公开(公告)号：KR1020130007658A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020127030322

申请日：2011-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  스기우라마사히토 ,  고이즈미겐지로 ,  가시와기유사쿠

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 하나 또는 복수의 개구부를 갖고, 당해 개구부 저면에 촉매 금속층이 형성된 피처리체를 준비한다(스텝 1). 촉매 금속층에 산소 플라즈마 처리를 실시하고(스텝 2), 촉매 금속층에 수소 플라즈마 처리를 더 실시하여, 촉매 금속층의 표면을 활성화한다(스텝 3). 그 후, 필요에 따라 퍼지 처리(스텝 4)를 행한 후, 촉매 금속층 상에 플라즈마 CVD에 의해 카본 나노튜브를 성장시켜, 피처리체의 개구부 내를 카본 나노튜브로 충전한다(스텝 5).

公开(公告)号：KR1020040029108A

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1020047003005

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 분자 내에 환상 구조를 갖는 화합물로 구성되는 처리 가스를 챔버(12)내에 도입한다. 한편으로 아르곤 등의 여기용 가스를 액티베이터(34)에 의해서 여기시켜 챔버(12) 내에 도입하여 처리 가스를 여기시킨다. 여기된 처리 가스는 피처리 기판(l9)상에 퇴적하여, 환상 구조를 막 중에 갖는 다공질 저유전율막을 형성한다.

Abstract translation: 由分子中具有环结构的化合物构成的处理气体被导入腔室（12）。 同时，由激活器（34）激励诸如氩等的激励气体并将其引入腔室（12）中，以使处理气体被激发。 激发的处理气体沉积在处理目标基板（19）上，在膜中形成具有环形结构的多孔低介电常数膜。

公开(公告)号：KR1020140043879A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/044 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: [OBJETIVE] a film forming method capable of generating an AlON layer which is uniformly dispersed in the thickness direction of nitrogen even though the thickness of a layer is thick. [SOLUTION] after forming an AlN layer (23) on the SiC substrate (17) of a wafer (W), an AlON layer (25) which has a stack structure where an AlO layer (24) and an AlN layer (23) are alternately stacked by repeatedly forming the AlN layer (23) on the film-formed AlO layer (24) and the film forming layer of the AlO layer (24) is formed and then the AlON layer (25) having the stack structure is heat-treated.

Abstract translation: 即使层的厚度较厚，也能够产生均匀分散在氮的厚度方向上的AlON层的成膜方法。 在晶片（W）的SiC衬底（17）上形成AlN层（23）之后，具有AlO层（24）和AlN层（23）的堆叠结构的AlON层（25） 通过在膜形成的AlO层（24）上重复形成AlN层（23）而交替层叠，形成AlO层（24）的成膜层，然后具有堆叠结构的AlON层（25）为热 治疗过的。

公开(公告)号：KR100887449B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020067005288

申请日：2004-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  호시노사토히코 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: 본 발명은 화학 증착법에 의해 형성된 Si, O 및 CH를 포함하는 절연막의 유전율을 저하시키는 방법에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치의 반응 용기내에 수소 원자를 포함하는 프로세스 가스가 공급된다. 반응 용기내에 마이크로파를 도입하여 반응 용기내에 균일한 전자파를 공급하고, 이에 따라 반응 용기내에 수소 래디컬을 포함하는 플라즈마가 발생한다. 절연막에 조사된 플라즈마에 포함되는 수소 래디컬에 의해, 절연막의 구조가 변화되어 유전율이 저하한다. 마이크로파는 래디얼 슬롯 안테나를 거쳐서 반응 용기내에 공급된다.

公开(公告)号：KR100778947B1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020047003005

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: A process gas constituted by a compound having a ring structure in its molecules is introduced into a chamber (12). In the meantime, an excitation gas such as argon, etc. is excited by an activator (34) and introduced into the chamber (12), so that the process gas is excited. The excited process gas is deposited on a process target substrate (19), forming a porous low dielectric constant film having ring structures in the film.

