公开(公告)号：KR101254986B1

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：KR1020117007197

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  고노마사유키 ,  오타오슈이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, SiCl
4 가스와 질소 가스를 포함하는 성막 원료 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행함으로써 막 중의 수소 원자 농도가 9.9×10
20 atoms/㎤ 이하의 질화 규소막을 형성하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101122347B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020087029310

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  사토요시히로 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

Abstract: 절연막의 형성 방법은 표면에 실리콘이 노출된 피처리 기판에 대해, 상기 실리콘을 질화하는 질화 처리를 실시하여, 실리콘 표면에 실리콘 질화막을 형성하는 것과, 실리콘 질화막이 형성된 피처리 기판을 N
2 O 분위기에서 열처리하여 실리콘 산질화막을 형성하는 것과, 실리콘 산질화막을 질화 처리하는 것을 포함한다.

Abstract translation: 一种形成绝缘膜的方法包括：通过执行渗氮工艺在硅表面上形成氮化硅膜，用于氮化在暴露有硅的衬底的表面上的硅;

公开(公告)号：KR1020110055701A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007196

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  니시타타츠오 ,  미야하라준야 ,  고노마사유키

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/3145 ,  C23C16/308 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, SiCl
4 가스와 질소 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행함으로써 2차 이온 질량 분석(SIMS)에 의해 측정되는 막 중의 수소 원자 농도가 9.9×10
20 atoms/㎤ 이하인 질화 산화 규소막을 형성하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020080009740A

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：KR1020077028517

申请日：2006-06-07

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  혼다미노루 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: Disclosed is a plasma nitriding method wherein a nitriding is performed at a process temperature of not less than 500°C in a process chamber of a plasma processing apparatus by causing a microwave-excited high-density plasma of a nitrogen-containing gas, which is formed by introducing a microwave into the process chamber using a multi-slotted planar antenna, to act on silicon in the surface of an object to be processed.

Abstract translation: 公开了一种等离子体氮化方法，其中在等离子体处理装置的处理室中，在不低于500℃的工艺温度下进行氮化，通过使含氮气体的微波激发的高密度等离子体 通过使用多槽平面天线将微波引入到处理室中，作用在被处理物体的表面中的硅上。

公开(公告)号：KR100643666B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050101545

申请日：2005-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템은 복수의 전자빔 관으로부터 피 처리체에 형성된 막으로 전자빔을 조사하여 막두께를 맞추며, 상기 공정에서 상기 복수의 전자빔 관 각각의 출력 또는 조사 시간을 상기 막두께의 분포에 따라 개별적으로 제어한다. 또한, 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템에 의해 피 처리체의 막에 대전된 전하가 제거된다.

公开(公告)号：KR102047160B1

公开(公告)日：2019-11-20

申请号：KR1020170078124

申请日：2017-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  나카니시도시오 ,  이마나카마사시 ,  한천수

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR102015698B1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：KR1020170079072

申请日：2017-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마나카마사시 ,  나카니시도시오 ,  혼다미노루 ,  고타니고지

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/458 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR1020150003756A

公开(公告)日：2015-01-09

申请号：KR1020147029714

申请日：2013-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  나카니시도시오 ,  가타야마다이스케

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L29/66121 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207

Abstract: 일 실시형태의 플라즈마 처리 방법은, 피처리 기체 상에 다결정 실리콘층을 성장시키기 위한 플라즈마 처리 방법으로서, (a) 처리 용기 내에 피처리 기체를 준비하는 공정과, (b) 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내에 도입하고, 실리콘을 함유한 원료 가스를 처리 용기 내에 도입하여, 피처리 기체 상에 다결정 실리콘층을 성장시키는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100942106B1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：KR1020077028517

申请日：2006-06-07

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  혼다미노루 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 피처리체 표면의 실리콘에 대하여, 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 형성되는 질소 함유 가스의 마이크로파 여기 고밀도 플라즈마를 작용시켜서, 500℃ 이상의 처리 온도에서 질화 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR100598197B1

公开(公告)日：2006-07-07

申请号：KR1020040020177

申请日：2004-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  혼다미노루 ,  강송윤 ,  사이토유스케

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/31058 ,  Y10S430/143

Abstract: 종래의 큐어(cure) 방법의 경우에는, 전자 빔에 의해 유기재료막의 표면 층부를 경화시켜 기계적 강도를 개선할 수 있지만, 유기재료막의 k값이 악화되거나, 유기재료를 구성하는 메틸기를 분해하여 웨트 세정시의 내약품성이 저하된다.
본 발명의 전자 빔 처리 방법은, 전자 빔을 이용하여 웨이퍼의 표면에 형성된 도포형 절연막(SOD막 : Spin-On Dielectric film)을 처리하는 방법에 있어서, 메탄 가스를 거쳐서 SOD막에 전자 빔을 조사한다.