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公开(公告)号:CN119144924A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411283868.7
申请日:2024-09-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨钛合金靶材的制备方法及应用,属于集成电路扩散阻挡层用靶材技术领域。所制备的钨钛合金靶材气体含量低、晶粒尺寸细小均匀,富钛相均匀分布于富钨相中,具有高致密度和高固溶度。制备步骤包括:将高纯钨粉与钛粉进行高能球磨混粉;冷等静压成型;微波烧结;固溶处理。采用本方法制备获得的钨钛合金靶材可应用于大规模集成电路扩散阻挡层的溅射用。
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公开(公告)号:CN119020627A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411106211.3
申请日:2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超细晶钌铬合金靶材及其制备方法,属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理、预压制、放电等离子烧结、打磨抛光得到超细晶钌铬合金靶材,实现了烧结时间短、成本低,有效细化钌铬合金晶粒,并且抑制第二相Cr2Ru和Cr3Ru的形成,使得超细晶钌铬合金靶材的物相纯净。
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公开(公告)号:CN118996182A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202411106859.0
申请日:2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用高致密钌铬合金靶材及其制备方法,属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理及高真空下煅烧、预压制、放电等离子烧结和低压烧结相结合得到磁控溅射用高致密钌铬合金靶材,有效降低混合粉末中的C、O等杂质的含量,提高靶材的纯度;而且靶材的微观组织均匀、晶粒尺寸细小、致密度高,避免热等静压烧结过程中模具中C在长时间高温烧结过程中向钌铬合金的扩散,从而保障了钌铬合金的高致密度并成功解决了粉末冶金工艺制备靶材中C、O杂质较高的难题。
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公开(公告)号:CN118989547A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202411106444.3
申请日:2024-08-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纯钨及钨合金靶材与铜背板的绑定方法,属于金属靶材的制备技术领域。所述绑定方法包括如下步骤:首先将焊接中间层(铜箔、铝箔和镍箔)进行精细打磨和超声清洗,然后采用化学镀镍法对中间层进行镀镍膜,得到镀镍膜的中间层,有利于提高焊接阶段的镍在纯钨及钨合金靶材与铜背板之间的扩散程度;接着将纯钨及钨合金靶材和铜背板进行精细超声清洗和真空干燥,有利于降低表面氧化层对焊接强度和焊接率的影响;最后将纯钨及及钨合金靶材、镀镍膜中间层和铜背板放入热压烧结炉中进行扩散焊接,从而获得纯钨及钨合金靶材组件;热压扩散焊接相较于其他焊接方式在保证焊接强度和焊合率方面更具优势。本发明实现了对纯钨及钨合金靶材与铜背板的绑定焊接强度和焊接率的提高,焊接复杂程度及成本的降低,所制备的靶材组件的服役性能得到了改善。
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公开(公告)号:CN118875285A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411113855.5
申请日:2024-08-14
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯钌基合金靶材的制备方法,属于钌基合金靶材的制备技术领域。所述制备方法包括如下步骤:将氯钌酸铵和其他合金化元素球形颗粒(钽、铬、钨)进行球磨处理,使得氯钌酸铵包覆在合金化元素球形颗粒表面,有利于降低真空热压烧结温度并提高钌基合金靶材的致密度;接着将氯钌酸铵包覆合金化元素的复合粉末进行煅烧及还原处理,有利于调控钌基合金靶材的微观结构;最后将包含纯钌和合金颗粒的复合粉末进行真空热压烧结,得到钌基合金靶材坯料。本发明实现了对于高纯钌基合金靶材致密度的提高和微观结构的有效调控,降低了制备工艺复杂程度及成本,所制备的钌基合金靶材的服役性能得到了改善。
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公开(公告)号:CN118516627A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410555866.2
申请日:2024-05-07
