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公开(公告)号：WO2023003158A1
公开(公告)日：2023-01-26
申请号：PCT/KR2022/007503
申请日：2022-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G05D1/02
Abstract: 로봇이 개시된다. 로봇은, 적어도 하나의 센서, 구동부 및 프로세서를 포함하며, 프로세서는, 적어도 하나의 명령어를 실행함으로써, 로봇이 주행하는 동안 적어도 하나의 센서에 의해 획득된 센싱 데이터에 기초하여 오브젝트의 특성 정보를 획득하고, 획득된 오브젝트의 특성 정보에 기초하여 오브젝트까지의 거리에 따른 속도 프로파일 정보를 획득하고, 획득된 속도 프로파일 정보에 기초하여 영역 별 속도 정보를 포함하는 속도 맵을 획득하고, 획득된 속도 맵에 기초하여 식별된 이동 경로에 기초하여 구동부를 제어한다.
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公开(公告)号：WO2023038284A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/KR2022/010870
申请日：2022-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 로봇이 개시된다. 로봇은, 적어도 하나의 센서, 구동부, 적어도 하나의 명령을 저장하는 메모리 및 프로세서를 포함하며, 프로세서는, 적어도 하나의 명령어를 실행함으로써, 로봇의 주행 공간을 복수의 서브 공간으로 식별하고, 로봇이 주행하는 동안 적어도 하나의 센서에 의해 획득된 센싱 데이터에 기초하여 복수의 서브 공간 각각에 대응되는 주행성 정보를 획득하고, 획득된 주행성 정보에 기초하여 획득된 주행 맵에 기초하여 복수의 서브 공간을 각각을 통과하기 위한 소요 시간에 대한 정보를 획득하고, 획득된 소요 시간 정보에 기초하여 로봇의 이동 경로를 식별하고, 식별된 이동 경로에 기초하여 구동부를 제어하며, 주행성 정보는, 서브 공간과 관련된 영역 정보, 타 로봇 관련 정보 또는 동적 오브젝트 관련 정보 중 적어도 하나를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150050095A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130131506
申请日：2013-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/02458 , H01L33/007 , H01L33/30
Abstract: III-V족버퍼층과그 형성방법과이를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된버퍼층은개시된일 실시예에의한버퍼층의형성방법은기판상에베이스층(노출층)을형성하고, 상기베이스층상에제1 화합물반도체층을형성하고, 상기제1 화합물반도체층상에제2 화합물반도체층을형성하며, 상기제2 화합물반도체층상에상기제1 및제2 화합물반도체층을교번적층한다. 상기제1 및제2 화합물반도체층은서로다른온도에서형성하며, 상기제1 및제2 화합물반도체층은 III-V족화합물반도체로형성한다.
Abstract translation: 在本发明中公开了III-V缓冲层，其形成方法，包括III-V缓冲层的电子器件及其制造方法。 根据本发明的实施例，形成III-V缓冲层的方法包括以下步骤：在基底上形成基层（曝光层）; 在所述基底层上形成第一化合物半导体层; 在所述第一化合物半导体层上形成第二化合物半导体层; 并且将第一和第二化合物半导体层交替地沉积在第二化合物半导体层上，其中第一和第二化合物半导体层分别在不同的温度下形成，并且第一和第二化合物半导体层形成为III-V族化合物半导体 。
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公开(公告)号：KR1020130061513A
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：KR1020110127862
申请日：2011-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67346 , H01L33/0079
Abstract: PURPOSE: An etching jig and a chemical lift-off apparatus including the same are provided to improve throughput by preventing etching in an unnecessary region. CONSTITUTION: A frame body receives a semiconductor structure(10). An etching hole(121) is formed in an upper part of the frame body. The frame body exposes the upper part of a substrate. A sealing member(150) is arranged in the frame body. The sealing member encapsulates a semiconductor thin film and a support layer.
Abstract translation: 目的：提供一种蚀刻夹具和包括该蚀刻夹具的化学剥离装置，以通过防止在不需要的区域中的蚀刻来提高生产率。 构成：框体接收半导体结构（10）。 蚀刻孔（121）形成在框体的上部。 框架体露出衬底的上部。 密封构件（150）布置在框架体中。 密封构件封装半导体薄膜和支撑层。
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公开(公告)号：KR1020110132136A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100051977
申请日：2010-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/405 , H01L33/641 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting device which uses a connection structure and a manufacturing method thereof are provided to connect each cell through the connection structure of a bridge, thereby providing the light emitting device with a structure in which electrical connections of the cells are integrated. CONSTITUTION: A light emitting area comprises an n-type clad layer(14), an active layer(15), and a p-type clad layer(16). A p-type electrode(17) is arranged on the p-type clad layer. A contact hole is arranged by penetrating the p-type electrode, p-type clad layer, and active layer. A passivation layer(18) is arranged in an inner wall of the contact hole and the surface of the p-type electrode. An n-type electrode(19) is arranged while being touched with the n-type clad layer within the contact hole.
