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公开(公告)号：KR102227078B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140035484A
申请日：2014-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/044
Abstract: 본 발명은 터치 패널로, 본 발명의 일실시예에 따른 터치 패널은 기판, 상기 기판 중 적어도 일부 상에 형성된 산화물층, 전기적으로 서로 분리된 복수의 패턴을 갖고, 상기 산화물층 중 외부에 노출된 노출부를 정의하도록 상기 산화물층 상에 형성된 금속 패턴부, 전기적으로 서로 분리된 복수의 패턴을 갖도록 상기 금속 패턴부 상에 형성된 산화물 패턴부 및 상기 산화물층의 상기 노출부 중 적어도 일부 상에 형성된 광학적 성질 조절 패턴부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2012074247A3
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/KR2011/009060
申请日：2011-11-25
Inventor： 박래만
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 태양 전지 제조 방법 및 이에 의해 제조된 태양 전지를 제공한다. 이 방법은 희생기판 상에 고온의 공정 온도에서 CIGS 광흡수층을 비롯한 여러 층들을 형성한 후에, 간단히 유연 기판을 제 2 전극 상에 부착시킴으로써 간단하게 유연한 태양 전지를 제조할 수 있다. 또한 유연 기판을 부착한 후에 상기 분리막을 레이저나 선택적 습식 식각을 이용하여 제거한다. 이로써, 고효율을 가지면서 유연한 CIGS 태양전지를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170082181A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020160001010
申请日：2016-01-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 기판상에금속환원제를포함하는제 1 용액을도포하여버퍼층을형성하는것, 상기버퍼층상에제 2 용액을도포하는것, 및상기제 2 용액이도포된상기버퍼층상에건조공정을수행하는것을포함하는도전패턴의형성방법을제공하되, 상기금속환원제는제 1 금속을포함하고, 상기제 2 용액은상기제 1 금속과다른제 2 금속의이온을포함하고, 상기건조공정동안상기제 2 금속이온이환원되어상기버퍼층의내부및 표면에금속층이형성될수 있다.
Abstract translation: 该方法包括：将包含金属还原剂的第一溶液施加在基板上以形成缓冲层;在缓冲层上施加第二溶液;以及对施加了第二溶液的缓冲层执行干燥处理 提供形成导电图案的方法，其中所述金属还原剂包含第一金属且所述第二溶液包含不同于所述第一金属的第二金属的离子， 金属层可以形成在缓冲层的内部和表面上。
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公开(公告)号：KR1020160092706A
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020150013423
申请日：2015-01-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박래만
Abstract: 본발명은유-무기하이브리드복합소자에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 기판, 상기기판상에배치된복수개의신축성기둥들을포함하고, 상기기둥들은압전물질, 발광입자들, 및이들을함유하는고분자를포함하는유-무기하이브리드복합소자가제공될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机 - 无机混合复合材料。 根据本发明的实施方案，有机 - 无机混合复合元件包括：基材; 以及设置在基板上的多个可伸缩柱。 支柱包括压电材料，发光颗粒和包括它们的聚合物。 因此，有机 - 无机混合复合元件可以提高发光效率。
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公开(公告)号：KR101358300B1
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020090125467
申请日：2009-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 CIGS 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 그의 방법은 다수개의 돌기들이 노출되는 버퍼층을 형성한다. 이후, 버퍼층의 다수개의 돌기를 따라 울퉁불퉁하게 굴곡되는 상부표면을 갖는 윈도우 전극층을 형성한다. 따라서, 윈도우 전극층의 상부표면을 거칠게 가공하기 위한 별도의 가공처리를 요구하지 않기 때문에 생산성을 향상할 수 있다.
