公开(公告)号：CN107004715A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066372.7

申请日：2015-07-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  小野木淳士 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成在半导体基板(2)上的被覆绝缘膜(31)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。在第一部分(10)与第二部分(20)相邻的部分形成有台阶部(90)。在台阶部(90)的侧面与第二部分(20)的上表面之间的角部(40)形成有角部件(50)。角部件(50)的上表面(51)随着从台阶部(90)的侧面(92)朝向第二部分(20)侧而向下方下降。被覆绝缘膜(31)从第一部分(10)延伸至第二部分(20)，并覆盖角部件(50)。

公开(公告)号：CN106165103A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018706.3

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。

公开(公告)号：CN105874577A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071099.2

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/046 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序。

公开(公告)号：CN103403872B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280011777.7

申请日：2012-03-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/423 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 在IGBT（10）中，以弯曲形状延伸而具有转角的沟槽（70a、70b）形成于半导体衬底的上表面中。沟槽（70a、70b）的内面覆盖有绝缘膜。栅极被置于沟槽（70a、70b）内。发射极和集电极分别形成在半导体衬底的上表面和下表面上。发射极区域、体区域、漂移区以及集电极区域形成于半导体衬底中。发射极区域是由n型半导体形成的，与绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。体区域是由p型半导体形成的，与发射极区域下方的绝缘膜相接触，与沟槽（70a、70b）的内转角部（72?1、72?2）的绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。

公开(公告)号：CN103843142B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201180073862.1

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  宫城恭辅 ,  西胁刚 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极性晶体管具备：发射区；顶部体区，其被形成在发射区的下侧；浮置区，其被形成在顶部体区的下侧；底部体区，其被形成在浮置区的下侧；沟槽；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部。在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区内和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。

公开(公告)号：CN105580139A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052481.9

申请日：2014-09-22

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括半导体基板(11)。该半导体基板的元件区域(12)包括具有第一导电类型的第一体区域(36a)，具有第二导电类型的第一漂移区(32a)，以及多个第一浮动区域(34)，各所述第一浮动区域具有所述第一导电类型。终端区域包括具有所述第二导电类型的第二漂移区(32b)，以及多个第二浮动区域(37)，各所述第二浮动区域具有所述第一导电类型。各所述第二浮动区域被所述第二漂移区所围绕。当第一漂移区的中心的深度被看作参考深度时，至少一个第二浮动区域被配置成比每个第一浮动区域更接近于所述参考深度。

公开(公告)号：CN105556668A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201380079133.6

申请日：2013-08-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。

公开(公告)号：CN119815881A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411368061.3

申请日：2024-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  木下晋 ,  新林智文

IPC: H10D30/66 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板。半导体基板具备p型的第一半导体层、配置于第一半导体层的下侧的漂移层、以及配置于漂移层的下侧的n型的第二半导体层。漂移层具有第一导电型的第一半导体区域、以及在第一半导体区域中分散配置的多个第二导电型的第二半导体区域和多个第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域具有在沿着半导体基板的上表面的第一方向上较长的形状，第三半导体区域具有在沿着半导体基板的上表面并且与第一方向正交的第二方向上较长的形状。第二半导体区域和第三半导体区域沿着第一方向隔开间隔地交替配置，并且沿着第二方向隔开间隔地交替配置。

公开(公告)号：CN116110934A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211382957.8

申请日：2022-11-07

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 岩桥洋平 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在半导体器件中，在漂移层(19)中设置在沟道栅极结构的沟道(25)下方并与沟道分离的第一深层(15)在沿深度方向的杂质浓度浓度曲线中具有高浓度区(15a)和低浓度区(15b)。高浓度区具有杂质浓度最大的高浓度峰，并且包括在断开状态下不耗尽的区域。低浓度区(15b)比高浓度区更靠近高浓度层(11)设置，具有杂质浓度变化梯度小于预定值的区域，并且在断开状态下耗尽。在第一深层中最靠近基底层的第一位置(P1)和高浓度峰的第二位置(P2)之间的第一长度(L1)小于第二位置和在低浓度区中最靠近基底层的第三位置(P3)之间的第二长度(L2)。

公开(公告)号：CN109075197B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201680082528.5

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。所述元件的半导体衬底包括：第二导电类型底部区，其与所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型第二半导体区，其从与所述体区的下表面接触的位置延伸到与所述底部区的下表面接触的位置。所述底部区包括：第一底部区，其与位于所述沟槽的纵向上的端部处的所述底表面的第一范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到第一位置；以及第二底部区，其与在邻近所述第一范围的第二范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述第一位置更低的第二位置。