Abstract translation: 目的：提供一种使用连接结构的发光器件及其制造方法，以通过桥接器的连接结构连接每个电池，从而为发光器件提供将电池的电连接集成在一起的结构。 构成：发光区域包括n型覆盖层（14），有源层（15）和p型覆盖层（16）。 p型电极（17）配置在p型覆盖层上。 通过穿透p型电极，p型覆层和有源层布置接触孔。 钝化层（18）布置在接触孔的内壁和p型电极的表面中。 在与接触孔内的n型覆盖层接触的同时，配置n型电极（19）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070070752A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050133598
申请日：2005-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to improve chamber cleaning efficiency by using an in-situ cleaning unit and a remote plasma cleaning unit in a cleaning a chamber. A space for performing a fabricating process is defined in a chamber(10). A chuck(14) is positioned in the lower part of the space to support a substrate. A shower head supplies process gas to the substrate supported by the chuck, positioned in the upper part of the space. The chamber is cleaned by a cleaning member including an in-situ cleaning unit(20) and a remote plasma cleaning unit(30). The in-situ cleaning unit generates plasma from the cleaning gas supplied to the inside of the chamber to clean the chamber. The remote plasma cleaning unit generates plasma outside the chamber and supplies the plasma to the inside of the chamber. The remote plasma cleaning unit can supply plasma from the lateral direction of the chamber to the inside of the chamber horizontally.
Abstract translation: 提供一种用于制造半导体器件的装置，以通过在清洁室中使用原位清洁单元和远程等离子体清洁单元来提高室清洁效率。 在室（10）中限定用于执行制造过程的空间。 卡盘（14）位于空间的下部以支撑基板。 淋浴头将处理气体提供给由卡盘支撑的基板，定位在空间的上部。 腔室由包括原位清洁单元（20）和远程等离子体清洁单元（30）的清洁构件清洁。 原位清洁单元从供应到室内部的清洁气体产生等离子体以清洁室。 远程等离子体清洁单元在室外产生等离子体，并将等离子体供应到室的内部。 远程等离子体清洁单元可以从室的横向方向将水平的水平水平地供应到室的内部。
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公开(公告)号：KR101640830B1
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020090075733
申请日：2009-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 기판구조체및 그제조방법이개시된다. 개시된기판구조체는, 기판의돌출영역상에버퍼층을형성하고, 그상부에반도체층을형성하여, 기판의돌출영역을제외한영역과버퍼층을분리시켜. 기판과접촉하지않는버퍼층상의반도체층은프리스탠딩특성을지니도록함으로써전위및 크랙의발생을방지할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160061615A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020140164129
申请日：2014-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L21/28525 , H01L21/324 , H01L21/76879 , H01L21/76886 , H01L21/76897 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/8258 , H01L29/6659 , H01L29/7834 , H01L29/7842
Abstract: 반도체장치의제조방법에있어서, 반도체기판상에스트레스채널막을형성한다. 스트레스채널막상에 100 oC 내지 600 oC의온도범위에서제1 이온주입공정을수행한다. 스트레스채널막상에게이트구조물을형성한다. 게이트구조물과인접한스트레스채널막의상부에제1 소스-드레인영역을형성한다. 고온이온주입공정에의해스트레스이완현상을방지할수 있다.
Abstract translation: 公开了制造半导体器件的方法。 公开的实施例包括：在半导体衬底上形成应力通道膜; 在100-600℃的温度范围内在应力通道膜上进行第一离子注入工艺，在应力通道膜上形成栅极结构; 以及在与栅极结构相邻的应力通道膜的上部上形成第一源极 - 漏极区域。 该实施例可以通过高温离子注入工艺来防止应力松弛。
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公开(公告)号：KR1020110021406A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020090079189
申请日：2009-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , Y10S977/893 , Y10S977/95
Abstract: PURPOSE: A light emitting apparatus and a manufacturing method thereof are provided to improve the light extraction efficiency by reducing the light absorption of a silicon substrate by comprising a reflective buffer layer including a distributed brag reflection layer. CONSTITUTION: A metallic buffer layer(132) is formed on a silicon substrate(110). A patterned distributed Brag reflector layer(134) is formed on the metallic buffer layer. The metallic buffer layer is patterned in the same pattern as the distributed Bragg reflector layer. An XY material layer(136) is formed on the patterned distributed Bragg reflector layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光装置及其制造方法，通过包括具有分散式吹塑反射层的反射缓冲层，通过降低硅衬底的光吸收来提高光提取效率。 构成：在硅衬底（110）上形成金属缓冲层（132）。 在金属缓冲层上形成图形分布的布拉格反射层（134）。 金属缓冲层以与分布式布拉格反射层相同的图案形成图案。 在图案化分布式布拉格反射层上形成XY材料层（136）。
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公开(公告)号：KR1020110018105A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020090075733
申请日：2009-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A substrate structure and a manufacturing method of the same are provided to prevent Si from being melt-back through Ga by oxidizing the surface of a substrate and a pattern region after forming the pattern region. CONSTITUTION: A substrate structure comprises a substrate(20) and a buffer layer(22) The buffer layer is formed on the substrate by a certain pattern. A buffer layer is supported by a substrate protrusion which is formed after the surface of the substrate is etched. The bottom of a buffer layer which is not contacted with the substrate protrusion is exposed to outside. A nitride semiconductor layer is formed through lateral growth which is rapider vertical growth.
Abstract translation: 目的：提供一种基板结构及其制造方法，用于通过在形成图案区域之后氧化基板的表面和图案区域来防止Si熔化回Ga。 构成：衬底结构包括衬底（20）和缓冲层（22）。缓冲层通过某种图案形成在衬底上。 缓冲层由衬底突出部支撑，该衬底突起在衬底的表面被蚀刻之后形成。 不与基板突起接触的缓冲层的底部暴露于外部。 通过横向生长形成氮化物半导体层，其是纵横向生长。
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