公开(公告)号：WO2022114409A1

公开(公告)日：2022-06-02

申请号：PCT/KR2021/005419

申请日：2021-04-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인산 ,  김기범 ,  남기훈 ,  김성현 ,  양유수

IPC: A61K9/127 ,  A61K9/50 ,  A61K38/16 ,  A61K45/06 ,  A61P35/00

Abstract: 본 발명은 호흡기 세포 융합 바이러스 F 단백질(Respiratory syncytial virus F protein, RSVF)을 발현하는 엑소좀 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명에 따른 호흡기 세포 융합 바이러스 F 단백질을 발현하는 엑소좀은 암세포 특이적으로 막에 융합하여 암세포를 사멸시키며, 종양 특이적으로 축적되어 종양 성장을 억제시키는 바, 암의 예방 또는 치료 용도로 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100767333B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020060046409

申请日：2006-05-24

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 강대환 ,  김인호 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목 ,  김기범

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  G11C13/0004

Abstract: A non-volatile electrical phase-change memory device and a manufacturing method thereof are provided to make a uniform temperature and phase distribution within a phase-change material layer by reducing contact resistance between phase change material and electrode material. A first interlayer dielectric(21), a bottom electrode layer(22), a second interlayer dielectric(23), a phase-change material layer(24) and a top electrode layer(25) are sequentially formed on a silicon substrate(20). A contact hole(23') penetrates the second interlayer dielectric to connect the phase-change material layer with the bottom electrode layer, and is filled with phase change material or bottom electrode material. An interfacial control layer(23") is formed at an interface between the phase change material and the bottom electrode material.

Abstract translation: 提供了一种非易失性电相变存储器件及其制造方法，通过降低相变材料和电极材料之间的接触电阻，使相变材料层内的温度和相位分布均匀。 在硅衬底（20）上依次形成第一层间电介质（21），底电极层（22），第二层间电介质（23），相变材料层（24）和顶电极层（25） ）。 接触孔（23'）穿透第二层间电介质以将相变材料层与底部电极层连接，并填充有相变材料或底部电极材料。 在相变材料和底部电极材料之间的界面处形成界面控制层（23“）。

公开(公告)号：KR100651656B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020040098796

申请日：2004-11-29

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정병기 ,  정증현 ,  강대환 ,  이택성 ,  김인호 ,  이경석 ,  김원목 ,  안동호 ,  김기범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물

Abstract translation: 非易失性相变存储单元技术领域本发明涉及一种非易失性相变存储单元，更具体地涉及具有导电性较高但导热系数小且热稳定性优异的透明导电氧化物半导体材料的非易失性相变存储单元 使用。 根据本发明的存储单元可以有效地应用于降低非易失性相变存储器的数据写入和擦除操作所需的功耗。

公开(公告)号：KR1020060059649A

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020040098796

申请日：2004-11-29

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정병기 ,  정증현 ,  강대환 ,  이택성 ,  김인호 ,  이경석 ,  김원목 ,  안동호 ,  김기범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물

公开(公告)号：KR100937167B1

公开(公告)日：2010-01-15

申请号：KR1020070054762

申请日：2007-06-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  박상현

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 전도층 및 양극산화물질층을 순서대로 형성하는 단계; 상기 양극산화물질층을 양극산화시켜 다수의 나노 포어를 형성하는 단계; 상기 나노 포어 하부에 형성된 상기 양극산화물질층의 산화물을 제거하여, 상기 양극산화물질층의 산화물 하부와 상기 전도층 표면 사이에 형성된 상기 전도층의 산화물을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 전도층의 산화물을 제거하여, 상기 나노 포어 하부에 상기 전도층을 노출시키는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노 포어 하부의 전도층의 산화물만을 선택적으로 제거할 수 있어, 나노 포어 내부에 성장시킨 물질과 하부전극과의 전도성이 우수하게 유지되어, 소자로서 기능성을 향상시킬 수 있다.
나노 구조체, 나노 포어, 양극산화물질층, 전도층, 하부전극, 산화물, 식각용액

