公开(公告)号：JP2015092641A

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：JP2015028988

申请日：2015-02-17

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  SOLOMON ASSEFA ,  KIM JEEHWAN ,  YURII VLASOV

IPC: H01L31/10

Abstract: 【課題】光検出デバイスを形成するための方法を提供する。【解決手段】光検出デバイスを形成するための方法が、基板上にゲルマニウム(Ge)層を形成することと、Ge層上に第1の絶縁体層を形成することと、Ge層内にn型イオンを注入することと、Ge層内のn型イオンを活性化させて単結晶n型Ge層を形成することと、第1の絶縁体層をパターン化して単結晶n型Ge層の露出部分を形成することと、単結晶n型Ge層の露出部分にゲルマニウム化物領域を形成することと、ゲルマニウム化物領域に電気的に接続された電極を形成することと、を含む。【選択図】図5

公开(公告)号：DE102016104446B4

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE102016104446

申请日：2016-03-11

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL P ,  FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L29/20 ,  H01L29/772

Abstract: Halbleiter-Einheit, die aufweist:ein Substrat (42);eine p-dotierte Schicht (44), die ein dotiertes III-V-Material beinhaltet, auf dem Substrat;ein Material vom n-Typ (46), das auf oder in der p-dotierten Schicht (44) ausgebildet ist, wobei das Material vom n-Typ ein dotiertes III-V-Material beinhaltet; undeinen Kontakt (66), der auf dem Material vom n-Typ (46) ausgebildet ist und eine Zwischenschicht (48), die aus ZnO gebildet ist, sowie einen Teilbereich (51) aus Aluminium beinhaltet, der in direktem Kontakt zu dem ZnO der Zwischenschicht (48) ausgebildet ist, um eine elektronische Einheit zu bilden, wobei die Zwischenschicht (48) und der Teilbereich (51) aus Aluminium zusammen strukturiert werden, um den Kontakt zu bilden.

公开(公告)号：DE102016104502A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102016104502

申请日：2016-03-11

Applicant: IBM

Inventor： KIM JEEHWAN ,  LEE YUN SEOG ,  GERSHON TALIA S

IPC: H01L31/18 ,  C01B19/00 ,  H01L21/36 ,  H01L31/032

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Einheit beinhaltet ein Bilden eines zweidimensionalen Materials auf einem ersten monokristallinen Substrat. Über dem ersten monokristallinen Substrat wird eine einkristalline Absorber-Schicht aufgewachsen, die Cu-Zn-Sn-S(Se) (CZTSSe) beinhaltet. Die einkristalline Absorber-Schicht wird von dem zweidimensionalen Material exfoliert. Die einkristalline Absorber-Schicht wird auf ein zweites Substrat transferiert, und die einkristalline Absorber-Schicht wird auf einer leitfähigen Schicht platziert, die auf dem zweiten Substrat ausgebildet ist. Auf der einkristallinen Absorber-Schicht werden weitere Schichten gebildet, um die photovoltaische Einheit fertigzustellen.

公开(公告)号：DE112012001058T5

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE112012001058

申请日：2012-01-26

Applicant: IBM

Inventor： GUNAWAN OKI ,  MITZI DAVID B ,  SADANA DEVENDRA K ,  KIM JEEHWAN ,  DOROV TEODOR K

IPC: H01L31/0256

Abstract: Eine photosensitive Einheit und ein Verfahren umfassen eine obere Zelle (102), welche eine n-leitende Schicht, eine p-leitende Schicht und dazwischen eine obere eigenleitende Schicht aufweist. Eine untere Zelle (104) weist eine n-leitende Schicht, eine p-leitende Schicht und dazwischen eine untere eigenleitende Schicht auf. Die untere eigenleitende Schicht weist ein Cu-Zn-Sn-haltiges Chalkogenid (116) auf.

