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公开(公告)号：WO2014049154A3
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/EP2013070280
申请日：2013-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , NAGEL PETER
CPC classification number: H05B33/083 , H01L23/34 , H01L25/162 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/15 , H01L29/866 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H05B33/089 , H01L2924/00
Abstract: The invention relates to a method for producing an optoelectronic component and to an optoelectronic component having at least one first carrier (1) with at least two light-emitting diodes (2) and/or having two first carriers each with one light-emitting diode (2), wherein each diode (2) has two electrical connections (4, 5), wherein each electrical connection (4, 5) is routed to a contact area (7, 8), wherein the contact areas (7, 8) are arranged on an underside (6) of a first carrier (1), having a second carrier (9), wherein at least two zener diodes (10) are arranged in the second carrier (9), wherein the zener diodes (10) have further electrical connections (11, 12), wherein each further electrical connection (11, 12) is routed to a further contact area (13, 14), wherein the further contact areas (13, 14) are arranged on a top side (16) of the second carrier (9), wherein the underside (6) of the first carrier(s) (1) rests on the top side (16) of the second carrier (9) and the first carrier(s) is/are permanently connected to the second carrier (9), wherein the zener diodes (10) are arranged back-to-back in parallel with the diodes (2), wherein an electrical line (15) which connects the zener diodes (10) in a series circuit is provided, and wherein the contact areas (7, 8) of a diode (2) are electrically in contact with the further contact areas (13, 14) of a zener diode (10).
Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造光电子组件和具有至少一个第一支承件（1）的光电元件发射的至少两个发光二极管（2）和/或在每种情况下发射的两个第一源的发光二极管（2），每个 二极管（2）具有两个电连接（4,5），其中每个电连接器（4,5）的接触表面（7,8）被引导，其中，所述接触表面（7,8）上的下侧（6）的第一的 已经支架（1）被布置，具有第二支撑体（9），其中，至少两个Z二极管（10）被布置在所述第二支撑体（9），其中所述Z-二极管（10）进一步的电端子（11，12） ，其中每个进一步的电连接（11，12），以进一步接触表面（13，14）被引导，所述第二载体（9）的上表面（16）进一步接触表面（13,14）被布置，其中，所述第一 载体（1）和/或所述ERS 休息日载体（1）与所述第二载体（9）的顶部（16）的底面（6）和与所述第二载体（9），固定地连接，其中所述Z-二极管（10），反平行于二极管（2 ）被布置，其中，提供了一种电线（15），其在串联电路中连接所述齐纳二极管（10），并且其中所述接触表面（7,8）的二极管（2）与其他的接触表面（13，14） 一个齐纳二极管（10）电接触。
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公开(公告)号：DE102018127521A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：DE102018127521
申请日：2018-11-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TÅNGRING IVAR , NAGEL PETER
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich, einem Wellenlängenkonversionselement umfassend einen Konversionsbereich und einen Opferbereich und einem Formkörper, in den der Halbleiterkörper und das Wellenlängenkonversionselement zumindest teilweise eingebettet sind und der zumindest stellenweise direkt an den Halbleiterkörper und das Wellenlängenkonversionselement angrenzt angegeben. Der Konversionsbereich ist dazu eingerichtet zumindest einen Teil der in dem aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu einer elektromagnetischen Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs zu konvertieren. Der Konversionsbereich ist zwischen dem Opferbereich und dem Halbleiterkörper angeordnet. Der Opferbereich ist für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und die elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs durchlässig. Der Formkörper und der Opferbereich weisen Spuren eines Abtragungsprozesses auf, und der Formkörper ist als Reflektor für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und für die elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs ausgebildet. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102017131110A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：DE102017131110
申请日：2017-12-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： NAGEL PETER , GEBUHR TOBIAS
IPC: H01L21/56 , B29C39/10 , H01L25/075 , H01L33/52
Abstract: Es wird ein Formwerkzeug und ein Verfahren zum Einbetten von optoelektronischen Bauelementen in eine Schicht vorgeschlagen, wobei die Bauelemente nebeneinander mit Abständen auf einem Träger angeordnet sind, wobei ein Formwerkzeug mit einer Auflageplatte vorgesehen ist, wobei die Auflageplatte auf einer Unterseite federnde Auflagebereiche aufweist, wobei die Auflageplatte mit den federnden Auflagebereichen auf Oberseiten der Bauelemente aufgelegt wird, wobei ein Zwischenraum zwischen den Bauelementen, dem Träger und der Auflageplatte mit einem Formmaterial aufgefüllt wird, wobei das Formmaterial zu der Schicht ausgehärtet wird, und wobei das Formwerkzeug von der Schicht und den eingebetteten Bauelementen entfernt wird.