公开(公告)号：KR1020090076597A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002636

申请日：2008-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

公开(公告)号：KR100713943B1

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020050086454

申请日：2005-09-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  이태연 ,  안동호 ,  이동복

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공

Abstract translation: 本发明减少了相变层和下部电极的电加热元件，并且此，其获得的高电流密度可以降低到的值，如阈值电流，电压，和通过返回电流和相变存储器件之间的接触面积 旨在提供一种制造方法，本发明的欧姆接触被用于下部电极，并在所述下部电极作为模板的多孔非导电性薄膜，形成由填充形成在多孔绝缘膜作为加热元件或一相变材料用于此目的的孔 它提供了一个相变存储器件和形成在形成于接触层上的欧姆相变层上形成上部电极的制造方法，及层，所述相变层。

公开(公告)号：KR1020060103356A

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：KR1020050025209

申请日：2005-03-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭

IPC: G03F7/00

Abstract: 본 발명은 균일한 분포를 가지는 양자점 박막 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 콜로이드 방법으로 제조한 양자점을 액상 무기감광막 물질에 혼합하고, 이 혼합 물질을 기판에 도포하는 방법으로 양자점 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 양자점 박막은 무기감광막의 특성과 양자점의 특성을 동시에 가지며, 이러한 박막을 이용한 전자소자, 광소자 및 자성소자 제작이 가능하다.
양자점, 콜로이드, 무기 감광막

公开(公告)号：KR1020050075073A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：KR1020040002845

申请日：2004-01-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  윤태식

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0038 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/725 ,  C02F2305/10 ,  D01D5/0015 ,  D06M10/025 ,  D06M11/46

Abstract: 본 발명은 대면적 기판 위에 콜로이드 용액내의 양자점을 다중 딥코팅(dip-coating) 방법을 사용하여 흡착(adsorption)함으로써 양자점의 표면 점유율을 단일층막 수준으로 균일하게 배열하는 방법에 관한 것이다. 또한, 이러한 다중 딥코팅 방법을 사용하여 기판에 균일한 배열을 가지는 양자점 클러스터 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020020094479A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：KR1020010032716

申请日：2001-06-12

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  오지훈 ,  천진우 ,  현택환 ,  윤의준 ,  정용재 ,  허주열

IPC: H01L21/203 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for arraying quantum dots on a substrate are provided to array uniformly the quantum dots on the substrate by using colloid solution with density of nanosphere. CONSTITUTION: A bath(1) is used for storing colloidal solution. The bath(1) is installed in the inside of a storage tank(7). The bath(1) is moved by vibration of a motor(2). A substrate(5) is dipped into the bath(1) when the storage tank(7) is moved to an upper direction. The substrate(5) is drawn from the bath(1) when the storage tank(7) is moved to a lower direction. A motor(2) has a speed range of 0.01 to 0.1 mm/sec. A rotator(3) is installed on a substrate holder in order to an angle of the substrate(5). A heating portion(6) such as a lamp is located beside the bath(1) in order to heat coated solution. A supplier(4) is used for applying an electric field or a magnetic field.

Abstract translation: 目的：提供一种在基板上排列量子点的方法和装置，通过使用纳米球密度的胶体溶液均匀地排列在基板上的量子点。 规定：使用浴（1）保存胶体溶液。 浴（1）安装在储罐（7）的内部。 浴缸（1）通过电动机（2）的振动而移动。 当储存箱（7）向上方移动时，将基板（5）浸入槽（1）中。 当储存罐（7）向下方移动时，基板（5）从槽（1）中被拉出。 电机（2）的转速范围为0.01〜0.1mm / sec。 旋转体（3）以基板（5）的角度安装在基板支架上。 为了加热涂布的溶液，诸如灯的加热部分（6）位于浴（1）旁边。 供应商（4）用于施加电场或磁场。