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公开(公告)号:CN102651355B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201210010816.3
申请日:2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76879 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2225/06541 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。
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公开(公告)号:CN102280423B
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201110025101.0
申请日:2011-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/488 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05099 , H01L2224/05571 , H01L2224/05599 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/1182 , H01L2224/11823 , H01L2224/1191 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13164 , H01L2224/13564 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13578 , H01L2224/13583 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/1369 , H01L2224/16058 , H01L2224/16148 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2224/16145 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2224/05552 , H01L2224/81805
Abstract: 本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work?piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层,但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物,且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法,在裸片对晶片接合工艺中,即使工作件的温度高时,保护层也可避免铜凸块的氧化。
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公开(公告)号:CN106158824B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201510171945.4
申请日:2015-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/92124 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2224/81805 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
Abstract: 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体,以及在RDL的第二侧上形成第二连接件。切割产生的结构以形成单独的封装件。
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公开(公告)号:CN103681549A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201210539996.4
申请日:2012-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/088 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种装置包括形成在衬底中的通孔。通孔耦合在衬底的第一侧和第二侧之间。通孔包括紧邻衬底的第二侧的底部,其中,底部由导电材料形成。通孔进一步包括由导电材料形成的侧壁部和形成在侧壁部之间的中部,其中,中部由介电材料形成。本发明还提供了通孔结构及方法。
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公开(公告)号:CN102832200B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201110382468.8
申请日:2011-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构包括设置在衬底上方的介电层。金属线被设置在介电层中。硅通孔(TSV)结构连续地延伸穿过介电层和衬底。金属线的表面与TSV结构的表面基本上齐平。本发明还提供了一种半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN103681597A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310144272.4
申请日:2013-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76807 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5384 , H01L27/0617 , H01L2221/1031 , H01L2224/13 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了互连结构及方法,其中一种装置包括:形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层,介电层包括金属结构,该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。
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公开(公告)号:CN109560038A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201811259296.3
申请日:2013-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L23/522 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开了互连结构及方法,其中一种装置包括:形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层,介电层包括金属结构,该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。
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公开(公告)号:CN103681549B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201210539996.4
申请日:2012-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/088 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种装置包括形成在衬底中的通孔。通孔耦合在衬底的第一侧和第二侧之间。通孔包括紧邻衬底的第二侧的底部,其中,底部由导电材料形成。通孔进一步包括由导电材料形成的侧壁部和形成在侧壁部之间的中部,其中,中部由介电材料形成。本发明还提供了通孔结构及方法。
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公开(公告)号:CN106158824A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201510171945.4
申请日:2015-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/92124 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2224/81805 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
Abstract: 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体,以及在RDL的第二侧上形成第二连接件。切割产生的结构以形成单独的封装件。
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公开(公告)号:CN102646612A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201110381697.8
申请日:2011-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6875 , B65G47/90 , H01L21/68707 , Y10T74/20305
Abstract: 本发明公开了一种装置,包括:机械臂、以及多个导销,该多个导销安装在机械臂上。多个导销中的每个都包括位于不同层上的多个晶圆支撑件,多个晶圆支撑件中的每个都配置为支撑和居中晶圆,剩下的多个晶圆支撑件配置为支撑和居中与上述晶圆尺寸不同的晶圆。本发明还公开了一种用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计。
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