封装结构
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108615708A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201710977106.0

    申请日:2017-10-19

    Abstract: 提供封装结构及其制造方法。扇出型封装结构包括半导体基板。封装结构亦包括连接器,位于半导体基板的顶表面上。封装结构还包括缓冲层,环绕连接器且覆于半导体基板的侧壁。此外,封装结构包括封装层,环绕缓冲层。缓冲层位于封装层及半导体基板的侧壁之间。封装结构亦包括线路重布层,位于缓冲层及封装层之上。线路重布层电性连接至连接器。

    使用含金属层以减小封装件形成中的载体冲击

    公开(公告)号:CN107665852A

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201710519676.5

    申请日:2017-06-30

    Abstract: 一种方法包括在辐射可脱粘涂层上方形成介电层。辐射可脱粘涂层位于载体上方,并且辐射可脱粘涂层包括在其中的金属颗粒。在介电层上方形成金属柱。器件管芯附接至介电层。在包封材料中包封器件管芯和金属柱。多个再分布线形成在包封材料的第一侧上并且电连接至器件管芯和金属柱。通过对辐射可脱粘涂层上投射辐射源以分解辐射可脱粘涂层从而脱粘载体。在包封材料的第二侧上形成电连接件。电连接件电连接至金属柱。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法。

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