公开(公告)号：CN108292651B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201580084754.2

申请日：2015-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·卡姆嘎因 ,  G·C·多吉阿米斯 ,  V·K·奈尔 ,  J·A·法尔孔 ,  S·M·利夫 ,  Y·富田

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明的实施例包括微电子器件，其包括具有化合物半导体组件的基于硅的第一衬底。微电子器件还包括耦合到第一衬底的第二衬底。第二衬底包括用于以大约4GHz或更高的频率发送和接收通信的天线单元。

公开(公告)号：CN108292651A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084754.2

申请日：2015-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·卡姆嘎因 ,  G·C·多吉阿米斯 ,  V·K·奈尔 ,  J·A·法尔孔 ,  S·M·利夫 ,  Y·富田

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104

Abstract: 本发明的实施例包括微电子器件，其包括具有化合物半导体组件的基于硅的第一衬底。微电子器件还包括耦合到第一衬底的第二衬底。第二衬底包括用于以大约4GHz或更高的频率发送和接收通信的天线单元。

公开(公告)号：CN106340497B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201610883538.0

申请日：2011-10-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·S·古扎克 ,  R·L·散克曼 ,  K·市川 ,  Y·富田 ,  J·久保

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及密封管芯、包含该密封管芯的微电子封装以及制造所述微电子封装的方法。密封管芯(100,401)包括具有第一表面(111)、相对的第二表面(112)以及中间的侧表面(113)的基板(110,510)，其中有源器件位于基板的第一表面处。有源器件通过由多个电绝缘层(125,525)彼此隔离的多个导电层(120,520)连接。保护帽(130,530)位于基板第一表面上方，其包含在其表面(131)处暴露的互连结构(140)。在另一实施例中，微电子封装(200)包括具有诸如上述嵌入其内的密封管芯(100)的封装基板(250)。

公开(公告)号：CN106463490B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201480078557.5

申请日：2014-05-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 胡川 ,  A·A·埃尔谢尔比尼 ,  Y·富田 ,  S·利夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开内容的实施例描述了用于可弯曲并且可伸展的器件的波状互连件以及相关联的技术和构造。在一个实施例中，互连组件包括限定平面的柔性衬底和设置在柔性衬底上的波状互连件并且被配置为沿着与所述平面共面的第一方向按照路线发送集成电路(IC)器件的电信号，波状互连件具有第二方向上的波状轮廓，所述第二方向垂直于所述第一方向并且与所述平面共面。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN103887278B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201310697943.X

申请日：2013-12-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·胡 ,  D·徐 ,  Y·富田

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开内容的各实施方式涉及用于具有通过界面层连接到集成电路衬底的一个或多个管芯的集成电路（IC）封装的技术和配置。在一种实施方式中，界面层可以包括被配置为在诸如管芯和集成电路衬底等的一个或多个组件之间向离开平面的方向传导电信号的各向异性部分。在另一实施方式中，界面层可以是电介质或电绝缘层。在又一实施方式中，界面层可以包括充当在两个组件之间的互连的各向异性部分、电介质部分或绝缘部分和由电介质部分或绝缘部分围绕并充当在相同的或其他组件之间的互连的一个或多个互连结构。可以描述和/或要求保护的其他实施方式。

公开(公告)号：CN108292648B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201580084755.7

申请日：2015-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·C·多吉阿米斯 ,  T·卡姆嘎因 ,  E·J·李 ,  J·A·法尔孔 ,  Y·富田 ,  V·K·奈尔 ,  S·M·利夫

IPC: H01L23/58

Abstract: 本发明的实施例包括微电子器件，其包括具有基于硅的衬底的第一管芯和耦合到第一管芯的第二管芯。在一个示例中，利用化合物半导体材料形成第二管芯。微电子器件包括利用多个电连接耦合到第一管芯的衬底。衬底包括用于在大约4GHz或更高的频率下发送和接收通信的天线单元。

公开(公告)号：CN106463490A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078557.5

申请日：2014-05-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 胡川 ,  A·A·埃尔谢尔比尼 ,  Y·富田 ,  S·利夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开内容的实施例描述了用于可弯曲并且可伸展的器件的波状互连件以及相关联的技术和构造。在一个实施例中，互连组件包括限定平面的柔性衬底和设置在柔性衬底上的波状互连件并且被配置为沿着与所述平面共面的第一方向按照路线发送集成电路(IC)器件的电信号，波状互连件具有第二方向上的波状轮廓，所述第二方向垂直于所述第一方向并且与所述平面共面。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN106340497A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610883538.0

申请日：2011-10-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·S·古扎克 ,  R·L·散克曼 ,  K·市川 ,  Y·富田 ,  J·久保

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及密封管芯、包含该密封管芯的微电子封装以及制造所述微电子封装的方法。密封管芯(100,401)包括具有第一表面(111)、相对的第二表面(112)以及中间的侧表面(113)的基板(110,510)，其中有源器件位于基板的第一表面处。有源器件通过由多个电绝缘层(125,525)彼此隔离的多个导电层(120,520)连接。保护帽(130,530)位于基板第一表面上方，其包含在其表面(131)处暴露的互连结构(140)。在另一实施例中，微电子封装(200)包括具有诸如上述嵌入其内的密封管芯(100)的封装基板(250)。

公开(公告)号：CN103201833A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180053071.2

申请日：2011-10-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·S·古扎克 ,  R·L·散克曼 ,  K·市川 ,  Y·富田 ,  J·久保

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 密封管芯(100,401)包括具有第一表面(111)、相对的第二表面(112)以及中间的侧表面(113)的基板(110,510)，其中有源器件位于基板的第一表面处。有源器件通过由多个电绝缘层(125,525)彼此隔离的多个导电层(120,520)连接。保护帽(130,530)位于基板第一表面上方，其包含在其表面(131)处暴露的互连结构(140)。在另一实施例中，微电子封装(200)包括具有诸如上述嵌入其内的密封管芯(100)的封装基板(250)。

公开(公告)号：CN109569979A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810995433.3

申请日：2018-08-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·P·哈肯贝格 ,  N·R·拉拉维卡 ,  J·C·小马塔亚巴斯 ,  E·诺芬 ,  N·阿南坦克里希南 ,  M·中加瓦赛 ,  Y·富田

IPC: B05C17/06 ,  B05C11/11 ,  B05C11/10 ,  B05D1/32

CPC classification number: B05C5/0225 ,  B05B1/02 ,  B05B1/30 ,  B05C1/027 ,  B05C1/06 ,  B05C5/0295 ,  F16K21/185 ,  B05C17/06 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11 ,  B05D1/32

Abstract: 一种流体涂敷器，被配置为将流体涂敷到至少一个衬底特征。流体涂敷器包括：可压缩的网状介质，包括输入界面，被配置用于与流体贮存器耦接，及衬底界面，具有对应于至少一个衬底特征的特征轮廓的涂敷器轮廓。网状物从输入界面延伸到衬底界面，并且网状物分布在整个涂敷器轮廓上。可压缩网状介质包括填充配置和分配配置。在分配配置中，衬底界面被配置用于与至少一个衬底特征接合，压缩可压缩网状介质，并且根据压缩，将流体涂敷在整个特征轮廓上。在填充配置中，可压缩网状介质被配置用于相对于分配配置膨胀，并且流体根据膨胀渗透网状物。