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4.发明专利
公开(公告)号：DE102018104381A1
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：DE102018104381
申请日：2018-02-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： NAGEL PETER , REINGRUBER KLAUS , BRANTL SIMONE , WAGNER KONRAD , MÜLLER RALF
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (1, 2, 3) weist einen Träger (4), eine optoelektronische Anordnung (6) und ein Vergussmaterial (21) auf. Die optoelektronische Anordnung (6) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (7). Die optoelektronische Anordnung (6) ist über einer Oberseite (5) des Trägers (4) angeordnet. Das Vergussmaterial (21) ist derart über der Oberseite (5) des Trägers (4) angeordnet, dass die optoelektronische Anordnung (6) in das Vergussmaterial (21) eingebettet ist. Eine Strahlungsemissionsfläche (14) der optoelektronischen Anordnung (6) ist nicht von dem Vergussmaterial (21) bedeckt. Eine Oberfläche (22) des Vergussmaterials (21) ist in Bezug auf die Oberseite (5) des Trägers (4) oberhalb der Strahlungsemissionsfläche (14) ausgebildet.
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公开(公告)号：DE102012217932A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：DE102012217932
申请日：2012-10-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： NAGEL PETER , ILLEK STEFAN
IPC: H01L23/60 , H01L25/16 , H01L29/866 , H01L33/00
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und ein optoelektronisches Bauelement mit wenigstens einem ersten Träger (1) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden (2) und/oder mit zwei ersten Trägern mit jeweils einer Licht emittierenden Diode (2), wobei jede Diode (2) zwei elektrische Anschlüsse (4, 5) aufweist, wobei jeder elektrische Anschluss (4, 5) zu einer Kontaktfläche (7, 8) geführt ist, wobei die Kontaktflächen (7, 8) auf einer Unterseite (6) eines ersten Träger (1) angeordnet sind, mit einem zweiten Träger (9), wobei im zweiten Träger (9) wenigstens zwei Z-Dioden (10) angeordnet sind, wobei die Z-Dioden (10) weitere elektrische Anschlüsse (11, 12) aufweisen, wobei jeder weitere elektrische Anschluss (11, 12) zu einer weiteren Kontaktfläche (13, 14) geführt ist, wobei die weiteren Kontaktflächen (13, 14) auf einer Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) angeordnet sind, wobei der erste Träger (1) und/oder die ersten Träger (1) mit der Unterseite (6) auf der Oberseite (16) des zweiten Träger (9) aufliegen und mit dem zweiten Träger (9) fest verbunden sind, wobei die Z-Dioden (10) antiparallel zu den Dioden (2) angeordnet sind, wobei eine elektrische Leitung (15) vorgesehen ist, die die Z-Dioden (10) in einer Serienschaltung verbindet, und wobei die Kontaktflächen (7, 8) einer Diode (2) mit den weiteren Kontaktflächen (13, 14) einer Z-Diode (10) elektrisch in Kontakt stehen.
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Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：DE102017131110B4
公开(公告)日：2025-01-02
申请号：DE102017131110
申请日：2017-12-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： NAGEL PETER , GEBUHR TOBIAS
IPC: H01L21/56 , B29C39/10 , H10H20/852 , H10H29/24
Abstract: Verfahren zum Einbetten von optoelektronischen Bauelementen in eine Schicht, wobei die Bauelemente nebeneinander mit Abständen auf einem Träger angeordnet sind, wobei ein Formwerkzeug mit einer Auflageplatte vorgesehen ist, wobei die Auflageplatte auf einer Unterseite federnde Auflagebereiche aufweist, wobei die Auflageplatte mit den federnden Auflagebereichen auf Oberseiten der Bauelemente aufgelegt wird, wobei ein Zwischenraum zwischen den Bauelementen, dem Träger und der Auflageplatte mit einem Formmaterial aufgefüllt wird, wobei das Formmaterial zu der Schicht ausgehärtet wird, und wobei das Formwerkzeug von der Schicht und den eingebetteten Bauelementen entfernt wird, wobei das Formwerkzeug eine Druckplatte aufweist, wobei die Druckplatte auf einer Unterseite Auflageelemente aufweist, wobei die Auflageelemente voneinander beabstandet sind, wobei die Druckplatte mit den Auflageelementen auf einer Oberseite der Auflageplatte aufliegt, wobei die Druckplatte mit den Auflageelementen die Auflageplatte beim Einfüllen des Formmaterials in den Zwischenraum gegen die Bauelemente drückt.
