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公开(公告)号：KR1020140082898A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020120152399
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042 , H02J7/35
CPC classification number: Y02E10/542 , H02J7/35 , H01L31/042
Abstract: Disclosed are a photovoltaic energy ultracapacitor and a driving apparatus having the same. The ultracapacitor includes a substrate; a lower electrode layer on the substrate; a dye-sensitized layer on the lower electrode layer; a first electrolyte layer on the dye-sensitized layer; a catalyst layer on the first electrolyte layer; a common electrode layer on the catalyst layer; a first storage layer on the common electrode; and an upper electrode layer on the first storage layer. The catalyst layer and the first storage layer include the same dielectric material.
Abstract translation: 公开了一种光伏能量超级电容器及其驱动装置。 超级电容器包括基板; 基底上的下电极层; 下电极层上的染料敏化层; 染料敏化层上的第一电解质层; 在第一电解质层上的催化剂层; 催化剂层上的公共电极层; 公共电极上的第一存储层; 和第一存储层上的上电极层。 催化剂层和第一储存层包括相同的介电材料。
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公开(公告)号：KR101213228B1
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020090025685
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/205 , H01L31/10
Abstract: 본발명은네가티브광전도특성을갖는게르마늄단결정박막의성장법및 이를이용한광검출기에관한것이다. 본발명에따른게르마늄단결정박막의성장법은감압화학기상증착법(RPCVD)을이용하여, 실리콘기판상에저온에서게르마늄박막을성장시키는단계; 승온시키면서게르마늄박막을성장시키는단계; 및고온에서게르마늄박막을성장시키는단계를포함하며, 본발명에따른 3단계성장법은실리콘기판상에응력이완화되고낮은침투전위밀도를가지면서도표면거칠기가매끄러운우수한특성의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR100987794B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020080131060
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76251
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 제 1 및 제 2 층들, 제 1 및 제 2 층들 사이의 이온 주입층, 및 제 2 층 상에 산화 억제막을 형성하는 것 그리고 열 처리 공정을 수행하여 산화 억제막에 의해 제 2 층의 손실을 억제하며 제 1 및 제 2 층들 사이에 절연층을 형성하는 것을 포함한다.
열 처리 공정, 산화 억제막, 희생막Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在第一和第二层上形成氧化抑制膜，在第一和第二层之间的离子注入层和第二层，并且执行热处理工艺， 并在第一和第二层之间形成绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020100064742A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020080123326
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02532 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/02381 , H01L21/0262
Abstract: PURPOSE: A method for growing a germanium signal crystal thin film with low penetration dislocation density is provided to improve yield by performing a real time thermal process with a reduced pressure chemical vapor deposition method for a short time. CONSTITUTION: A germanium thin film(210) is grown on a silicon substrate(200) at a low temperature. A real time thermal process is performed for a short time. The germanium thin film is grown at a high temperature after the thermal process. In a step of growing the germanium thin film at the low temperature, the thin film with the thickness of 80 to 120 nm is grown under the process pressure of 30 to 80 torr at a deposition temperature of 300 to 500 degrees centigrade.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生长具有低穿透位错密度的锗信号晶体薄膜的方法，以通过在短时间内利用减压化学气相沉积方法进行实时热处理来提高产率。 构成：在低温下在硅衬底（200）上生长锗薄膜（210）。 实时热处理在短时间内进行。 锗薄膜在热处理后在高温下生长。 在低温下生长锗薄膜的步骤中，在300至500摄氏度的沉积温度下，在30至80托的工艺压力下生长厚度为80至120nm的薄膜。
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公开(公告)号：KR1020090062483A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070129770
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원 , 전북대학교산학협력단
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/10 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: A photo detecting device and a method for forming the same are provided to maximize an optical absorption rate by interposing a multi quantum well layer between a first intrinsic semiconductor layer and a second intrinsic semiconductor. A device isolation pattern(102) limiting an active area is arranged in a semiconductor substrate(100). A first doped semiconductor layer(105) with a recessed area(112) is arranged in the active area. A first intrinsic semiconductor layer(115) is arranged in the recessed area. A multiple quantum well(120) is arranged in the upper part of the first intrinsic semiconductor layer and the recessed area. A second intrinsic semiconductor layer is arranged in the upper part of the multiple quantum well layer. A second doped semiconductor layer(130) is arranged in the upper part of the second intrinsic semiconductor layer. The first doped semiconductor layer and the second doped semiconductor layer are doped with the different type dopants.