公开(公告)号：KR101139175B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020097027386

申请日：2008-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토요시히로 ,  가시와기유사쿠 ,  마츠모토다카시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 페닐기 및 실리콘을 포함하는 동시에 불가피한 불순물 이외의 질소를 포함하지 않는 유기 실란 가스를 활성화하여 플라즈마를 얻는 동시에, 기판의 온도를 200℃ 이하로 설정한 상태에서, 상기 플라즈마에 상기 기판을 노출시켜 페닐기와 실리콘을 포함하는 박막을 상기 기판상에 성막하는 공정(a)과, 그 후, 상기 기판에 대해 에너지를 가하고, 상기 박막으로부터 수분을 탈리시켜 저유전율 막을 얻는 공정(b)을 포함한다. 이 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 유기물을 포함하는 실리콘 산화물계의 저유전율 막에 대해 에칭 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실행했을 때, 유기물이 탈리하는 것에 의해서 받는 데미지가 적은 저유전율 막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070100409A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020077019956

申请日：2006-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  오시마야스히로 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a method for forming an SiOCH film which is characterized in that an SiOCH film is formed on a substrate by repeating, a plurality of times, a unit film forming process which includes a deposition step wherein an SiOCH film element is deposited by a plasma CVD method using an organosilicon compound as the raw material, and a hydrogen plasma processing step wherein the deposited SiOCH film element is treated with hydrogen plasma.

Abstract translation: 公开了一种形成SiOCH膜的方法，其特征在于，通过重复多次重复多次制备包括沉积步骤的单元成膜工艺在基板上形成SiOCH膜，其中通过等离子体沉积SiOCH膜元件 使用有机硅化合物作为原料的CVD法和氢等离子体处理工序，其中沉积的SiOCH膜元件用氢等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020060097768A

公开(公告)日：2006-09-15

申请号：KR1020067016087

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for forming a film which comprises a step of introducing a gas to be treated comprising a compound having a cyclic structure in the molecule thereof into a chamber (12), and a step of exciting a gas for excitation, such as argon, by means of an activator (34) and then introducing the excited gas for excitation into the chamber (12), to indirectly excite the gas to be treated. The excited gas to be treated is deposited on a substrate (19) to be treated and forms a porous film having a cyclic structure in an increased content and thus exhibiting a reduced permitivity.

Abstract translation: 一种形成膜的方法，包括将包含其分子中具有环状结构的化合物的待处理气体引入到室（12）中的步骤，以及通过以下步骤将氩气激发气体的步骤： 活化剂（34）的装置，然后将激发的气体引入到室（12）中，以间接地激发待处理的气体。 待处理的被激发气体沉积在待处理的基材（19）上，并形成具有增加的含量的环状结构的多孔膜，从而显示出较低的介电常数。

公开(公告)号：KR101436710B1

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：KR1020127030322

申请日：2011-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  스기우라마사히토 ,  고이즈미겐지로 ,  가시와기유사쿠

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 하나 또는 복수의 개구부를 갖고, 당해 개구부 저면에 촉매 금속층이 형성된 피처리체를 준비한다(스텝 1). 촉매 금속층에 산소 플라즈마 처리를 실시하고(스텝 2), 촉매 금속층에 수소 플라즈마 처리를 더 실시하여, 촉매 금속층의 표면을 활성화한다(스텝 3). 그 후, 필요에 따라 퍼지 처리(스텝 4)를 행한 후, 촉매 금속층 상에 플라즈마 CVD에 의해 카본 나노튜브를 성장시켜, 피처리체의 개구부 내를 카본 나노튜브로 충전한다(스텝 5).

公开(公告)号：KR101128348B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020107015120

申请日：2010-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  스기타킷페이

IPC: H01L21/312 ,  B01J7/00 ,  H01L21/205 ,  C23C14/24

CPC classification number: B05D1/60

Abstract: 고체 원료를 가열하여 승화시켜 원료 가스를 발생시키는 가열부와, 가열부의 상방에 형성되며, 가열부에 고체 원료를 공급하는 공급부와, 가열부에서 발생시킨 원료 가스를 반송하는 캐리어 가스를 도입하는 가스 도입부와, 발생시킨 원료 가스를 캐리어 가스와 함께 도출하는 가스 도출부를 갖는다. 가스 도입부로부터 도입된 캐리어 가스가 가열부를 통과한다.

Abstract translation: 及加热部通过升华通过加热固体物质，以产生一个源气体时，在加热部的上方，用于将载气输送引起在加热元件的原料气体供给固体原料加热部，气体供给部 以及用于将生成的源气体与载气一起引出的气体引出部分。 从气体导入部导入的载气通过加热部。