公开(公告)号：CN1255583C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN97117796.1

申请日：1997-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658

Abstract: 为降低氮化镓晶体内的位错密度和可以进行解理，在硅衬底上形成碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体之后，只将硅衬底在诸如氢氟酸和硝酸之类混合的酸溶液中除去。接着，在留下来不除去的碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体上形成第二氮化镓晶体。

公开(公告)号：CN1149638C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98116669.5

申请日：1998-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 目的是在立方晶体III-V族化合物半导体衬底上边，形成表面平坦性和结晶性良好的立方晶体氮化物半导体晶体。其构成是：具有含铝的立方晶体半导体层，在氮化合物气氛中加热该半导体层2，使半导体层的一个表面氮化，之后，采用向上述半导体层上供给氮化合物和含III族元素的化合物的办法，在上述半导体层2上形成立方体氮化物半导体层3。

公开(公告)号：CN1467863A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03141115.0

申请日：2003-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  石田昌宏

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B33/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种半导体晶片、半导体装置及其制造方法。本发明在由蓝宝石构成的基板(1)上面根据结晶生长成膜厚度约5μm的氮化镓半导体膜(2)。接着，从基板(1)的半导体膜(2)的相反侧面照射如波长355nm的YAG激光的第三高谐波光。根据该激光照射，在半导体膜(2)的与基板(1)的界面的附近区域激光被吸收，根据所吸收激光的发热，与基板(1)相接的氮化镓被热分解，在半导体膜(2)与基板(1)的界面形成含金属镓的析出层2a。根据本发明确实而大幅度减少形成于半导体膜(晶体取向附生膜)的单晶基板的弯曲。

公开(公告)号：CN103098189B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN102484124B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN102822951A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065666.5

申请日：2010-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泷泽俊幸 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种晶体管，其具有形成于基板(300)上的基底层(301)、和形成于基底层(301)上的由氮化物半导体构成的工作层(302)。基底层(301)是层叠有多个氮化物半导体层的层叠体。基底层(301)具有含有作为过渡金属的钴、镍、钌、锇、铑及铱中的至少1种的含过渡金属层。

公开(公告)号：CN102292801A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005230.7

申请日：2010-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  引田正洋 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。

公开(公告)号：CN101926013A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103286.3

申请日：2009-02-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泷泽俊幸 ,  上田哲三 ,  薄田学

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02433 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。

公开(公告)号：CN101185158A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018786.3

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  田中毅 ,  上本康裕 ,  上田哲三 ,  柳原学 ,  引田正洋 ,  上野弘明

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786

Abstract: 在蓝宝石衬底(101)上，按顺序形成了氮化铝缓冲层(102)，不掺杂氮化钙层(103)，不掺杂氮化钙铝层(104)，p型控制层(105)，p型接线柱层(106)。还有，晶体管包括：与p型接线柱层(106)欧姆连接的栅电极(110)，设置在不掺杂氮化钙铝(AlGaN)层(104)的源电极(108)及漏电极(109)。通过向p型控制层(105)施加正电压，沟道内注入空穴，能够增加流过沟道的电流。

公开(公告)号：CN1707824A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076124.9

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/3043 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明的目的是提供一种衬底的分割方法，通过该方法，可在不会产生芯片缺陷的情况下，进行衬底分割，使芯片形状再现性良好且接近四边形，并且可以再现性良好地形成平坦的解理面，在衬底表面2上，照射使衬底的内部产生错位的强电子束(1)，产生以错位为起点的裂缝，从而形成解理面(5)，来分割衬底。