公开(公告)号：CN101090070A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710111998.2

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，以1秒钟～5秒钟使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。

公开(公告)号：CN101090068A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710111995.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是通过一边将气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，将高频功率供给上述等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将高频功率供给上述真空容器内的用于放置试样的电极，在上述放置试样的电极上放置的试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，供给上述等离子体发生装置或者上述试样电极的上述高频功率的行进波功率为Pf，反射波功率为Pr时，以1msec～100msec的间隔采集功率差Pf－Pr的值，在功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。

公开(公告)号：CN101053066A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580037487.X

申请日：2005-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  金成国 ,  前嶋聪 ,  伊藤裕之 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。

公开(公告)号：CN1993818A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026461.5

申请日：2005-08-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  伊藤裕之 ,  水野文二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/66575

Abstract: 提供了一种用于制造高精度的精细晶体管的方法，该晶体管在其中引入杂质的区域中具有源极/漏极区(310、320)。该方法包括在半导体衬底的前面上形成栅电极(340)的步骤，引入杂质从而夹置栅电极(340)的步骤，和激活杂质的步骤。引入杂质的步骤包括等离子体辐射步骤，且在激活步骤之前，形成反射防止膜(400)的步骤被包括从而在其中引入杂质的区域具有小的光反射率。

公开(公告)号：CN1741251A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510092358.2

申请日：2005-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  前嶋聪 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/223

Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。

公开(公告)号：CN1388937A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01802570.6

申请日：2001-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  福本徹 ,  山本真一 ,  尾上顺一

IPC: G06F17/60

CPC classification number: G06Q10/08 ,  G06Q10/063 ,  G06Q10/30 ,  G06Q30/06 ,  Y02W30/827 ,  Y02W90/20

Abstract: 本发明的物品重复利用方法包括以下步骤:向第一用户出售或出租物品(步骤S1);从第一用户回收所述物品(步骤S2);根据记录在设在物品内的记录部件上的表示物品使用记录的信息估算所述物品的剩余使用寿命(步骤S3);根据所估算的物品剩余使用寿命确定售价或租金(步骤S4);按照所述售价或租金将物品出售或出租给第二用户(步骤S5)。所述记录部件以对于物品的用户来说基本上不可能更改所述使用记录信息的方式来记录所述表示物品使用记录的信息。

公开(公告)号：CN1154569A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96122849.0

申请日：1996-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中冈弘明 ,  高濑道彦 ,  中山一郎

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L29/66106 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/2236

Abstract: 向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的电压，用等离子体中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的电压，把已混入等离子体中的硼导入固体样品的表面部分中去。

公开(公告)号：CN1121260A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95106027.9

申请日：1995-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  冈田健治 ,  中山一郎

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C23C16/48 ,  C23C16/482 ,  C23C16/484 ,  C23C16/485 ,  C23C16/486 ,  C23C16/487 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31608

Abstract: 通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片1照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成P型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于250℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的栅电极B和栅极绝缘膜。之后以栅电极为掩模进行刻蚀，形成由P型杂质层构成的沟道区域。通过在低于250℃的温度下边照射电离射线或光线边导入适当的气体，在栅极侧面上形成源、漏电极。

公开(公告)号：CN101151707B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200680010324.7

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中山一郎 ,  佐佐木雄一朗 ,  奥村智洋 ,  金成国 ,  伊藤裕之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。

公开(公告)号：CN101356625B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780001172.9

申请日：2007-10-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  伊藤裕之 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。