中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

13 records (took 0.021 seconds)

    고체산화물셀용 밀봉재 및 이를 포함하는 고체산화물셀
    4.
    发明公开
    고체산화물셀용 밀봉재 및 이를 포함하는 고체산화물셀 有权
    用于固体氧化物细胞和包含该固体氧化物的固体氧化物细胞的密封材料

    公开(公告)号：KR1020150061283A

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：KR1020130145195

    申请日：2013-11-27

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 제해준 ,  이해원 ,  김병국 ,  손지원 ,  이진호 ,  김효진 ,  윤경중 ,  이종호

    IPC: H01M8/12 ,  H01M8/04

    CPC classification number: H01M8/124 ,  H01M8/04 ,  H01M8/12

    Abstract: 결정화유리기지에세라믹분말충전재를첨가하여밀봉성을향상시킨고체산화물셀용밀봉재및 이를포함하는고체산화물셀을제공한다. 고체산화물셀용밀봉재는 70부피% 내지 90부피%의결정화유리상기지, 및 10부피% 내지 30부피%의산화물충전재를포함한다. 결정화유리상기지는 20mol% 내지 40mol%의 SrO과 5mol% 내지 20mol%의 CaO, 5mol% 내지 15mol%의 BO, 1mol% 내지 5mol%의 ZrO및나머지 SiO를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过在结晶化玻璃基板上添加陶瓷粉末填料而提高密封性的固体氧化物电池用密封材料及其制造方法。 用于固体氧化物电池的密封材料包括70至90体积％的结晶玻璃基底和10至30体积％的氧化物填料。 结晶化玻璃含有20〜40mol％的SrO，5〜20mol％的CaO，5〜15mol％的B_2O_3，1〜5mol％的ZrO_2，剩余的是SiO_2。

    경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법
    5.
    发明授权
    경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법 失效
    경사진기판을이용한양자점어레이형성방법

    公开(公告)号：KR100379617B1

    公开(公告)日：2003-04-10

    申请号：KR1020010015609

    申请日：2001-03-26

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  김효진 ,  김태환

    IPC: H01L29/15

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127

    Abstract: Disclosed is a method of forming a quantum dots array. In the method of the present invention, a structure of wire-like quantum dots with good quality is formed in materials having an inconsistency in the lattice constant on a tilted substrate by using the binding property of atomic bonding due to chemical bonding steps of the tilted substrate, and the spacing of the wire-like quantum dots is varied by using the step width of the tilted substrate which is transformed due to a partial pressure of a source gas and the thickness of a buffer layer. The invention allows materials having an inconsistency in the lattice constant to be freely formed in the form of quantum wires with a growing technique only and accordingly to be used as base materials in use for manufacture of novel concept of optoelectronic devices which have not been obtained so far.

    Abstract translation: 公开了一种形成量子点阵列的方法。 在本发明的方法中，通过使用由于倾斜的化学键合步骤引起的原子键合的键合性质，在倾斜基板上的晶格常数不一致的材料中形成具有良好质量的线状量子点的结构 并且通过使用由于源气体的分压和缓冲层的厚度而变形的倾斜基板的台阶宽度来改变线状量子点的间隔。 本发明允许具有晶格常数不一致的材料仅以增长技术以量子线的形式自由形成，并且因此用作用于制造尚未如此获得的光电子器件的新概念的基材 远。

    경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법
    6.
    发明公开
    경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법 失效
    使用嵌入式基板形成量子点阵列的方法

    公开(公告)号：KR1020020075545A

    公开(公告)日：2002-10-05

    申请号：KR1020010015609

    申请日：2001-03-26

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  김효진 ,  김태환

    IPC: H01L29/15

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a quantum point array using an inclined substrate is provided to arrange materials of which grating constants are largely inconsistent to each other in quantum points as quantum wire of high quality. CONSTITUTION: A substrate which has a constant determined axis and is inclined to the constant determined axis is prepared. A buffer layer of the same quality as the substrate is formed on an upper portion of the substrate by using a chemical vapor deposition method. A material which is largely inconsistent with the substrate in a grating constant grows on the substrate. A quantum wire of high quality is formed by controlling a partial pressure of a source gas and thickness of the buffer layer, and thickness of the material layer in the chemical deposition process of the buffer layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种使用倾斜衬底形成量子点阵列的方法，用于将量子点上光栅常数彼此大体上不一致的材料排列成高品质的量子线。 构成：制备具有恒定的测定轴并倾斜于恒定的测定轴的衬底。 通过使用化学气相沉积法在衬底的上部形成与衬底相同质量的缓冲层。 在光栅常数上与衬底大致不一致的材料在衬底上生长。 通过在缓冲层的化学沉积过程中控制源气体的分压和缓冲层的厚度以及材料层的厚度来形成高质量的量子线。

