公开(公告)号：CN104918878B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201380056223.3

申请日：2013-10-25

Applicant: 艾利迪公司 ,  原子能与替代能源委员会

Inventor： 娜塔莉·德绍克斯 ,  伯努瓦·阿姆斯塔特 ,  菲力浦·吉莱

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。

公开(公告)号：CN104428910B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380034591.8

申请日：2013-06-28

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： K.阿萨迪 ,  D.M.德里尤 ,  J.F.M.斯勒斯森 ,  W.C.科尔 ,  F.维巴克 ,  P.J.巴伊斯乔 ,  C.E.蒂梅宁

IPC: H01L33/14 ,  C09K11/00 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00 ,  C09K11/54

CPC classification number: H01L33/145 ,  C09K11/643 ,  H01L33/0037 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/16 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01L33/36 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0016 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供一种包括作为有源层的基于氧化锌镁的层的发光半导体器件，其中基于氧化锌镁的层包括具有带有1‑350ppm的Al的Zn1‑xMgxO标称成分的铝掺杂氧化锌镁层，其中x在0

公开(公告)号：CN106601884A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610946967.8

申请日：2016-10-26

Applicant: 中南民族大学

Inventor： 龙浩 ,  顾锦华 ,  钟志有 ,  王皓宁 ,  杨春勇 ,  侯金 ,  李颂战 ,  杨艳芹

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。

公开(公告)号：CN104388898B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410570903.3

申请日：2014-10-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 何云斌 ,  黎明锴 ,  邰佳丽 ,  程海玲 ,  张蕾 ,  周桃生

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0296 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开一种MgZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法，通过Mg与S同时掺杂ZnO，调节MgZnOS中Mg与Zn、O与S的比例形成全新的MgZnOS四元ZnO合金半导体材料，使得该类宽禁带半导体的带隙在更宽范围内(2.94eV～3.95eV)可调，可用于紫外发光器件或光探测器件。本发明MgZnOS单晶材料为世界上首次成功合成，制备MgZnOS四元ZnO合金半导体材料对于开发波长可调的紫外光电器件具有非常重要的意义。此MgZnOS四元ZnO合金半导体材料可采用常规脉冲激光烧蚀沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单，易于控制。

公开(公告)号：CN106229393A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610821481.1

申请日：2016-09-14

Applicant: TCL集团股份有限公司

Inventor： 钱磊 ,  杨一行 ,  曹蔚然 ,  向超宇

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/0087 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开一种发光二极管及其制备方法，其包括步骤：在衬底上沉积底电极；然后在底电极上沉积空穴传输层；接着在空穴传输层上沉积量子点发光层；最后在量子点发光层上沉积电子传输层，并蒸镀顶电极于电子传输层上，形成发光二极管；其中，所述空穴传输层和/或所述电子传输层的材料是掺杂的无机纳米氧化物。本发明通过对无机纳米氧化物进行掺杂，利用表面偏析技术，降低其表面能，钝化其表面缺陷，从而改善QLED器件的稳定性和发光效率。同时，利用无机纳米氧化物同时制备电子和空穴传输层，相比之前有机空穴传输层的器件结构，具有稳定性和发光效率高的特点，也更适合于低成本大规模的印刷显示技术。

公开(公告)号：CN103918060B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280053158.4

申请日：2012-10-23

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 醍醐佳明

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  C30B23/08 ,  C30B29/38 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/10 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18

Abstract: 本发明提供一种可以借助于溅射法制备+c极性的外延膜的膜形成方法，和适于该膜形成方法的真空处理设备，进一步提供使用该外延膜的半导体发光元件的生产方法以及通过该生产方法生产的半导体发光元件和照明装置。本发明的一个实施方案为一种膜形成方法，所述方法在使用加热器加热至所需温度的外延生长用基板上通过溅射法而外延生长具有纤锌矿结构的半导体膜，其中，所述膜形成方法包括以下步骤。首先，将所述基板配置在具有所述加热器的基板保持器上，以使所述基板距所述加热器规定距离。其次在配置所述基板距所述加热器规定距离的状态下，将具有纤锌矿结构的半导体膜的外延膜形成于所述基板上。

公开(公告)号：CN103811615B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410040573.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 杨卿 ,  周小红

IPC: H01L33/28 ,  H01L33/00

Abstract: 一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：在ZnS基板表面涂覆Ga；将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，将液态Ga涂覆于ZnS基板表面，通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题，该方法操作简单、环境友好，所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。

公开(公告)号：CN103346229B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201310240978.0

申请日：2013-06-18

Applicant: 天津理工大学

Inventor： 李岚 ,  姜立芳 ,  徐建萍 ,  张晓松 ,  石庆良 ,  王有为 ,  孙健 ,  石鑫

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00

Abstract: 一种基于Cu2O/TiO2纳米晶薄膜的发光器件，由ITO玻璃层、Cu2O/TiO2核壳纳米晶薄膜层和铝阴极叠加而成，其制备方法是在洁净干燥的ITO衬底上旋涂Cu2O/TiO2核壳纳米晶甲苯溶液，然后在氩气气氛中400°C退火1h，最后依次真空热蒸镀上30nm厚的喹啉铝薄膜层和150nm厚的Al电极。本发明的优点是：本发明添加的TiO2纳米材料与Al电极形成欧姆接触，使电子的注入更容易；同时又增加了空穴注入势垒，有效防止了空穴注入过快在电极处的复合，增加了Cu2O中空穴与电子的复合几率，使发光效率和发光强度显著增强；另外，通过添加宽带隙的TiO2增加了Cu2O的稳定性。

公开(公告)号：CN105405941A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201610013171.7

申请日：2016-01-06

Applicant: TCL集团股份有限公司

Inventor： 钱磊 ,  曹蔚然 ,  杨一行

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明适用于显示技术领域，提供了一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法。所述一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层中的量子点为(Ax1/B/Ax2)n量子阱结构的量子点，其中，所述Ax1、B、Ax2分别表示三种半导体材料层，所述n为≥1的自然数。

公开(公告)号：CN105336820A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510632642.8

申请日：2015-09-29

Applicant: 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院

Inventor： 田野 ,  罗飞 ,  刘大博 ,  祁洪飞

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明属于光电器件领域，涉及一种紫外及可见并存的电致发光器件的制备方法，具体为一种Au/MgO/CdZnO/SiMIS结构的紫外及可见并存的电致发光器件的制备方法。该器件包括衬底，衬底正面自下而上依次沉积有CdZnO薄膜、MgO薄膜和Au电极，衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明器件利用对溅射的CdZnO薄膜进行热处理，得到ZnO及CdZnO共存的薄膜发光层，在一定的正向偏压下(衬底接负电压)，该薄膜能够发出位于紫外、可见区的电致发光。而且器件的结构和实现方式简单，制备工艺及所用的设备与现行成熟的硅器件工艺兼容。