-
公开(公告)号：CN106090838A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610457590.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中南大学
IPC: F21V29/503 , F21V29/51 , F21V29/74 , F21V29/67 , F21V23/00 , H05B33/08 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种高功率LED散热系统及其控制方法，以实现高功率LED器件智能散热。本发明公开的高功率LED散热系统，包括：热管散热器，所述热管散热器的翅片上固定有PWM风扇，所述热管散热器的热沉上固定有用于探测高功率LED器件基底温度的热电偶，所述热电偶与所述PWM风扇之间连接有微控制器，所述微控制器的一输出端还与所述高功率LED器件的电源开关连接；以及所述微控制器，用于根据所述热电偶所探测到的温度切换所述PWM风扇的至少两种工作模式，并在所述高功率LED器件温度失控条件下，向所述高功率LED器件的电源开关输出关闭指令。
-
公开(公告)号：CN104157595B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410326888.8
申请日：2014-07-10
Applicant: 中南大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种基于电化学生长的微电子封装引线互连方法与装置，该装置包括用于电化学反应的电解槽(6)及电解液、具有多通道输出的电沉积电源(5)、用于为芯片焊盘通电的芯片微电极阵列、用于为基板焊盘通电的基板微电极阵列、用于对准微电极与芯片/基板焊盘的机器视觉系统和整机控制系统(12)；芯片微电极阵列分别接电沉积电源的阴极；基板微电极阵列分别接电沉积电源的阳极；微电极阵列的底座位于最低位时，所有的探针与所有的焊盘接触，从而为焊盘通电，在通电的焊盘之间基于电解沉积模式生长出引线。本发明采用简单的机构和控制，能并行实现微电子芯片与基板的引线互连。
-
公开(公告)号：CN106011962A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610548373.1
申请日：2016-07-13
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种超声外场作用下的TSV电镀方法及系统，电镀方法包括以下步骤：步骤1：将带TSV微盲孔的硅片放放置在密闭容器内，容器内填充有含有添加剂的电镀液，对该容器进行抽真空预处理，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后放置10～60分钟，等添加剂在TSV微盲孔内表面达到初步吸附平衡；步骤2：将硅片与电镀电源的负极连接在一起，放入电镀槽中，作为电镀阴极；步骤3：开启电镀电源，进行阴极铜离子沉积反应；同时开启超声电源，对TSV微盲孔内施加超声激励，利用超声的空化效应，实现TSV微盲孔孔口电镀的抑制、孔底电镀的加速，形成自底向上的完全填充。本发明能有效利用超声作为外加能场增强TSV镀铜填充。
-
公开(公告)号：CN105043297A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510584682.X
申请日：2015-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种无损、快速的TSV结构侧壁形貌测量方法，包括如下步骤：利用高分辨率IR显微镜，调节聚焦深度，选取多个焦平面；选定其中一焦平面，并针对该焦平面所获得的图像，获得圆心的位置；计算边缘轮廓到圆心的距离，获得该焦平面图像的边缘到圆心的距离分布；改变焦平面位置，重复步骤三，计算出每一个焦平面图像的边缘到圆心的距离分布，获得在同一个旋转角度下，边缘在深度方向到圆心的距离分布；结合步骤五所得的计算结果，得到TSV结构侧壁的三维形貌分布；通过统计计算，获得TSV结构侧壁的形貌测量。
-
公开(公告)号：CN104157595A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410326888.8
申请日：2014-07-10
Applicant: 中南大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L21/76838 , H01L22/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种基于电化学生长的微电子封装引线互连方法与装置，该装置包括用于电化学反应的电解槽(6)及电解液、具有多通道输出的电沉积电源(5)、用于为芯片焊盘通电的芯片微电极阵列、用于为基板焊盘通电的基板微电极阵列、用于对准微电极与芯片/基板焊盘的机器视觉系统和整机控制系统(12)；芯片微电极阵列分别接电沉积电源的阴极；基板微电极阵列分别接电沉积电源的阳极；微电极阵列的底座位于最低位时，所有的探针与所有的焊盘接触，从而为焊盘通电，在通电的焊盘之间基于电解沉积模式生长出引线。本发明采用简单的机构和控制，能并行实现微电子芯片与基板的引线互连。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103500714A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310461505.3