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公开(公告)号：DE102013104954A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：DE102013104954
申请日：2013-05-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： NAGEL PETER , ILLEK STEFAN , STRASSBURG MARTIN
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Halbleiter-Schichtstruktur die eine erste leuchtaktive Schicht und eine zweite leuchtaktive Schicht aufweist. Zwischen der ersten leuchtaktiven Schicht und der zweiten leuchtaktiven Schicht ist ein erster Tunnelübergang ausgebildet. Zwischen der ersten leuchtaktiven Schicht und dem ersten Tunnelübergang ist ein erster Bragg-Spiegel ausgebildet. Zwischen der zweiten leuchtaktiven Schicht und dem ersten Tunnelübergang ist ein zweiter Bragg-Spiegel ausgebildet.
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公开(公告)号：DE102014100772B4
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：DE102014100772
申请日：2014-01-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ , MOOSBURGER JÜRGEN , PLÖSSL ANDREAS , RODE PATRICK , NAGEL PETER , SCHOLZ DOMINIK
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) mit den Schritten:a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (16);b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips (10) einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers (12) angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist;c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips (10) auf dem Hilfsträger (16), wobei die Halbleiterchips (10) in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper (4) vom Trägerkörper (12) aus gesehen dem Hilfsträger (16) zugewandt sind;d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern (4) benachbarter Halbleiterchips (10);e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20), der zumindest bereichsweise zwischen den Trägerkörpern (12) benachbarter Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die Oberseiten (22) der Trägerkörper (12) einen geringeren Abstand vom Hilfsträger (16) aufweisen als der Gehäusekörperverbund (20);f) Entfernen des Hilfsträgers (16); undg) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (20) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (10), einen Teil der Streuschicht (18) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (20) als Gehäusekörper (34) aufweist.
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公开(公告)号：DE102012217932B4
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：DE102012217932
申请日：2012-10-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： NAGEL PETER , ILLEK STEFAN
IPC: H01L23/60 , H01L25/16 , H01L29/866 , H01L33/00
Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit wenigstens einem ersten Träger (1) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden (2), wobei jede Diode (2) zwei elektrische Anschlüsse (4, 5) aufweist, wobei jeder elektrische Anschluss (4, 5) zu einer Kontaktfläche (7, 8) geführt ist, wobei die Kontaktflächen (7, 8) auf einer Unterseite (6) des ersten Trägers (1) angeordnet sind, mit einem zweiten Träger (9), wobei im zweiten Träger (9) wenigstens zwei Z-Dioden (10) angeordnet sind, wobei die Z-Dioden (10) weitere elektrische Anschlüsse (11, 12) aufweisen, wobei jeder weitere elektrische Anschluss (11, 12) zu einer weiteren Kontaktfläche (13, 14) geführt ist, wobei die weiteren Kontaktflächen (13,14) auf einer Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) angeordnet sind, wobei der erste Träger (1) mit der Unterseite (6) auf der Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) aufliegt und mit dem zweiten Träger (9) fest verbunden ist, wobei die Z-Dioden (10) antiparallel zu den Dioden (2) angeordnet sind, wobei die Kontaktflächen (7, 8) einer Diode (2) mit den weiteren Kontaktflächen (13, 14) einer Z-Diode (10) elektrisch in Kontakt stehen, wobei die Z-Dioden (10) elektrisch in Serie geschaltet sind, und wobei die Dioden (2) elektrisch in Serie geschaltet sind, wobei die weiteren Anschlüsse (13, 14) der wenigstens zwei Z-Dioden (10) voneinander isoliert sind und eine elektrisch leitende Verbindung der zwei Z-Dioden (10) über eine elektrische Leitung (15) hergestellt ist, wobei die elektrische Leitung (15) auf oder im ersten Träger (1) ausgebildet ist.
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10.发明专利
公开(公告)号：DE102017104859A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：DE102017104859
申请日：2017-03-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL , KÜHNELT MICHAEL , REITH ANDREAS , NAGEL PETER
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Halbleiterbauelement (11) angegeben mit den aufeinander folgenden Schritten:- Bereitstellen von mindestens einem Halbleiterchip (1) umfassend:- ein Chipsubstrat (2)- eine auf dem Chipsubstrat (2) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (3),- eine erste Hauptfläche (1A) und eine der ersten Hauptfläche (1A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (1B),- mindestens eine Seitenfläche (1C), die quer zu der ersten und zweiten Hauptfläche (1A, 1B) angeordnet ist,wobei der Halbleiterchip (1) an der Seitenfläche (1C) Spuren (8) einer Vereinzelung aufweist,- Bereitstellen eines Trägers (9) mit einer Montagefläche (9A),- Montage des mindestens einen Halbleiterchips (1) auf dem Träger (9), wobei die erste Hauptfläche (1A) des mindestens einen Halbleiterchips (1) mit der Montagefläche (9A) des Trägers (9) verbunden wird,- Ätzen des Halbleiterchips (1) an der Seitenfläche (1C).Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement (11) angegeben, das mit einem derartigen Verfahren hergestellt werden kann.
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