公开(公告)号：CN103026450A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036894.4

申请日：2011-07-27

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 佐藤秀

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明以允许的剂量均匀度、一工作件穿过一离子射束的通过次数、移动速度、以及射束尺寸为基础来决定一干扰时间持续长度临界值。一射束下降检查标准程序会在注入期间重复地测量射束电流。每一次射束电流足够时一射束下降计数器便会被重置。在射束下降第一次出现时，计数器会递增而且该工作件的位置会被记录。每一次后续测量时，倘若射束下降继续则该计数器便会递增，或是倘若该射束足够的话该计数器便会被重置。因此，该计数器会以和测量时间区间相关联的单位来表示每一个下降的长度。该注入标准程序仅在该计数器超过该干扰时间持续长度临界值时才会停止，并且实施修补标准程序，其包括以该工作件少一次移动穿过该射束为基础来重新计算该干扰时间持续长度临界值，并且实施从该已储存位置处开始的注入标准程序。

公开(公告)号：CN101484967B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200780023921.8

申请日：2007-06-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿塔尔·古普塔 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  葛桔·A·洛里斯

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G01J1/04 ,  G01J1/0437 ,  G01J1/0448 ,  G01J1/4257 ,  G01J2001/4261 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703

Abstract: 一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。

公开(公告)号：CN102203856A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143329.0

申请日：2009-10-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 西桥勉 ,  渡边一弘 ,  森田正 ,  佐藤贤治 ,  田中努 ,  涡卷拓也

IPC: G11B5/84 ,  H01J37/317

CPC classification number: G11B5/85 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。

公开(公告)号：CN101584019B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200780050053.2

申请日：2007-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 ,  摩根·D·艾文斯 ,  杰·汤玛斯·舒尔 ,  亚瑟温·谢帝 ,  肯尼士·史温森

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  G01R19/00

CPC classification number: G01R33/07 ,  B82Y25/00 ,  G01R19/0061 ,  G01R33/093 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明提供一种用于对离子注入机的法拉第杯进行磁性监控的方法。本发明包括：真空室及位于真空室内的法拉第杯，此法拉第杯用以在进入真空室的离子束路径内移动；磁性监控器放置于真空室周围，用以区分与法拉第杯相关联的磁场与杂散磁场。

公开(公告)号：CN1922707B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200580006020.9

申请日：2005-02-23

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·芮 ,  M·葛瑞夫

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明的目的在于在离子注入系统中调制离子束电流，例如以减轻非均匀的离子注入。披露了用于调制离子束的强度的多种布置。例如，通过偏置离子源下游的一个或多个不同元件可以改变束内离子的体积或数量。类似地，通过控制与离子源更密切相关的元件还可以操纵离子束内离子的剂量。以这种方式可以调节注入过程，以使可以用更均匀的离子涂覆来注入晶片。

公开(公告)号：CN1988107B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200610168622.0

申请日：2006-12-19

Applicant: 日新意旺机械股份有限公司

Inventor： 池尻忠司

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703

Abstract: 离子束照射装置具有：射束剖面监视器14，其在目标8的附近测量离子束4在y方向中的射束电流密度分布；可移动屏蔽板组18a、18b，它们分别具有在y方向中安置的以便在该目标的位置的上游侧上横跨离子束路径彼此相对的多个可移动屏蔽板16，该可移动屏蔽板可在x方向中相互独立地移动；屏蔽板驱动设备22a、22b，它们以相互独立的方式在x方向中往复驱动构成该组的可移动屏蔽板16；以及屏蔽板控制设备24，其基于由该监视器14获得的测量数据控制屏蔽板驱动设备22a、22b以便相对增加对应于所测量的y方向射束电流密度相对大的位置的相对可移动屏蔽板16阻挡离子束4的量，从而提高在y方向中的射束电流密度分布的均匀性。

公开(公告)号：CN100583376C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200510002060.8

申请日：2005-01-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿德里安·默雷尔 ,  伯纳德·F·哈里森 ,  彼得·艾弗·图德·爱德华兹 ,  彼得·金德斯利 ,  克雷格·劳里 ,  彼得·迈克尔·班克斯 ,  逆濑卓郎 ,  马文·法利 ,  佐藤修 ,  杰弗里·吕丁

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3023 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/2487 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31708 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供了一种衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器。注入器相对于注入射束提供对衬底的二维扫描，使得射束在衬底上画出扫描线的栅格。在离开衬底的转折点对射束电流进行测量，并且电流值被用来控制随后的快速扫描速度，以补偿射束电流的任何变化对慢速扫描方向上的剂量均匀性的影响。该扫描可以产生不相交的、均匀间隔的平行的扫描线的栅格，并且线之间的间距被选择以确保适当的剂量均匀性。

公开(公告)号：CN100576415C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610128503.2

申请日：2006-06-09

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 卢俓奉 ,  秦丞佑 ,  李民镛 ,  郑镛洙

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/04 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31703

Abstract: 一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及安装有衬底的终端站，由束道加速的离子束注入到衬底上。

公开(公告)号：CN101510506A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910004114.2

申请日：2009-02-12

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 日野雅泰

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/20 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明提供了一种离子注入方法及设备。使用离子束的束电流、到基板的剂量、以及被设置为1的基板的扫描次数的初始值，计算基板的扫描速度。如果扫描速度处于范围之内，则将当前的扫描次数和当前的扫描速度分别设置为实际的扫描次数和实际的扫描速度。如果扫描速度高于范围的上限，则中断计算处理。如果扫描速度低于范围的下限，则以1递增扫描次数以计算校正的扫描次数。通过使用校正的扫描次数等等计算校正的扫描速度。重复以上步骤直到校正的扫描速度处于容许的扫描速度范围之内。

公开(公告)号：CN101461027A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020511.8

申请日：2007-06-01

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 黄永章 ,  约翰·叶 ,  迈克尔·葛雷夫 ,  布赖恩·弗瑞尔 ,  克里斯托夫·戈弗雷 ,  帕特里克·斯普林特

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/31703

Abstract: 一种导出终端返回电流以在离子注入期间调节和/或补偿束流变化的方法。从离子注入系统的区域获得一个或多个单独的逆向电流测量值，从所述的逆向电流测量值导出终端返回电流或复合逆向电流。然后为了促进目标晶片上的束流均匀性，所述终端返回电流用来调节离子束的扫描或剂量。