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公开(公告)号：CN119144924A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411283868.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨钛合金靶材的制备方法及应用，属于集成电路扩散阻挡层用靶材技术领域。所制备的钨钛合金靶材气体含量低、晶粒尺寸细小均匀，富钛相均匀分布于富钨相中，具有高致密度和高固溶度。制备步骤包括：将高纯钨粉与钛粉进行高能球磨混粉；冷等静压成型；微波烧结；固溶处理。采用本方法制备获得的钨钛合金靶材可应用于大规模集成电路扩散阻挡层的溅射用。
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公开(公告)号：CN118357461A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410465239.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: B22F3/14 , C23C14/35 , B22F9/04 , B22F1/145 , B22F1/142 , B22F3/02 , C22C5/04 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059
Abstract: 本发明公开了一种铁铂基靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯铂粉和纯铁粉进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段铁铂之间的合金化进程；2)添加第三组分粉体与铁铂粉体进行二次均匀化球磨，作为隔离剂使烧结过程中能产生完全相互隔离的铁铂晶粒；3)对混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；4)利用冷压成型与热压相结合的方式实现铁铂靶材坯料微观结构可控性制备。本发明实现了对于铁铂基靶材坯料致密度的提高、含氧量降低和微观结构的可控性制备，提高了所制备铁铂靶材的服役性能。
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公开(公告)号：CN119020627A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411106211.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超细晶钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理、预压制、放电等离子烧结、打磨抛光得到超细晶钌铬合金靶材，实现了烧结时间短、成本低，有效细化钌铬合金晶粒，并且抑制第二相Cr2Ru和Cr3Ru的形成，使得超细晶钌铬合金靶材的物相纯净。
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公开(公告)号：CN118996182A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411106859.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用高致密钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理及高真空下煅烧、预压制、放电等离子烧结和低压烧结相结合得到磁控溅射用高致密钌铬合金靶材，有效降低混合粉末中的C、O等杂质的含量，提高靶材的纯度；而且靶材的微观组织均匀、晶粒尺寸细小、致密度高，避免热等静压烧结过程中模具中C在长时间高温烧结过程中向钌铬合金的扩散，从而保障了钌铬合金的高致密度并成功解决了粉末冶金工艺制备靶材中C、O杂质较高的难题。
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公开(公告)号：CN118989547A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411106444.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纯钨及钨合金靶材与铜背板的绑定方法，属于金属靶材的制备技术领域。所述绑定方法包括如下步骤：首先将焊接中间层(铜箔、铝箔和镍箔)进行精细打磨和超声清洗，然后采用化学镀镍法对中间层进行镀镍膜，得到镀镍膜的中间层，有利于提高焊接阶段的镍在纯钨及钨合金靶材与铜背板之间的扩散程度；接着将纯钨及钨合金靶材和铜背板进行精细超声清洗和真空干燥，有利于降低表面氧化层对焊接强度和焊接率的影响；最后将纯钨及及钨合金靶材、镀镍膜中间层和铜背板放入热压烧结炉中进行扩散焊接，从而获得纯钨及钨合金靶材组件；热压扩散焊接相较于其他焊接方式在保证焊接强度和焊合率方面更具优势。本发明实现了对纯钨及钨合金靶材与铜背板的绑定焊接强度和焊接率的提高，焊接复杂程度及成本的降低，所制备的靶材组件的服役性能得到了改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118875285A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411113855.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯钌基合金靶材的制备方法，属于钌基合金靶材的制备技术领域。所述制备方法包括如下步骤：将氯钌酸铵和其他合金化元素球形颗粒(钽、铬、钨)进行球磨处理，使得氯钌酸铵包覆在合金化元素球形颗粒表面，有利于降低真空热压烧结温度并提高钌基合金靶材的致密度；接着将氯钌酸铵包覆合金化元素的复合粉末进行煅烧及还原处理，有利于调控钌基合金靶材的微观结构；最后将包含纯钌和合金颗粒的复合粉末进行真空热压烧结，得到钌基合金靶材坯料。本发明实现了对于高纯钌基合金靶材致密度的提高和微观结构的有效调控，降低了制备工艺复杂程度及成本，所制备的钌基合金靶材的服役性能得到了改善。
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公开(公告)号：CN118516627A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410555866.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: C22F1/04 , C23C14/34 , H01L21/768 , G01N29/06 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用，属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括：S1：均匀化退火；S2：多向锻造；S3：一次C‑scan检测；S4：固溶处理；S5：纵横交替冷轧；S6：二次C‑scan检测；S7：再结晶退火；S8：粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧，明确锻造及轧制的方向性，通过各方向轮换反复塑性变形，使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀，晶粒细化效果更佳；通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态；再通过C‑scan检测，对坯料进行更加全面的检测判定，从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内，提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。
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公开(公告)号：CN119216579A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411352497.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司
IPC: B22F3/105 , B22F3/14 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F3/10 , C23C14/35 , C22C1/04 , C22C5/04 , C22C27/02
Abstract: 本发明公开了一种超高致密细晶粒钌钽合金靶材及其制备方法，属于合金靶材制备技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)氢气还原；(4)放电等离子烧结；(5)低压烧结；(6)精密机加工。通过本发明制备得到的钌钽合金靶材致密度可以达到99.8％以上，靶材晶粒度可以达到5μm以下，具有较为优异的磁控溅射技术适应性，为后续磁控溅射技术制备集成电路用薄膜提供优异基础，使得制备得到的集成电路用薄膜具有较为优异的性能。
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公开(公告)号：CN118425268A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410668047.9
申请日：2024-05-28
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种氢传感器用氧化铂电极及其制备方法，属于传感器用电极技术领域。本发明通过对铂基材预处理、测试循环伏安特性曲线活化电极、阳极氧化法以及热处理制备氧化铂电极，解决了氧化铂涂层与基材的附着力问题，同时涂层可获得高含量二氧化铂成分，不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、电催化性能好等优点，可满足在核工业领域恶劣环境中工作，对于突破AP1000氢浓度监测传感器的技术壁垒，加快我国核工业相关技术的全面国产化进程具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117773139A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311669325.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种信息存储用高纯球形钌粉的制备方法，所述高纯球形钌粉先由氯钌酸或氯钌酸盐溶液、选择性沉淀剂、稀散剂制得高纯球形钌前驱体沉淀，再经热分解反应、氢氛围脱氧、酸煮纯化工艺制备获得。所述高纯钌粉形貌为球形，纯度≥99.999％，流散性及均一性好，平均粒径＜5μm，可用于信息存储用高纯钌及其合金靶材用高纯钌粉及其合金靶材原料。
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