버퍼층, 돌기, 난반사, 윈도우(window), 전극-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120043315A
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR1020100104554
申请日：2010-10-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박래만
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A solar cell which includes a compound semiconductor light absorption layer is provided to improve solar cell efficiency by eliminating a gallium accumulation phenomenon. CONSTITUTION: A rear surface electrode(30) is formed on a substrate. A first light absorption layer(50a) and a second light absorption layer(50b) are laminated on a light absorption layer(52). The first light absorption layer is formed on the rear surface electrode. The second light absorption layer has band gap energy different from the first light absorption layer. A transparent electrode(90) is formed on the light absorption layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括化合物半导体光吸收层的太阳能电池，通过消除镓积聚现象来提高太阳能电池的效率。 构成：在基板上形成背面电极（30）。 第一光吸收层（50a）和第二光吸收层（50b）层叠在光吸收层（52）上。 第一光吸收层形成在后表面电极上。 第二光吸收层具有与第一光吸收层不同的带隙能。 在光吸收层上形成透明电极（90）。
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公开(公告)号：KR1020110019316A
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020100016735
申请日：2010-02-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An apparatus for injecting a beam on user's staring point and an operation method thereof are provided to utilize the beam, scanning user's staring points, as input signals for devices being controlled. CONSTITUTION: An apparatus for injecting a beam on user's staring point comprises a staring point detecting part(100), a beam scanning part(200), and a beam reacting part(300). The staring point detecting part analyzes the movement of user's pupils and senses the user's staring point. The beam scanning parts injects beam on the detected user's staring point. The beam reacting part is arranged in front of a device being controlled so that the injected beam easily arrives from the beam scanning part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于将用户注射光束的装置及其操作方法，以利用光束，扫描用户的起搏点作为被控制设备的输入信号。 构成：用于在使用者的起搏点上注射光束的装置包括起点检测部（100），光束扫描部（200）和光束反应部（300）。 凝视点检测部分分析用户学生的运动并感受用户的凝视点。 光束扫描部分将光束注射到检测到的用户的凝视点上。 光束反应部分被布置在被控制的装置的前面，使得注入的光束容易地从光束扫描部分到达。
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公开(公告)号：KR100968811B1
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080055569
申请日：2008-06-13
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 실리콘 나노와이어 제조방법에 관한 것으로, 초순수를 일정 온도로 설정하고, 상기 초순수에 촉매를 제공하고, 상기 초순수에 실리콘 나노와이어 원료를 제공하고, 그리고 상기 실리콘 나노와이어 원료로부터 실리콘 나노와이어를 성장시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.
실리콘 나노와이어, SMS, APSO-
公开(公告)号：KR100953825B1
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：KR1020070051530
申请日：2007-05-28
Applicant: 한국전자통신연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노구조물의 형성 전후의 원하지 않는 반응을 억제하여 고품질의 금속산화물 나노구조물을 제작할 수 있는 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법은 하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계, 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계, 금속 소스로부터 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 챔버 내로 공급하는 단계, 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 할로겐 램프를 이용하여 금속 소스를 가열하는 단계, 및 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함한다.
금속산화물, 나노구조물, 급속 열증착, 할로겐램프-
公开(公告)号：KR1020090129579A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020080055569
申请日：2008-06-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C01B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon nanowire is provided to produce a silicon nanowire of high quality massively by simple process and to lower the manufacturing cost. CONSTITUTION: A method for manufacturing a silicon nanowire comprises the steps of (110) setting ultrapure water at a certain temperature; (120) providing a catalyst to the ultrapure water; (130) providing a silicon nanowire raw material to the ultrapure water; and (150) growing the silicon nanowire from the silicon nanowire raw material. The certain temperature is within 70°C - 100°C.
Abstract translation: 目的：提供一种制造硅纳米线的方法，通过简单的工艺大量生产高质量的硅纳米线，降低制造成本。 构成：制造硅纳米线的方法包括以下步骤：（110）将超纯水置于一定温度; （120）向超纯水提供催化剂; （130）向超纯水提供硅纳米线原料; 和（150）从硅纳米线原料生长硅纳米线。 一定温度在70℃〜100℃之间。
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