公开(公告)号：CN115621291A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210807270.8

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵京淳

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：第一芯片结构；第二芯片结构，设置在第一芯片结构上，并且其中定义了各自包括光电转换元件的像素；以及透光盖，通过粘合层接合到第二芯片结构的边缘区域，并且具有凹槽部分，该凹槽部分覆盖其中容纳像素的区域，其中，第二芯片结构包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；滤色器，设置在衬底的第二表面上以对应于像素；覆盖绝缘层，覆盖滤色器，被容纳在凹槽部分中，并设置为与凹槽部分的外边界水平间隔开；以及微透镜，设置在覆盖绝缘层上以分别对应于像素。覆盖绝缘层的上表面的竖直高度高于衬底的第二表面，并且相对于衬底的第二表面具有3μm至15μm的阶梯差。

公开(公告)号：CN108735770B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201810310753.0

申请日：2018-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志澈 ,  赵汊济 ,  韩相旭 ,  赵京淳 ,  金载春 ,  朴佑炫

IPC: H01L27/148 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于衬底上并且与第一半导体装置间隔开；模制层，其位于衬底上并且覆盖第一半导体芯片的侧部和第二半导体芯片的侧部；以及图像传感器单元，其位于第一半导体芯片、第二半导体芯片和模制层上。图像传感器单元电连接至第一半导体芯片。

公开(公告)号：CN108878409A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810440685.X

申请日：2018-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵京淳 ,  李在银

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在衬底上彼此相邻；以及，多个凸块，在第一半导体芯片和第二半导体芯片的下表面上。第一半导体芯片和第二半导体芯片具有面向的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面。与在与第二侧表面相邻的第二区域中相比，在与第一侧表面相邻的第一区域中以更高的密度布置凸块。

公开(公告)号：CN106982508B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201710029625.4

申请日：2017-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奭 ,  赵京淳 ,  S.李 ,  金裕德

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/09 ,  H05K1/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开提供印刷电路板以及包括该印刷电路板的半导体封装。可以提供一种减小半导体封装的厚度并改善半导体封装的可靠性的印刷电路板(PCB)、包括该PCB的半导体封装以及制造该PCB的方法。PCB可以包括具有至少一个基底层的基板基底以及设置在至少一个基底层的顶表面和底表面上的多个配线层，可以提供分别限定多个配线图案的多个配线层。多个配线层当中的至少一个配线层的一个配线图案的导电材料的弹性模量可以小于另一个配线图案的导电材料的弹性模量。

公开(公告)号：CN106340495B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610534795.3

申请日：2016-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕德 ,  赵京淳 ,  李璱基 ,  朴多熙

IPC: H01L23/13 ,  H05K1/02

Abstract: 公开了一种基底结构，所述基底结构可以包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；虚设基底区域，位于单元基底区域之间。在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域的中心点之间的第一间距和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同。

公开(公告)号：CN101692443B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910130468.1

申请日：2009-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔敬世 ,  金秉瑞 ,  赵京淳 ,  周永宰 ,  郑礼贞 ,  李相熺 ,  孙大雨 ,  赵相贵 ,  河政圭 ,  赵暎相

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L23/28 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种薄膜覆晶型半导体封装及显示装置。薄膜覆晶型半导体封装显示了提高的散热效率，并且能够稳定地固定到电子设备上，且能够长时间使用。COF型半导体封装包括：柔性绝缘基底；半导体器件，设置在绝缘基底的顶表面上；散热部件，设置在绝缘基底的底表面上；粘结剂部件，用于附着绝缘基底的底表面和散热部件，其中，能够减轻外部施加的压力的压力吸收区域形成在绝缘基底的底表面和散热部件之间。

公开(公告)号：CN116632017A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202211589010.4

申请日：2022-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵京淳 ,  崔益准

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器封装包括：第一衬底部分，包括第一衬底和上布线结构，该上布线结构包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个上布线图案和多个上布线通路。该图像传感器封装包括：第二衬底部分，包括第二衬底和下布线结构，该第二衬底限定沟槽部分和通路孔。下布线结构包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个下布线图案和多个下布线通路。下布线结构与上布线结构接触，并且多个下布线图案包括位于不同竖直高度处的多个下图案。该图像传感器封装包括：通路电极部分，覆盖通路孔的内侧壁和底表面。

公开(公告)号：CN109979889A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811610226.8

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵京淳

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一半导体芯片，位于第一基底的第一表面上；第二半导体芯片，位于第一基底的第一表面上；加固件，位于第一半导体芯片和第二半导体芯片上；以及包封剂，位于第一基底的第一表面上。第一基底包括位于第一基底的第一表面上的多个第一垫和位于第一基底的第二表面上的多个第二垫。第一半导体芯片连接到多个第一垫中的第一组第一垫。第二半导体芯片连接到多个第一垫中的第二组第一垫。加固件覆盖第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的空间。包封剂至少覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片以及加固件中的每一个的侧壁。

公开(公告)号：CN107799505A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710622059.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵京淳 ,  吉明均 ,  柳翰成

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括第一基底和布置在第一基底上方的第一半导体芯片。第二半导体芯片布置在第一半导体芯片的顶表面上方。粘合层在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。第二基底设置在第二半导体芯片上。第二基底基本覆盖第二半导体芯片的顶表面。成型层设置在第一基底与第二基底之间。

公开(公告)号：CN106971993A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710028178.0

申请日：2017-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志澈 ,  金载春 ,  柳翰成 ,  赵京淳 ,  赵暎相 ,  尹汝勋

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。