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公开(公告)号：CN119144924A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411283868.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨钛合金靶材的制备方法及应用，属于集成电路扩散阻挡层用靶材技术领域。所制备的钨钛合金靶材气体含量低、晶粒尺寸细小均匀，富钛相均匀分布于富钨相中，具有高致密度和高固溶度。制备步骤包括：将高纯钨粉与钛粉进行高能球磨混粉；冷等静压成型；微波烧结；固溶处理。采用本方法制备获得的钨钛合金靶材可应用于大规模集成电路扩散阻挡层的溅射用。
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公开(公告)号：CN118996182A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411106859.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用高致密钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理及高真空下煅烧、预压制、放电等离子烧结和低压烧结相结合得到磁控溅射用高致密钌铬合金靶材，有效降低混合粉末中的C、O等杂质的含量，提高靶材的纯度；而且靶材的微观组织均匀、晶粒尺寸细小、致密度高，避免热等静压烧结过程中模具中C在长时间高温烧结过程中向钌铬合金的扩散，从而保障了钌铬合金的高致密度并成功解决了粉末冶金工艺制备靶材中C、O杂质较高的难题。
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公开(公告)号：CN118516627A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410555866.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: C22F1/04 , C23C14/34 , H01L21/768 , G01N29/06 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用，属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括：S1：均匀化退火；S2：多向锻造；S3：一次C‑scan检测；S4：固溶处理；S5：纵横交替冷轧；S6：二次C‑scan检测；S7：再结晶退火；S8：粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧，明确锻造及轧制的方向性，通过各方向轮换反复塑性变形，使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀，晶粒细化效果更佳；通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态；再通过C‑scan检测，对坯料进行更加全面的检测判定，从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内，提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。
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公开(公告)号：CN119020627A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411106211.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超细晶钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理、预压制、放电等离子烧结、打磨抛光得到超细晶钌铬合金靶材，实现了烧结时间短、成本低，有效细化钌铬合金晶粒，并且抑制第二相Cr2Ru和Cr3Ru的形成，使得超细晶钌铬合金靶材的物相纯净。
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公开(公告)号：CN118357461A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410465239.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: B22F3/14 , C23C14/35 , B22F9/04 , B22F1/145 , B22F1/142 , B22F3/02 , C22C5/04 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059
Abstract: 本发明公开了一种铁铂基靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯铂粉和纯铁粉进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段铁铂之间的合金化进程；2)添加第三组分粉体与铁铂粉体进行二次均匀化球磨，作为隔离剂使烧结过程中能产生完全相互隔离的铁铂晶粒；3)对混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；4)利用冷压成型与热压相结合的方式实现铁铂靶材坯料微观结构可控性制备。本发明实现了对于铁铂基靶材坯料致密度的提高、含氧量降低和微观结构的可控性制备，提高了所制备铁铂靶材的服役性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118326345A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410349567.3
申请日：2024-03-26
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种平面溅射靶材的绑定方法，该方法包括：首先对待绑定的绑定面进行表面处理，分别涂抹高分子胶粘剂，再依次将金属铜网和靶坯放置于背板上，将靶材组件压合后再进行加热以加快固化，最后对固化冷却后的靶材组件进行机加工，得到高分子胶粘绑定的平面溅射靶材组件。采用上述方法绑定的平面溅射靶材焊缝处均匀、无空洞，焊合率＞95％，导电性及散热性良好，焊接抗剪切强度≥15MPa，机加工边角料中高分子胶粘剂碎屑容易去除，旧靶材回收时对靶坯及背板不会造成破坏，特别对于贵金属溅射靶材，能够有效提高贵金属回收率、降低贵金属损耗。
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公开(公告)号：CN119216579A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411352497.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司
IPC: B22F3/105 , B22F3/14 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F3/10 , C23C14/35 , C22C1/04 , C22C5/04 , C22C27/02
Abstract: 本发明公开了一种超高致密细晶粒钌钽合金靶材及其制备方法，属于合金靶材制备技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)氢气还原；(4)放电等离子烧结；(5)低压烧结；(6)精密机加工。通过本发明制备得到的钌钽合金靶材致密度可以达到99.8％以上，靶材晶粒度可以达到5μm以下，具有较为优异的磁控溅射技术适应性，为后续磁控溅射技术制备集成电路用薄膜提供优异基础，使得制备得到的集成电路用薄膜具有较为优异的性能。
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公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
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公开(公告)号：CN119282115A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411352215.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射合金靶材技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)高真空煅烧；(4)热等静压烧结；(5)打磨抛光。通过本发明制备方法制备得到纯度≥99.995％、氧含量≤20ppm的钌钽合金靶材，使得钌钽合金靶材作为扩散阻挡层材料使用时，具备较低电阻，同时阻挡性能较为优异，从而提高扩散阻挡层薄膜性能。
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公开(公告)号：CN118543948A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410685178.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 昆明贵金属研究所 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍钒合金靶材的绑定方法，属于溅射靶材技术领域。本发明通过对镍钒合金的焊接端面依次进行机械加工、表面纳米化和电解抛光处理，然后将处理后的镍钒合金与铜或铜背板进行扩散焊连接。本发明所述方法能有效提高靶材的绑定性能，提升靶材的成品率。同时，在扩散焊接时，焊接温度比现有技术的温度大大降低，从而能在几乎不改变镍钒合金结构的条件下实现靶材与背板的有效连接。
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