的工序的低成本且能够抑制弯曲的发生、生产率和经济性优异的电子部件内置基板的制造方法。工作片(100)在大致为矩形的基体(11)的一个面上具有绝缘层(21、31)，在绝缘层(21)的内部埋设有电子部件(41)和以与该电子部件(41)的主材料相同的材料为主材料的芯片状仿真部件(51)。式中，芯片状仿真部件(51)例如以包围多个电子部件(41)的方式框状地配置在电子部件(41)的非载置部上。

公开(公告)号：CN1873980A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610088521.2

申请日：2006-06-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川畑贤一 ,  阿部寿之

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/82 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L31/02002 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/214

Abstract: 半导体IC、具有嵌入半导体IC的模块以及它们的制造方法。一种半导体IC包括：主体，其主表面上形成有预定电路；金属层，其选择性设置在该半导体IC主体的除了周边以外的基本上整个背面上。根据本发明，设置在该半导体IC主体上的金属层可以很大程度地散热。因为该金属层是选择性地设置的，所以即使在通过研磨使半导体IC主体变薄时，也不容易在晶片状态下出现翘曲。该金属层选择性地设置在半导体IC的背面的中心处。因此，无需对半导体晶片和厚金属的叠层进行切割。结果，可以有效地防止断面上的碎裂。

公开(公告)号：CN112289536B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202010721753.7

申请日：2020-07-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 北上雅敬 ,  川畑贤一

IPC: H01F1/33 ,  H01F3/08 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供一种即使进行在高温环境下长时间放置的耐热试验的情况下，也能够确保高的绝缘性的复合磁性粉。复合磁性粉(2)具有磁性粉(4)的表面被绝缘层(6)覆盖的结构，磁性粉(4)包含铁，绝缘层(6)由氧化硅构成。在绝缘层(6)包含空隙(8)，绝缘层(6)的截面中的空隙(8)的面积比率为5％以下。由此，能够抑制磁性粉(4)中所包含的铁的扩散。因此，即使在进行高温环境下长时间放置的耐热试验的情况下，也能够充分地确保绝缘层(6)的绝缘性。

公开(公告)号：CN110034075B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201811483008.2

申请日：2018-12-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川畑贤一

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供一种使用具有导电性的模制材料的电路封装。本说明书中公开的电路封装具备具有电源图案的基板、和在上述基板的表面搭载的电子部件、和以将上述电子部件嵌入的方式覆盖上述基板的上述表面、具有导电性的模制部件。上述电源图案包括在上述基板的上述表面露出的第一电源图案，上述模制部件与上述第一电源图案相接。

公开(公告)号：CN111145993A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911050779.7

申请日：2019-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大久保等 ,  荒田正纯 ,  川畑贤一 ,  佐藤淳

IPC: H01F27/36 ,  H01F27/02 ,  H01F27/29

Abstract: 在线圈部件中，在利用绝缘层覆盖素体的表面使表面的凹凸平滑化的基础上，设置屏蔽层。屏蔽层的Cu层设置于平滑面，所以抑制厚度变化，以实质上均匀的厚度形成。在线圈部件中，难以产生屏蔽层薄的部位和不存在屏蔽层的部位，有效地抑制屏蔽层的功能降低。

公开(公告)号：CN107452690A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710209294.2

申请日：2017-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川畑贤一

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明的目的在于提供一种热膨胀系数低的复合磁性密封材料。本发明所涉及的复合磁性密封材料的特征在于：具备树脂材料、被调配到所述树脂材料并且调配比为30～85体积％的磁性填料。所述磁性填料是由在Fe中含有32～39重量％的将Ni作为主成分的金属材料的材料构成。由此，复合磁性密封材料的热膨胀系数为15ppm/℃以下。

公开(公告)号：CN107230664A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710177781.5

申请日：2017-03-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川畑贤一 ,  早川敏雄 ,  大久保俊郎

IPC: H01L23/29 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明目的在于提供一种可兼具高复合屏蔽效果和低背化的电子电路封装。本发明的电子电路封装具备：基板(20)，其具有电源图案(25G)；电子部件(31、32)，其搭载于基板(20)的表面(21)；铸模树脂(40)，其覆盖基板(20)的表面(21)以埋入电子部件(31、32)；磁性膜(50)，其接触并设置于铸模树脂(40)的至少上表面(41)；金属膜(60)，其连接于电源图案(25G)而经由磁性膜(50)覆盖铸模树脂(40)。根据本发明，磁性膜(50)和金属膜(60)依次形成于铸模树脂(40)的上表面(41)，因此可获高复合屏蔽特性。而且，磁性膜(50)直接形成于铸模树脂(40)的上表面(41)且两者之间不夹着粘结剂等，因此有利于产品的低背化。

公开(公告)号：CN101355858B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810144213.6

申请日：2008-07-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 金丸善一 ,  森田高章 ,  川畑贤一

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/0097 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/2009 ,  H05K2203/0169 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种不需要繁杂的工序能够以低成本抑制弯曲的发生、生产率和经济性优异的电子部件内置基板的制造方法。工作片(100)在大致为矩形的基体(11)的一个面上具有绝缘层(21、31)，在绝缘层(21)的内部埋设有电子部件(41)和板状框元件(51)(元件)，在基体(11)的电子部件(41)的非载置部载置有满足下式(1)所示关系的板状框元件(51)。式中，α1、α2和α3分别表示电子部件(41)，板状框元件(51)和基体11、各配线层或各绝缘层的线热膨胀系数(ppm/K)。α1＜α3并且α2＜α3……(1)。

公开(公告)号：CN101355858A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810144213.6

申请日：2008-07-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 金丸善一 ,  森田高章 ,  川畑贤一

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/30 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/0097 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/2009 ,  H05K2203/0169 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种不需要繁杂的工序能够以低成本抑制弯曲的发生、生产率和经济性优异的电子部件内置基板的制造方法。工作片(100)在大致为矩形的基体(11)的一个面上具有绝缘层(21、31)，在绝缘层(21)的内部埋设有电子部件(41)和板状框元件(51)(元件)，在基体(11)的电子部件(41)的非载置部载置有满足下式(1)所示关系的板状框元件(51)。式中，α1、α2和α3分别表示电子部件(41)，板状框元件(51)和基体(11)、各配线层或各绝缘层的线热膨胀系数(ppm/K)。α1＜α3并且α2＜α3……(1)