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: C22F1/04 , C23C14/34 , H01L21/768 , G01N29/06 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用,属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括:S1:均匀化退火;S2:多向锻造;S3:一次C‑scan检测;S4:固溶处理;S5:纵横交替冷轧;S6:二次C‑scan检测;S7:再结晶退火;S8:粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧,明确锻造及轧制的方向性,通过各方向轮换反复塑性变形,使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀,晶粒细化效果更佳;通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态;再通过C‑scan检测,对坯料进行更加全面的检测判定,从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内,提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。
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公开(公告)号:CN118357461A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410465239.X
申请日:2024-04-18
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: B22F3/14 , C23C14/35 , B22F9/04 , B22F1/145 , B22F1/142 , B22F3/02 , C22C5/04 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059
Abstract: 本发明公开了一种铁铂基靶材坯料的制备方法,包括:1)先通过纯铂粉和纯铁粉进行高能球磨增加两者表面缺陷程度,有利于提高烧结阶段铁铂之间的合金化进程;2)添加第三组分粉体与铁铂粉体进行二次均匀化球磨,作为隔离剂使烧结过程中能产生完全相互隔离的铁铂晶粒;3)对混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量;4)利用冷压成型与热压相结合的方式实现铁铂靶材坯料微观结构可控性制备。本发明实现了对于铁铂基靶材坯料致密度的提高、含氧量降低和微观结构的可控性制备,提高了所制备铁铂靶材的服役性能。
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公开(公告)号:CN118326345A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410349567.3
申请日:2024-03-26
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种平面溅射靶材的绑定方法,该方法包括:首先对待绑定的绑定面进行表面处理,分别涂抹高分子胶粘剂,再依次将金属铜网和靶坯放置于背板上,将靶材组件压合后再进行加热以加快固化,最后对固化冷却后的靶材组件进行机加工,得到高分子胶粘绑定的平面溅射靶材组件。采用上述方法绑定的平面溅射靶材焊缝处均匀、无空洞,焊合率>95%,导电性及散热性良好,焊接抗剪切强度≥15MPa,机加工边角料中高分子胶粘剂碎屑容易去除,旧靶材回收时对靶坯及背板不会造成破坏,特别对于贵金属溅射靶材,能够有效提高贵金属回收率、降低贵金属损耗。
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公开(公告)号:CN119838610A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202510054237.6
申请日:2025-01-14
Applicant: 昆明理工大学 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于CH4氧化的高温稳定催化剂及其制备方法,属于催化剂技术领域,包括以下步骤:以SiO2纳米球为基体,通过浸渍法引入过渡金属Ni,形成表面均匀覆盖薄层NiO的核壳结构复合载体SiO2‑NiO;然后通过浸渍法将Pd负载于所述复合载体SiO2‑NiO上,获得负载型钯基催化剂SiO2‑NiO‑Pd,即高温稳定催化剂。该催化剂可用于高温甲烷催化燃烧反应,并具有杰出的催化活性,甲烷转化率可达到100%。
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公开(公告)号:CN117620231A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311645317.6
申请日:2023-12-04
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: B23B5/00 , B23B31/103 , B23B1/00
Abstract: 本发明公开了一种碗形靶材的机加工辅助工装及加工方法,该工装包括碗形弹性组件、内撑件及紧固螺栓;碗形弹性组件外侧面呈一定锥度,其大直径端中心区域下凹,内侧壁与外侧锥度相同,沿着其外边缘均分有数条沟槽;内撑件呈锥台状;紧固螺栓穿过碗形弹性组件中心过孔并紧固内撑件,使得碗形弹性组件向外扩张并夹持住碗形靶坯。加工方法包括:靶坯与工装装配,工装将碗形靶坯的内壁撑住;对已装配夹具的碗形靶坯进行装夹,外表面车削加工;靶坯反向装夹,内表面车削加工,对碗底内侧的弧形采用类双曲线的平滑过程方式进行加工。该方法不仅简单易操作、加工效率高、用料节约,而且加工的碗形靶材具有尺寸精度高、壁厚均匀、表面粗糙度小等优点。
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