公开(公告)号：CN101786594A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010001420.3

申请日：2010-01-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，上述电子元件封装体，包括感测芯片，上述感测芯片的上表面包括感测薄膜；具有开口结构的盖板，覆盖上述感测芯片的上述上表面，上述盖板与上述感测芯片之间于对应上述感测薄膜位置上包括连通上述开口结构的间隙；间隔层，介于上述盖板与上述感测芯片之间且围绕着上述间隙，其中上述间隔层与上述感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。

公开(公告)号：CN1230376C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN01122015.5

申请日：2001-06-22

Applicant: 兰道克斯实验有限公司

Inventor： 哈罗德·S·冈布尔 ,  S·J·内尔·米切尔 ,  安德尔泽·普鲁查斯卡 ,  斯蒂芬·皮特·非茨杰拉尔德

IPC: B81B3/00 ,  B41J2/01 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1639 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0146

Abstract: 一种在圆片中蚀刻出空腔之后，利用精密磨削技术制造膜片的方法。公开了一种基于多孔硅牺牲层的使用，防止膜片变形的技术。

公开(公告)号：CN1657401A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009071.9

申请日：2005-02-17

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 胡贝特·本泽勒 ,  格哈德·拉梅尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明描述了一种微机械的半导体元件、以及一种制造微机械的半导体元件的方法，其中，半导体元件尤其设计用作压力传感器。这里，为了制造，在一个半导体衬底上制作出一个局部有限的、埋入的、至少部分氧化的多孔的层。有利的是，接下来通过一个沟槽蚀刻工艺，从背侧直接在该多孔的第一层下面，在半导体衬底中制造出一个空洞。本发明的核心是：该多孔的第一层用作开沟槽的终止层。这样能够制造出具有很小的厚度公差的用于差动压力测量的薄膜片。