公开(公告)号：DE112012003625T5

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE112012003625

申请日：2012-08-29

Applicant: IBM

Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  JUNG WOO-SHIK ,  DEVENDRA SADANA K ,  KIM JEEHWAN ,  NAH JAE-WOONG

IPC: H01L51/40

Abstract: Es werden Halbkugeln (18) und Kugeln (28) gebildet und für eine Vielzahl von Anwendungen verwendet. Halbkugeln (18) werden verwendet, um ein Substrat zu bilden, welches eine obere Fläche und eine untere Fläche (12) aufweist. Die obere Fläche umfasst Spitzen von Säulen (10), welche einen Boden aufweisen, der an der unteren Fläche angebracht ist. Die Spitzen weisen eine Dichte auf, die an der oberen Fläche durch ein Feld von halbkugelförmigen Metallstrukturen (18) definiert ist, welche während eines Ätzverfahrens zum Entfernen von Substratmaterial herunter bis zu der unteren Fläche während des Bildens der Säulen als Maske fungieren. Die Säulen sind dicht und gleichmäßig und weisen einen mittleren Durchmesser im Mikromaßstab auf. Die Kugeln werden als unabhängige Metallkugeln oder Nanoteilchen für andere Anwendungen gebildet.

公开(公告)号：DE112012002564T5

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE112012002564

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  TULEVSKI GEORGE S ,  CHANDRA BHUPESH ,  SADANA DEVENDRA K ,  KIM JEEHWAN

IPC: H01L31/00

Abstract: Eine photovoltaische Einheit und ein Verfahren beinhalten einen photovoltaischen Stapel mit einer n-dotierten Schicht (112), einer p-dotierten Schicht (108) und einer intrinsischen Schicht (110). Eine transparente Elektrode (104) ist auf dem photovoltaischen Stapel ausgebildet und beinhaltet eine Schicht (105) auf der Grundlage von Kohlenstoff und eine Schicht (107) aus einem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit. Die Schicht aus dem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit ist an einer Grenzfläche zwischen der Schicht auf der Grundlage von Kohlenstoff und der p-dotierten Schicht derart angeordnet, dass die Schicht aus dem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit einen Kontakt mit verringerter Barriere bildet und lichtdurchlässig ist.

公开(公告)号：DE102012217500A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102012217500

申请日：2012-09-27

Applicant: IBM

Inventor： CHAE YOUNG T ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  LEE YOUNG M ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/058 ,  H01L31/075

Abstract: Der elektrische Wirkungsgrad eines Photovoltaik-Thermie-Systems kann bei einer Verschlechterung aufgrund von Lichteinwirkung durch Tempern einer Photovoltaik-Thermie-Zelle bei einer erhöhten Temperatur wiederhergestellt werden. Die erhöhte Temperatur an der Photovoltaik-Thermie-Zelle kann durch Umleiten des Flusses eines Wärmeaustauschfluids bereitgestellt werden, um eine Wärmetauschereinheit zu umgehen. Eine Kesseleinheit kann eingesetzt werden, um eine zusätzliche Erwärmung des Wärmeaustauschfluids während der Temperung bereitzustellen. Des Weiteren kann eine Abdeckung mit variabler Anordnung über einer Vorderfläche der Photovoltaik-Thermie-Zelle bereitgestellt werden, um eine Belüftung über der Vorderfläche zu steuern. Während des Temperns kann die Position der Abdeckung mit variabler Anordnung so eingestellt werden, dass Wärme über der Vorderfläche eingefangen wird und die Tempertemperatur weiter erhöht wird.

公开(公告)号：DE102012210875A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102012210875

申请日：2012-06-26

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: Eine Photovoltaikeinheit und ein Verfahren beinhalten Bilden einer Vielzahl von Säulenstrukturen in einem Substrat, Bilden einer ersten Elektrodenschicht auf den Säulenstrukturen und Bilden eines durchgehenden Photovoltaikstapels einschließlich einer n-leitenden Schicht, einer p-leitenden Schicht und einer intrinsischen Schicht auf der ersten Elektrode. Eine zweite Elektrodenschicht wird über dem Photovoltaikstapel abgeschieden, so dass in der zweiten Elektrodenschicht zwischen den Säulenstrukturen Lücken oder Spalten auftreten. Die zweite Elektrodenschicht wird nass geätzt um die Lücken und Spalten zu öffnen und die zweite Elektrodenschicht zu reduzieren, um eine dreidimensionale Elektrode mit im Wesentlichen gleichmäßiger Dicke über dem 3D-Photovoltaikstapel zu bilden.