申请日：2013-09-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2924/12042 , H01L24/43 , B21D11/20 , B23K26/0093 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种利用激光制造折点的引线成弧方法，包括以下步骤：步骤1：在芯片焊盘（6）的中心点位置O点形成第一焊点；步骤2：劈刀垂直上升至E点，同时释放引线；步骤3：在引线的O点与E点之间，至少选择一个点A；引入激光能量对所选点制造局部热塑性变形点形成折点；步骤4：O点与F点之间的距离|OF|作为为椭圆短轴，椭圆长轴为4000-8000微米，劈刀从E点沿着椭圆轨迹运动至F点，通过热及施加在劈刀上的超声的共同作用，在框架焊盘（5）的中点位置F点形成第二焊点，形成所需的大跨度低弧引线。运用本发明方法大大简化劈刀的运动轨迹，并形成大跨度低弧引线。
-
公开(公告)号：CN103233998A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310165249.3
申请日：2013-05-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明针对小于100N软着陆阻尼加载的需要，设计了一种外磁式微型磁流变阻尼器，这种磁流变阻尼器包括位于端面的金属底座以及线圈绕组，所述线圈绕组为线圈外绕式线圈绕组，而金属底座包括两个，分别卡装在线圈绕组的两端，且在两个金属底座的面上均开有注液孔用以灌装磁流变液，同时，在所述线圈绕组中还插装有一根活塞杆，此活塞杆为硅钢材料一体成型制成，且在上、下端面上分别穿过金属底座。本发明线圈外绕取代线圈内绕减小缸体尺寸，同时采用硅钢磁芯取代碳钢磁芯，响应快，可有效满足精密软着陆加载及其微小型场合应用的要求。
-
公开(公告)号：CN102768348A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210237310.6
申请日：2012-07-10
Applicant: 中南大学
IPC: G01R35/02
Abstract: 本发明公开了一种探针寿命自动测试系统，包括触力传感器、探针、探针夹具、探针电极引出线、上下运动装置、四线式测试仪和对测试数据进行自动保存和实时数据分析的数据处理系统，其特征在于：所述上下运动装置的运动端上安装有所述探针夹具，所述探针夹具下方安装有探针，所述探针夹具上方安装有将所述探针的电极引出的电路板，所述电路板通过所述探针电极引出线与四线式测试仪的输入端连接，所述触力传感器固定在所述探针的正下方，所述触力传感器通过导线与所述数据处理系统连接，所述四线式测试仪的输出端与所述数据处理系统连接。本发明结构简单，测试数据精确，能实现探针使用寿命的自动评估。
-
公开(公告)号：CN101764069B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010005521.8
申请日：2010-01-16
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/607
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种用于微电子系统级封装的堆叠芯片悬臂柔性层键合的方法，底层芯片(2)粘接在基板(1)上，上层芯片(3)通过银胶或合金工艺粘接在底层芯片(2)，叠加的上层芯片(3)形成悬臂，上层芯片(3)的I/O焊盘(4)通过微小引线(8)与基板的引脚连接，实现IC封装互连，在键合过程中通过施加高频超声能(5)和键合压力(6)将互连焊球焊接到芯片焊盘(4)上，超声能和键合压力是通过微小焊接劈刀(9)传递能量，在所述的焊盘(4)底层与所述的上层芯片(3)之间设置一层柔性聚合物(7)。本发明减小键合过程冲击，使得多形态能量在键合界面平稳响应、界面结合充分，从而有效地提高悬臂键合的键合强度和SiP封装可靠性。
-
公开(公告)号：CN101086951A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610031768.0
申请日：2006-06-05
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/607 , B23K20/10 , B29C65/08
Abstract: 一种超声键合过程的键合力监测系统，本发明用动态压电传感器作为键合力传感器，传感器外接线采用防干扰低噪音连接线，传感器与键合台之间通过螺纹紧固连接，力传感器和工作台之间不能发生相对移动，传感器信号接出后放大，再输入数据采集卡，由数据采集系统完成键合力的处理，再送到显示器，或将放大的信号直接送到示波器。本发明能实现超声键合过程中键合力的实时在线监测，获取键合力变化的详细细节，也不影响键合系统的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
69
records
(took 0.028 seconds)