    평판형 고체산화물 연료전지 스택용 밀봉재 및 이를 이용하는 연료전지 스택
    9.
    发明公开
    평판형 고체산화물 연료전지 스택용 밀봉재 및 이를 이용하는 연료전지 스택 有权
    用于平坦的固体氧化物燃料电池堆叠和燃料电池堆叠的密封复合材料

    公开(公告)号：KR1020150049746A

    公开(公告)日：2015-05-08

    申请号：KR1020130130673

    申请日：2013-10-31

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 제해준 ,  이해원 ,  김병국 ,  손지원 ,  박수병 ,  김효진 ,  윤경중 ,  이종호

    IPC: H01M8/02 ,  H01M8/24

    Abstract: 본발명은평판형고체산화물연료전지용중온복합밀봉재에관한것으로, 본발명의복합밀봉재를이용한연료전지는운전온도 700-850 ℃의중온에서작동시내압축성및 기체밀봉성이우수하고, 결정화가낮아열 특성에따른열화가작으며, 기체누설률열화가발생하지않으므로열 사이클밀봉안정성이높고, 금속접속자와의계면반응이억제되어안정성이우수하다. 본발명의복합밀봉재는장기안정성이우수한평판형고체산화물의제공및 이의상용화를가능케한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于扁平固体氧化物燃料电池堆的中间温度密封复合材料。 使用本发明的密封复合体的燃料电池在工作温度的700〜850℃的中间温度下工作时具有优异的耐压性和气体密封性，并且由于低结晶性而导致的热性能的劣化较小。 此外，本发明提供高热循环密封稳定性，因为不会发生气体泄漏速率的劣化，并且与金属互连器的界面反应被抑制的优异的稳定性。 本发明的密封复合体能够提供具有长期稳定性的平坦的固体氧化物并进行商业化。

    대면적 나노임프린트 방법으로 패턴된 (111) 실리콘 기판위에 Ｖｏｌｍｅｒ―Ｗｅｂｅｒ 방법으로 성장한 ＩｎＧａＡｓ 나노선
    10.
    发明公开
    대면적 나노임프린트 방법으로 패턴된 (111) 실리콘 기판위에 Ｖｏｌｍｅｒ―Ｗｅｂｅｒ 방법으로 성장한 ＩｎＧａＡｓ 나노선 无效
    通过大面积纳米法制作的图形硅（111）衬底上的压电陶瓷生长模式的INGAAS纳米阵列

    公开(公告)号：KR1020130017685A

    公开(公告)日：2013-02-20

    申请号：KR1020110080262

    申请日：2011-08-11

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 최경진 ,  신재철 ,  김재화 ,  김도양 ,  권초롱 ,  김효진

    IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: An InGaAs(indium gallium arsenide) nanowire is provided to have excellent optical/electrical property without misfit dislocation by growing with volmer-weber method on silicon board patterned by a large area nano imprint method. CONSTITUTION: A manufacturing method of an InGaAs nanowire comprises the following steps. SiO2 is deposited on silicon substrate(111). On SiO2 layer, the nano hole pattern is formed. InxGa1-xAs nano array is perpendicularly grown along the form of nano hole pattern. The SiO2 layer is 10-300nm thickened by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The nano hole pattern is formed by the nano imprint lithography method. The nano hole comprises the diameter of 50-500nm and the distance between the holes is 400-1000nm. The InxGa1-xAs nano wire is grown by the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) on the patterned silicon substrate. [Reference numerals] (111) Silicon substrate

    Abstract translation: 目的：通过在大面积纳米压印方法图案化的硅板上采用伏安法进行生长，提供InGaAs（砷化铟镓）纳米线，具有优异的光学/电学性能，无误差位错。 构成：InGaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 SiO 2沉积在硅衬底（111）上。 在SiO2层上形成纳米孔图案。 In x Ga 1-x As纳米阵列沿着纳米孔图案的形式垂直生长。 通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD），SiO 2层增厚10-300nm。 纳米孔图案通过纳米压印光刻法形成。 纳米孔的直径为50-500nm，孔间距为400-1000nm。 InxGa1-xAs纳米线通过金属 - 有机化学气相沉积（MOCVD）在图案化的硅衬底上生长。 （111）硅基板

Patent Agency Ranking