公开(公告)号：DE102016204362B4

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：DE102016204362

申请日：2016-03-16

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Einheit, das aufweist:Bereitstellen einer Struktur einer lichtemittierenden Diode (LED) (5), die sich auf einem lichtdurchlässigen Substrat (10) befindet;Bilden einer metallhaltigen Schicht (15) auf einer Oberfläche des lichtdurchlässigen Substrats;Tempern der metallhaltigen Schicht, um eine Mehrzahl von Metallpartikeln (P1, 20) bereitzustellen;Ätzen freiliegender Teile des lichtdurchlässigen Substrats unter Verwendung der Mehrzahl von Metallpartikeln als Ätzmaske, um eine strukturierte Oberfläche mit einer Mehrzahl von Merkmalen (30) zu bilden, die in der Abmessung vergleichbar sind mit einer Wellenlänge von Licht, das von der LED-Struktur erzeugt wird; undEntfernen der Mehrzahl von Metallpartikeln,wobei die LED-Struktur ein lichtemittierendes aktives Element einer organischen lichtemittierenden Diode (OLED) aufweist,wobei das lichtemittierende aktive Element der OLED aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Polyacetylenen (PA), Polyanilinen (PANI), Polypyrrolen (PPy), Polythiophenen (PT), Poly-para-phenylenen (PPP), Poly-para-phenylen-vinylenen (PPV), Oligoacenen, Oligothiophenen, Triarylaminen, Oligo-para-phenylenen, N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin (C44H32N2) (NPB), 2-TNATA,4,4',4"-Tris-(N-naphthylen-2-yl)-N-phenylamin)triphenylamin (C66H48N4) (TNATA), Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amin (C54H36N4) (TCTA), 1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]-benzen (TDAPB), TDATA, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Al(C9H6NO)3), (Alq3), Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminium (C32H25AlN2O3) (Balq), 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (C36H24N2) (CBP) und Kombinationen davon besteht, undwobei die metallhaltige Schicht Sn, Pb, Sb, Bi oder Kombinationen davon aufweist.

公开(公告)号：DE112012001058B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112012001058

申请日：2012-01-26

Applicant: IBM

Inventor： GUNAWAN OKI ,  KIM JEEHWAN ,  MITZI DAVID B ,  SADANA DEVENDRA K ,  DOROV TEODOR K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0749

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Tandem-Photovoltaikeinheit, aufweisend:Bilden einer unteren Zelle (104) auf einem Substrat (122), wobei die untere Zelle (104) eine n-leitende Schicht (114), eine p-leitende Schicht (120) und dazwischen eine untere eigenleitende Schicht (116) aufweist, wobei die p-leitende Schicht (120) derart bereitgestellt wird, dass sie als eine Molybdän-Schicht ausgebildet ist und wobei die Dicke dieser Molybdän-Schicht größer als die Dicke der n-leitenden Schicht (114) ist,Anwenden von Wasserstoffplasma auf der n-leitenden Schicht (114) zur Erhöhung der Kristallinität einer auf der n-leitenden Schicht (114) anwachsenden p-leitenden Schicht (112) einer oberen Zelle (102),Bilden einer oberen Zelle (102) über der unteren Zelle (104), um eine Tandemzelle (100) zu bilden, wobei die obere Zelle (102) eine n-leitende Schicht (106), eine p-leitende Schicht (112) und dazwischen eine obere eigenleitende Schicht (110) aufweist, undBilden einer transparenten Elektrode (108) auf der n-leitenden Schicht (106) der oberen Zelle (102),wobei die untere eigenleitende Schicht (116) eine Cu-Zn-Sn-haltige Chalkogenidverbindung aufweist mit einer Kesteritstruktur der Formel CuZnSn(SSe), wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1; -1 ≤ q ≤ 1, wobei z so gesteuert wird, dass eine Bandlücke der unteren Zelle (104) so eingestellt wird, dass sie kleiner als eine Bandlücke der oberen Zelle (102) ist und wobei die Dicke der eigenleitenden Schicht (116) zwischen 0,2 und 4,0 µm liegt.