公开(公告)号：KR101196075B1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020107005342

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타료사쿠 ,  아다치히카루 ,  나카니시도시오 ,  우에다아츠시 ,  강송윤 ,  모로즈파울 ,  벤트젝피터

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229

Abstract: 슬롯 안테나 방식의 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 편평한 도파관을 구성하는 평면 안테나판(31) 및 도전성 부재로 이루어지는 커버(34)를 구비한다. 커버(34)에, 편평한 도파관 내의 전계 분포를 조정하기 위한 제2 도파관으로서의 스터브(43)를 구비하고 있다. 스터브(43)에는, 도전성 부재로 이루어지는 커버(34)가 설치되어 있다. 스터브(43)는, 평면에서 보아, 평면 안테나판(31)의 최외주에 배열된 슬롯쌍을 구성하는 슬롯(32)과 겹쳐지는 위치에 배치되어 있다. 스터브(43)의 적정한 배치에 의해, 편평한 도파관 내의 전계 분포를 제어하여 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100956467B1

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020087019543

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명에 있어서는, 산화막 형성 후의 기판에 대해서, 마이크로파에 의해서 발생시킨 플라즈마에 의해 질화 처리하여 산질화막을 형성할 때, 마이크로파의 공급을 단속적으로 행한다. 단속적으로 마이크로파를 공급함으로써, 전자 온도의 저하에 따른 이온 충격이 저하하고, 또한 산화막에 있어서의 질화물 시드의 확산 속도가 저하하며, 그 결과 산질화막의 기판측 계면에 질소가 집중하여 그 농도가 높게 되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 산질화막의 막질을 향상시켜 리크 전류의 저하, 동작 속도의 향상, 및 NBTI 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하다.

Abstract translation: 在本发明中，在通过氮化处理形成氧氮化物膜时，通过该等离子体的氧化膜形成，由微波产生后的基板，并进行微波的在间歇供给。 通过提供在间歇的微波，根据电子温度还原降解离子冲击，并进一步降低在氧化膜的氮化物种子的扩散速率，并且在所得到的氧氮化物层的高的基板侧界面的氮浓度是浓度 可以压制。 因此，可以改善氮氧化物膜的膜质量，由此减小泄漏电流，提高操作速度并改善NBTI电阻。

公开(公告)号：KR1020060116030A

公开(公告)日：2006-11-13

申请号：KR1020067017788

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: At the time of forming an oxynitride film on a substrate by nitriding the substrate with plasma generated by microwaves after forming an oxide film, the microwaves are intermittently supplied. Ion bombardment due to electron temperature reduction is reduced by intermittently supplying the microwaves, and the diffusing speed of a nitride seed in the oxide film is reduced. As a result, nitrogen concentrates on a nitride film interface on the substrate side, and the concentration increase can be suppressed. Thus, the film quality of the oxynitride film can be improved, a leak current can be reduced, and operation speed and NBTI resistance can be improved.

Abstract translation: 在通过在形成氧化膜之后通过微波产生的等离子体对基板进行氮化而在基板上形成氧氮化物膜时，间歇地供给微波。 通过间歇地供给微波来降低电子温度降低引起的离子轰击，减少氮化物种子在氧化膜中的扩散速度。 结果，氮浓缩在基板侧的氮化物膜界面上，并且可以抑制浓度增加。 因此，可以提高氮氧化物膜的膜质量，可以降低漏电流，并且可以提高操作速度和NBTI电阻。

公开(公告)号：KR101411085B1

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：KR1020147002619

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140019879A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020147002619

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 在等离子体处理装置中，上述平面天线构件，用于将来自在处理容器中的电磁波产生装置产生的电磁波，并在波导管供给电磁波的平面天线部件，被提供给平面天线部件上重叠，从波导供给的电磁波的波长 包括所述的纸的仪表板，并且如果仪表板和一个平面天线盖件，用于从上方覆盖一个构件来改变，如果仪表板是在同一时间由电介质的，平面天线部件和所述平面天线部件的覆盖部件之间的区域中的介电常数 在与上表面平行的平面上设置非均匀的等离子体处理装置。

公开(公告)号：KR1020120062923A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127011200

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR101411171B1

公开(公告)日：2014-06-23

申请号：KR1020147002620

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140019880A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020147002620

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR101089988B1

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020097006327

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  아다치히카루 ,  기타가와주니치 ,  야마모토노부히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 플라즈마 산화 처리 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리용기내에 배치된 탑재대에 표면에 실리콘을 갖는 피처리체를 탑재하는 것과, 상기 처리용기내에 산소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 형성하는 것과, 상기 플라즈마의 형성시에, 상기 탑재대에 고주파 전력을 공급하여, 피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 것과, 상기 플라즈마에 의해, 피처리체 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR100625761B1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：KR1020047009053

申请日：2002-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노부히코 ,  아다치히카루 ,  오사다유키

IPC: H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32256 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01P5/103

Abstract: A plasma processing apparatus includes an evacuatable processing vessel; a workpiece mount base for mounting thereon an object to be processed; a microwave transmitting plate provided in an opening of a ceiling of the processing vessel; a planar antenna member for supplying a microwave into the processing vessel via the microwave transmitting plate; a shield lid grounded to cover a top of the planar antenna member; a waveguide for guiding the microwave to the planar antenna member; a member elevating mechanism for relatively varying a vertical distance between the planar antenna member and the shield lid; a tuning rod insertable into the waveguide; a tuning rod driving mechanism for moving the tuning rod to adjust an insert amount thereof; and a matching control section for controlling an elevation amount of the planar antenna member and the insert amount of the tuning rod to obtain a matching adjustment.