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公开(公告)号:CN108615708A
公开(公告)日:2018-10-02
申请号:CN201710977106.0
申请日:2017-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/28 , H01L23/498
Abstract: 提供封装结构及其制造方法。扇出型封装结构包括半导体基板。封装结构亦包括连接器,位于半导体基板的顶表面上。封装结构还包括缓冲层,环绕连接器且覆于半导体基板的侧壁。此外,封装结构包括封装层,环绕缓冲层。缓冲层位于封装层及半导体基板的侧壁之间。封装结构亦包括线路重布层,位于缓冲层及封装层之上。线路重布层电性连接至连接器。
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公开(公告)号:CN107665852A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710519676.5
申请日:2017-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种方法包括在辐射可脱粘涂层上方形成介电层。辐射可脱粘涂层位于载体上方,并且辐射可脱粘涂层包括在其中的金属颗粒。在介电层上方形成金属柱。器件管芯附接至介电层。在包封材料中包封器件管芯和金属柱。多个再分布线形成在包封材料的第一侧上并且电连接至器件管芯和金属柱。通过对辐射可脱粘涂层上投射辐射源以分解辐射可脱粘涂层从而脱粘载体。在包封材料的第二侧上形成电连接件。电连接件电连接至金属柱。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN106997854A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201611181544.8
申请日:2016-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H01L2224/92225 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/15321 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种实施例封装件包括第一封装件;接触第一封装件的顶面的热界面材料(TIM)、以及接合至第一封装件的第二封装件。第二封装件包括第一半导体管芯,并且TIM接触第一半导体管芯的底面。封装件还包括设置在第二封装件的与第一封装件相对的表面上的散热器。本发明实施例涉及封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法。
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公开(公告)号:CN103117250B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201210195021.4
申请日:2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/13025 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种方法,该方法包括:对包括多个管芯的复合晶圆进行切割,其中,在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后,将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。
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