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公开(公告)号：CN107924146A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050090.2
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·G·J·马斯杰森 , A·J·登博夫 , N·潘迪 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·M·怀特 , K·S·E·埃克玛
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种光刻设备，包括：被构造为保持衬底的衬底台；以及被配置为感测设置到由衬底台保持的衬底上的对准标记的位置的传感器。传感器包括被配置为用辐射束照射对准标记的辐射源、被配置为检测已经与对准标记相互作用的辐射束作为离焦光学图案的检测器、以及数据处理系统。数据处理系统被配置为接收表示离焦光学图案的图像数据，并且处理图像数据以用于确定对准信息，包括向离焦光学图案应用无透镜成像算法。
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公开(公告)号：CN105190446B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201480025903.3
申请日：2014-04-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70141 , G01B11/272 , G03F9/7069 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 公开了一种对准传感器及相关方法，包括诸如白光源之类的照明源，具有可操作成在取决于波长的角度下的衍射高阶辐射的照明光栅；以及用于将衍射的辐射从至少两个相反方向递送至对准光栅上的照明光学器件。针对入射在对准光栅上的每个分量波长、以及针对每个方向，从两个相对方向的一个入射的辐射的第零阶衍射重叠了从另一方向入射的辐射的高阶衍射。这采用重叠的第零阶衍射光学放大了高阶衍射。
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公开(公告)号：CN105980932A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN105934716A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480074167.0
申请日：2014-11-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登博夫
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
Abstract: 公开了一种检查方法和设备以及相关光刻设备。检查方法包括使用选择波长的检查辐射照射结构，结构是包括多个层的类型(例如3D存储器结构)。检测得到的衍射信号，从所述衍射信号确定所述层的子集的物理属性。确定了所述物理属性的层的子集取决于检查辐射的选择波长。
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公开(公告)号：CN105308508A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480033591.0
申请日：2014-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/70625 , G03F7/70683
Abstract: 确定诸如临界尺寸(CD)或曝光剂量之类的与临界尺寸相关的性质的方法。使用光刻装置在光刻工艺中处理晶片，以在晶片上产生具有不同相应临界尺寸偏差的周期性目标。照射目标中的每个目标。测量由目标散射的辐射的强度。从图像中识别和提取每个光栅。确定差分信号。然后基于差分信号、CD偏差、以及差分信号在这样的周期性目标的1:1线与间隔比处近似于零的知识，确定诸如CD或曝光剂量之类的与CD相关的性质。使用所确定的与临界尺寸相关的性质，以在后续晶片的光刻处理中控制光刻装置。为了只使用两个CD偏差，校准步骤可以使用对“金晶片”(即参考晶片)的测量，以通过已知CD确定针对CD对中的每对的强度梯度。替代地，校准可以基于对强度梯度对CD的敏感性的仿真。
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公开(公告)号：CN1916603B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200510091733.1
申请日：2005-08-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登博夫 , A·J·布里克 , Y·J·L·M·范多梅伦 , M·杜萨 , A·G·M·基尔斯 , P·F·鲁尔曼恩 , H·P·M·佩勒曼斯 , M·范德沙尔 , C·D·格劳斯特拉 , M·G·M·范克拉亚
CPC classification number: G01N21/8806 , G03F7/70341 , G03F7/70633 , G03F7/7065 , G03F9/7034
Abstract: 一种通过在一高数值孔径透镜的光瞳面中测量一角分解光谱从而确定基底特性的设备与方法，所述角分解光谱是由反射离开所述基底的辐射形成的。所述特性可依角度和波长而变化，并可包括横向磁和横向电偏振光的强度及其相对相位差。
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公开(公告)号：CN1573564A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047698.9
申请日：2004-06-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , H·布特勒 , S·N·L·当德斯 , A·科勒斯辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里科克 , E·T·M·比拉尔特 , C·A·胡根达姆 , H·范桑坦 , M·A·范德科霍夫 , M·克鲁恩 , A·J·登博夫 , J·J·奥坦斯 , J·J·S·M·梅坦斯
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70883
Abstract: 本发明公开了一种光刻投影装置，在该装置中投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
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公开(公告)号：CN113168122B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980082667.1
申请日：2019-11-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
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公开(公告)号：CN113168103B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980061872.X
申请日：2019-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登博夫 , K·博哈塔查里亚 , 森崎健史 , S·G·J·马斯杰森
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于测量制造工艺的参数的方法，包括：利用辐射照射目标，检测来自目标的经散射的辐射，以及从所检测的辐射的不对称性来确定感兴趣的参数。
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公开(公告)号：CN113196172B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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