公开(公告)号：CN1750273A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510080752.4

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  上野弘明 ,  广濑裕 ,  柳原学 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III－V族氮化物半导体构成的半导体器件。

公开(公告)号：CN1638149A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103700.X

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  田中毅 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/41 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/8128

Abstract: 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。

公开(公告)号：CN103367062B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310110524.1

申请日：2013-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻次崇 ,  筱原启记 ,  山添宏一 ,  田中毅 ,  中道义也

IPC: H01H71/12

Abstract: 本发明提供一种电路断路器的外部解扣装置，在电路断路器安装于安装导轨的状态下能够进行向电路断路器的安装，包括：箱体，安装为与电路断路器的器体连结；连动棒，以该连动棒的一部分从在箱体上与电路断路器对置的侧面突出的方式配置于箱体内，通过该突出部位使电路断路器的触点进行断开动作；以及解扣机构，配置于箱体的内部，以电源电压异常时使电路断路器的触点进行断开动作的方式驱动所述连动棒。在箱体的背面，设置有用于供在长度方向上排列安装电路断路器的安装导轨通过的槽。在箱体的与电路断路器对置的侧面设置有挠性的突起，在突起的顶端设置有爪，所述爪构成为沿箱体的背面的法线方向突出并挂在电路断路器的器体上。

公开(公告)号：CN104241047A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410252141.2

申请日：2014-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筱原启记 ,  稻次崇 ,  田中毅

IPC: H01H71/24 ,  H01H83/12

Abstract: 一种电磁脱扣装置(90)包括螺旋弹簧(98)。第一磁芯(93)插入通过螺旋弹簧(98)。第二磁芯(97)由螺旋弹簧推动远离第一磁芯。所述第一和第二磁芯由螺旋弹簧产生的推动力和由第一磁芯产生的电磁力移动成彼此接触和彼此远离移动。枢转磁芯保持器(96)由驱动器连杆(50)的推力推动，并且当第一磁芯产生电磁力时，枢转磁芯保持器(96)在第一磁芯和第二磁芯彼此接近的方向枢转。当磁芯保持器(96)接触或者接近驱动器连杆(50)并且第一磁芯(93)接触第二磁芯(97)时，限制部分(99)抵抗驱动器连杆(50)的推力限制驱动器连杆(50)的运动。

公开(公告)号：CN103650181A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280031639.5

申请日：2012-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泷川信一 ,  田中毅 ,  片山琢磨 ,  中西秀行 ,  吉田真治 ,  山中一彦

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/005 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明抑制量子点荧光体的光氧化，发光装置具备：半导体发光元件(101)；以及荧光部件(130)，接受半导体发光元件(101)的光来发出荧光，荧光部件(130)包括包含因粒径而具有不同的激励荧光谱的树脂(111)以及不使氧透过的树脂(110)，树脂(111)的外周面均由树脂(110)覆盖。

公开(公告)号：CN100440542C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III-V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1-xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1-yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。

公开(公告)号：CN101009324A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610165929.5

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN1585129A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410064104.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1－xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1－y－zN（其中，0≤y≤1、0

公开(公告)号：CN1253363A

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN99122373.X

申请日：1999-11-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩崎行绪 ,  古川秀利 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01C17/242

CPC classification number: H01C17/23 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种调整用电阻和半导体装置具有相互并联连接的多个电阻。通过光的照射可分别切断多个电阻,通过切断多个电阻中的一部分电阻,可调整该调整用电阻的电阻值。

公开(公告)号：CN104764975A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510184300.4

申请日：2012-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山添宏一 ,  田中毅 ,  神田雅隆 ,  盐川明实

IPC: G01R31/02 ,  H02H3/32

CPC classification number: G01R31/025

Abstract: 提供一种能够尽快识别出普通漏电和雷涌的漏电检测装置。本漏电检测装置具备：零相变流器(ZCT)(10)，交流电路贯通该零相变流器；积分运算部(20)，其对零相变流器(10)的输出电压进行积分；积分值比较部(30)，其在积分运算部(20)的运算结果大于规定范围的情况下，输出第一信号；波形判别部(40)，其检测零相变流器的输出电压波形的拐点并计数，在拐点的数量达到规定数的情况下输出第二信号；以及漏电检测部(50)，其在由积分值比较部(30)输出上述第一信号且由波形判别部(40)输出上述第二信号的情况下，输出表示交流电路中产生了漏电的漏电检测信号。