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公开(公告)号：CN103681597A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310144272.4
申请日：2013-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76807 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5384 , H01L27/0617 , H01L2221/1031 , H01L2224/13 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。
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公开(公告)号：CN106158824B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510171945.4
申请日：2015-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/92124 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2224/81805 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
Abstract: 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体，以及在RDL的第二侧上形成第二连接件。切割产生的结构以形成单独的封装件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681549A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210539996.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/088 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种装置包括形成在衬底中的通孔。通孔耦合在衬底的第一侧和第二侧之间。通孔包括紧邻衬底的第二侧的底部，其中，底部由导电材料形成。通孔进一步包括由导电材料形成的侧壁部和形成在侧壁部之间的中部，其中，中部由介电材料形成。本发明还提供了通孔结构及方法。
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公开(公告)号：CN109560038A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811259296.3
申请日：2013-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L23/522 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。
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公开(公告)号：CN106469697A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610090319.7
申请日：2016-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/4824 , H01L23/485 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/20 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2021/60022 , H01L2224/0391 , H01L2224/04105 , H01L2224/10126 , H01L2224/11013 , H01L2224/11466 , H01L2224/11602 , H01L2224/12105 , H01L2224/13005 , H01L2224/13026 , H01L2224/16227 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2224/03 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L24/02 , H01L24/07 , H01L24/15 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/31
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度大于聚合材料和导体之间的粘合强度。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN103681549B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210539996.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/088 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种装置包括形成在衬底中的通孔。通孔耦合在衬底的第一侧和第二侧之间。通孔包括紧邻衬底的第二侧的底部，其中，底部由导电材料形成。通孔进一步包括由导电材料形成的侧壁部和形成在侧壁部之间的中部，其中，中部由介电材料形成。本发明还提供了通孔结构及方法。
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公开(公告)号：CN106158824A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510171945.4
申请日：2015-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/92124 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2224/81805 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
Abstract: 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体，以及在RDL的第二侧上形成第二连接件。切割产生的结构以形成单独的封装件。
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