Abstract translation: 提供一种光检测装置及其形成方法，以通过在第一本征半导体层和第二本征半导体之间插入多量子阱层来最大化光吸收率。 在半导体衬底（100）中布置限制有源区的器件隔离图案（102）。 具有凹陷区域（112）的第一掺杂半导体层（105）布置在有源区域中。 第一本征半导体层（115）布置在凹陷区域中。 多量子阱（120）布置在第一本征半导体层的上部和凹陷区域中。 第二本征半导体层布置在多量子阱层的上部。 第二掺杂半导体层（130）布置在第二本征半导体层的上部。 第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层掺杂有不同类型的掺杂剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100701122B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050053053
申请日：2005-06-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/124
Abstract: 본 발명의 광 헤드는 빔을 내보내는 송광 소자와, 기판 상에 형성되어 있고, 상기 송광 소자에서 발진된 빔이 전파되는 평면 도파로를 포함한다. 본 발명은 상기 평면 도파로의 일부 표면 상에 박막 형태로 집적되어 있고, 상기 평면 도파로를 통하여 전달된 빔을 받아 상기 평면 도파로 상부에 위치하는 디스크를 향하여 수직으로 보내거나, 상기 디스크에서 반사되는 빔을 다시 평면 도파로를 통하여 보내는 빔 입출사 커플러와, 상기 빔 입출사 커플러를 통하여 상기 평면 도파로로 전파하는 빔을 받는 수광소자를 포함한다. 상기 빔 입출사 커플러는 누설 모드 방향 커플러, 홀로그램 빔 회절기 및 편광 빔 스플리터를 포함하여 구성된다. 본 발명의 상기 빔 입출사 커플러는 평면 도파로 상에 박막 형태로 집적되어 상기 광헤드의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100593690B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020030097062
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J4/04
Abstract: 본 발명은 집적 광 픽업 헤드(integrated optical pickup head, IOPH)를 광 자기 헤드로 구현하기 위해 필요한 Kerr 각도 측정 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 Kerr 측정 모듈은 포토 다이오드, 홀로그래픽(holographic) 입력 커플러, 홀로그래픽 편광빔 분리기, 프리즘 등으로 구성되며, 실리카 기판으로 만들어진 광 도파로 격자렌즈(Focusing waveguide grating coupler)와 결합되어 광 자기 디스크로부터 반사되는 빔의 회전된 편광각을 검출하는 기능을 갖는다. 디스크에 반사된 빔은 격자렌즈에 의해 도파로를 따라 커플링되지만, 그 중 일부는 커플링되지 않고 실리카 기판을 투과하여 입력 커플러로 입사한다. 홀로그래픽 격자로 이루어진 입력 커플러는 홀로그래픽 편광빔 분리기의 빔 입사각을 만든다. 입력 커플러에 의해 회절된 빔 중 p 파는 편광빔 분리기를 투과하고(0차 회절), s 파는 브래그(Bragg) 조건을 만족하는 각도로 회절(1차 회절)한다. 편광 분리된 두 빔은 프리즘을 투과하여 분리되고, 공간적으로 분리된 빔은 포토 다이오드에 의해 각각의 파워가 검출된다.
격자렌즈, 입력 커플러, 편광빔 분리기, 회절격자, 홀로그래픽Abstract translation: 本发明涉及实现具有磁光头的集成光学拾取头（IOPH）所需的克尔角测量模块。 本发明的克尔测量装置是一个光电二极管，全息（全息）输入耦合器，全息偏振光束分离器，由棱镜或类似的，在与光学波导光栅透镜组合（聚焦波导光栅耦合器）制成的二氧化硅基体磁光盘的 以及检测从光束反射的光束的旋转偏振角的功能。 光盘上的反射光束通过光栅透镜沿波导耦合，但其中一些透过硅衬底而不耦合并进入输入耦合器。 由全息光栅组成的输入耦合器产生全息偏振分束器的光束入射角。 通过在满足布拉格（布拉格）条件（第一衍射）的角度通过偏振分束器传输的输入耦合器P波，和（零阶衍射）中，s波衍射光束的衍射。 由偏振光分开的两个光束被棱镜透射并分开，并且由光电二极管检测空间分离的光束。
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公开(公告)号：KR1020060067082A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050028368
申请日：2005-04-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5227
Abstract: 본 발명은 집적형 인덕터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판, 산화막 및 활성층이 적층되어 형성되는 SOI 웨이퍼와, 상기 SOI 웨이퍼 상부의 소정영역에 형성되는 제1 금속배선과, 상기 제1 금속배선과 전기적으로 연결되는 제2 금속배선과, 상기 제1 및 제2 금속배선이 일정간격으로 이격되도록 그 사이의 영역에 형성되는 제1 층간절연막을 포함함으로써, 충실도(Quality factor; Q)를 향상시키고, 최대 충실도(Q)가 발생하는 주파수를 임의의 대역으로 조정할 수 있을 뿐만 아니라 기판으로의 누설전류를 방지하고 인덕터 내부의 발열을 억제할 수 있는 효과가 있다.
집적형 인덕터, SOI, 제1 및 2 금속배선, 층간절연막, 인덕턴스, 캐패시턴스, 충실도, 비아 홀-
公开(公告)号：KR1020160025682A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140112400
申请日：2014-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 서동우
CPC classification number: H01L29/068 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02653 , H01L29/0676 , H01L29/165 , H01L29/861 , H01L31/035227 , H01L31/102 , H01L31/109 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은나노와이어구조체를포함하는반도체소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른반도체소자는, 나노와이어를이루는코어와쉘간의엇물린이종접합에의하여, 인위적인불순물도핑없이도상기코어는도핑효과를가질수 있다. 따라서, 수직형나노와이어에있어서불순물도핑으로발생하는불순물응리내지불균일한도핑분포의문제점들을해소할수 있다. 나아가, 상기반도체소자는상기나노와이어를포함함으로써, 전하의전송속도가향상되고소자의전류밀도가증가될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括纳米线结构的半导体器件及其制造方法。 根据本发明的半导体器件，通过芯与形成纳米线的外壳之间的不同接合，芯可以具有掺杂效果而不掺杂人造杂质。 因此，可以通过对垂直的纳米线掺杂杂质来解决与不均匀的掺杂分布和杂质偏析相关的问题。 此外，半导体器件包括纳米线，从而提高电荷转移速度并增加器件中的电流密度。
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