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公开(公告)号：CN1245788C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN03106059.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028
Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。
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公开(公告)号：CN1170347C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN99810355.1
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30 , H01S5/323 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN1233824A
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN99105732.5
申请日：1999-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/005 , G11B7/128 , G11B7/135 , G11B7/1369 , G11B11/10515 , G11B11/10543
Abstract: 本发明为一种光盘的记录再生方法及光盘记录再生装置。在半导体激光元件12和光盘11之间设置有把来自半导体激光元件12的激光转变成平行光的准直透镜13、把通过了准直透镜13的平行光衰减的液晶遮光体14以及把来自光盘11的反射光分路的光束分离器15,还设置有把通过准直透镜13得到的平行光聚集到光盘11的数据保持面上的聚光透镜16。这样,即便使用短波长(短于400nm)的半导体激光元件进行光盘的记录及再生时,也可防止散焦现象。
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公开(公告)号：CN101431216B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810184662.3
申请日：2004-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/06 , H01S5/0625 , H01S5/10 , H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0625 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0624 , H01S5/1064 , H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。
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公开(公告)号：CN1937338B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610100361.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/40 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101394065A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213598.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。
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公开(公告)号：CN100454699C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580005185.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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公开(公告)号：CN101123343A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1－X1、X2∶1－X2、X3∶1－X3、X4∶1－X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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公开(公告)号：CN1937338A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610100361.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/40 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。
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公开(公告)号：CN1930327A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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