公开(公告)号：CN103367062A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310110524.1

申请日：2013-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻次崇 ,  筱原启记 ,  山添宏一 ,  田中毅 ,  中道义也

IPC: H01H71/12

Abstract: 本发明提供一种电路断路器的外部解扣装置，在电路断路器安装于安装导轨的状态下能够进行向电路断路器的安装，包括：箱体，安装为与电路断路器的器体连结；连动棒，以该连动棒的一部分从在箱体上与电路断路器对置的侧面突出的方式配置于箱体内，通过该突出部位使电路断路器的触点进行断开动作；以及解扣机构，配置于箱体的内部，以电源电压异常时使电路断路器的触点进行断开动作的方式驱动所述连动棒。在箱体的背面，设置有用于供在长度方向上排列安装电路断路器的安装导轨通过的槽。在箱体的与电路断路器对置的侧面设置有挠性的突起，在突起的顶端设置有爪，所述爪构成为沿箱体的背面的法线方向突出并挂在电路断路器的器体上。

公开(公告)号：CN103219375A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310073522.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN102484124A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN102244097A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110162070.3

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。该氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN101689821A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880012659.1

申请日：2008-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  白石松夫 ,  森本笃史 ,  石川晃一

IPC: H02P6/08

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7787 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种电动机驱动电路。该电动机驱动电路包括三相变频电路(8)。该三相变频电路(8)中包括：驱动三相电动机(3)的各相的上臂的三个上臂侧开关元件(56a-56c)和驱动各相的下臂的三个下臂侧开关元件(56d-56f)。上臂侧开关元件(56a-56c)及下臂侧开关元件(56d-56f)中至少一种开关元件是作为二极管工作的半导体元件。作为二极管工作就是：将以第一欧姆电极S的电位为基准栅电极G的阈值电压以下的电压施加在栅电极G上，使从第一欧姆电极S流向第二欧姆电极D的电流流动，将从第二欧姆电极D流向第一欧姆电极S的电流切断。

公开(公告)号：CN101022128A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610142861.9

申请日：2006-10-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种能够获得充足电流密度的常非导通型氮化物半导体装置。在衬底(601)上依次形成氮化铝缓冲层(602)、非掺杂的氮化镓层(603)、非掺杂的氮化镓铝层(604)、第一p型氮化镓铝层(605)、第二p型氮化镓铝层(607)、高浓度p型氮化镓层(608)，且栅极电极(611)和高浓度p型氮化镓层进行欧姆接触。在非掺杂的氮化镓铝层上设有源极电极(609)及漏极电极(610)。在栅极区域形成了由非掺杂的氮化镓铝层和非掺杂的氮化镓层之间的界面上产生的2维电子气和第一p型氮化镓铝层及第二p型氮化镓铝层生成的pn结。还有，第二p型氮化镓铝层将氮化硅膜(606)的一部分覆盖住。

公开(公告)号：CN101009325A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610171710.6

申请日：2006-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柳原学 ,  引田正洋 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供一种能够实现最大电流的下降以及通态电阻的上升等电特性的恶化小的常关型的晶体管。晶体管包括：第一半导体层(13)，其形成在衬底(11)上；第二半导体层(14)，其形成在第一半导体层(13)上，与第一半导体层(13)相比带隙大；控制层(15)，其形成在第二半导体层(14)上，含有p型的杂质；栅电极(20)，其设置成与控制层(15)的一部分相接；和源电极(18)及漏电极(19)，其设置在控制层(15)的两侧方。在控制层(15)和第二半导体层(14)之间形成有第三半导体层(21)，其是由蚀刻率小于控制层(15)的材料制成的。

公开(公告)号：CN1495909A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03155714.7

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柳原学 ,  鹤见直大 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7371

Abstract: 一种双极晶体管，在衬底(11)的上边，用外延生长法，依次叠层集电极接触层(12)、集电极层(13)、基极层(14)、发射极层(15)和发射极接触层(16)。在基极层(14)的外部基极区域(14b)内，在发射极层(15)的附近的区域上，设置由与发射极层(15)相同半导体材料构成的电容膜(18)。此外，在外部基极区域(14b)的上边和电容膜(18)的上边设置基极电极(19)。实现了得到热稳定性和高频特性良好而不会增大芯片面积和制造成本的目的。

公开(公告)号：CN1494141A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03160214.2

申请日：2003-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西嶋将明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/04 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L23/057 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括半导体芯片、密封所述半导体芯片的模塑树脂、以及从所述模塑树脂的内部一直延伸到外部的多条导体引线。所述导体引线的配置于所述模塑树脂内的部分形成内部端子部，配置于所述模塑树脂外的部分形成外部端子部。所述半导体芯片的电极和所述导体引线的内部端子部相连接。所述导体引线中的至少一条的所述内部端子部，形成至少一部分比所述外部端子部的宽度窄的电感元件部。树脂封装内形成的电感元件具有稳定的特性，将高频特性的稳定性提高。