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公开(公告)号：KR100726167B1
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020050037899
申请日：2005-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B1/22
Abstract: 본 발명은 티올로 안정화된 금 나노입자를 이용한 투명 전극의 제조 방법 및 이로부터 얻은 투명 전극에 관한 것으로서, 상기 투명 전극의 제조 방법은 티올로 안정화된 금 나노입자를 유기 용매중에 분산시키는 단계; 상기 금 나노입자 분산액을 기판위에 스핀 코팅하는 단계; 및 상기 금 나노입자 분산액이 코팅된 기판을 저온에서 소결시켜 도전성 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조방법을 통해 얻은 투명 전극은 저온 및 용액 기반하에 형성될 수 있으며, 우수한 투명성과 낮은 면저항값을 갖는다. 더 나아가 이와 같은 투명 전극은 플레시블 디스플레이의 플라스틱 기판위에 구현될 수 있다.
금, 나노입자, 투명 전극-
公开(公告)号：KR100639919B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050094823
申请日：2005-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/02 , G02F1/1333
Abstract: A method for processing a surface of a fiber reinforced plastic substrate is provided to improve roughness of the fiber reinforced plastic substrate by coating an organic substance insulating solution on the fiber reinforced plastic substrate to planarize the surface. A fiber reinforced plastic substrate is cleaned with a mixed solution of neutral detergent and deionized water(31). The fiber reinforced plastic substrate is cleaned by the deionized water to remove an organic substance or a particle. The fiber reinforced plastic substrate is cleaned with a mixed solution of the deionized water and IPA(Iso Propyl Alcohol) to remove remained organic substance and an inorganic matter. The fiber reinforced plastic substrate is soaked in the IPA to remove the remained inorganic matter. The fiber reinforced plastic substrate is dried. A residual on a surface of the fiber reinforced plastic substrate is removed(32). An organic substance insulating solution is coated on the fiber reinforced plastic substrate to planarize the surface(33). The organic substance insulating solution is hardened(34).
Abstract translation: 提供一种用于处理纤维增强塑料基板的表面的方法，以通过在纤维增强塑料基板上涂覆有机物质绝缘溶液以平坦化表面来改善纤维增强塑料基板的粗糙度。 纤维增强塑料基材用中性洗涤剂和去离子水的混合溶液清洗（31）。 用去离子水清洗纤维增强塑料基材以去除有机物质或颗粒。 用去离子水和IPA（异丙醇）的混合溶液清洁纤维增强塑料基材以去除残留的有机物质和无机物质。 将纤维增强塑料基材浸泡在IPA中以除去残留的无机物质。 纤维增强塑料基材被干燥。 纤维增强塑料基材表面上的残留物被去除（32）。 将有机物质绝缘溶液涂覆在纤维增强塑料基材上以使表面（33）平坦化。 有机物绝缘溶液硬化（34）。
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公开(公告)号：KR1020050114205A
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020050111420
申请日：2005-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 자외선 경화에 의해 성형 가능한 유기 소자용 봉지 조성물을 이용한 유기 소자의 봉지 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 유기 소자의 봉지 방법에 사용되는 봉지 조성물은 오일과, 상기 오일에 용해 가능한 탄성 중합체와, 상기 오일에 용해 가능한 광개시제로 이루어진다. 유기 소자를 봉지하기 위하여, 봉지 조성물을 유기 소자에 인가한 후 봉지 조성물에 UV를 조사하여 경화시킨다.
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公开(公告)号：KR1020050061747A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020030093105
申请日：2003-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C08L91/00
Abstract: 자외선 경화에 의해 성형 가능한 유기 소자용 봉지 조성물 및 그 제조 방법과 유기 소자의 봉지 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 봉지 조성물은 오일과, 상기 오일에 용해 가능한 탄성 중합체와, 상기 오일에 용해 가능한 광개시제로 이루어진다. 유기 소자용 봉지 조성물을 제조하기 위하여 제1 탄성 중합체를 제1 오일에 용해시켜 탄성 중합체 용액을 형성한다. 상기 탄성 중합체 용액에 광개시제를 첨가하여 혼합한다. 탄성 중합체 블렌드를 이용하고자 하는 경우에는, 제2 탄성 중합체를 제2 오일에 용해시켜 블렌드 형성용 용액을 형성하고, 탄성 중합체 용액에 블렌드 형성용 용액을 첨가하여 탄성 중합체 블렌드 용액을 형성한다. 이 때, 광개시제는 상기 탄성 중합체 블렌드 용액에 첨가된다. 유기 소자를 봉지하기 위하여, 봉지 조성물을 유기 소자에 인가한 후 봉지 조성물에 UV를 조사하여 경화시킨다.
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公开(公告)号：KR1020050046956A
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：KR1020030080808
申请日：2003-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/322 , H01L51/5036 , H01L51/5246 , H01L51/525
Abstract: 본 발명은 백색 유기 발광 소자 및 풀 칼러(full color) 구현을 위한 컬러 필터(color filter)로 이루어지는 디스플레이 판넬에 관한 것으로, 유기 발광 소자가 형성된 기판과 컬러 필터가 접착제 패턴을 사이에 두고 서로 마주보도록 합체 및 접착되며, 접착제 패턴 내측의 기판과 컬러 필터 사이에는 외부로부터의 수분이나 산소의 침투를 막기 위한 액상 오일이 채워진다. 이와 같이 유기 발광 소자와 컬러 필터 부분이 액상 오일로 엔캡슐레이션됨으로써 수분이나 산소의 침투로 인한 발광 특성의 열화가 방지되어 소자의 안정성 및 신뢰성이 향상된다. 본 발명의 엔캡슐레이션 공정은 비교적 간단한 단계와 저렴한 비용으로 구현이 가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100485129B1
公开(公告)日：2005-04-25
申请号：KR1020020070288
申请日：2002-11-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 케소드를 형성하기 위해 도전층을 건식식각하는 과정에서 식각된 도전물의 재증착을 이용하여 케소드 측벽에 케소드 팁을 형성한다. 도전물의 재증착에 의해 형성된 케소드 팁의 선단은 선형으로 이루어지기 때문에 점 형상을 갖는 종래의 케소드 팁에 비해 높은 방전효율을 갖는다. 또한, 식각물질과 반응가스에 따라 건식식각 시 재증착이 일어나는 다양한 금속물질을 이용하여 케소드를 형성할 수 있으므로 방전수명이 양호한 금속을 사용하면 특성이 개선된 케소드 팁을 형성할 수 있으며, 저온에서 공정이 진행되므로 유리 기판의 사용도 가능해진다.
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公开(公告)号：KR100417126B1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：KR1020010030893
申请日：2001-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/1146 , H01L2224/11614 , H01L2224/11622 , H01L2224/11849 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01078 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명은 플립 칩(Flip chip) 방식의 반도체 소자의 접속단자인 범프를 형성하는 방법에 관한 것으로, 입출력패드가 형성된 반도체칩 상에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 상기 입출력패드의 표면을 노출시키는 단계, 상기 노출된 입출력패드를 포함한 상기 보호막 상에 금속기저층을 형성하는 단계, 상기 금속기저층 상에 도금법을 이용하여 도금층을 형성하는 단계, 상기 도금층 상에 감광막을 도포하고 선택적으로 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 도금층과 금속기저층을 순차적으로 식각하는 단계, 및 상기 도금층에 열을 가하여 상기 금속기저층 상에 상기 도금층으로 된 범프를 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 目的：提供凸块形成方法以容易地实现高密度和高纵横比，并且通过最小化由于芯片和基板之间的热膨胀系数引起的应力来简化制造工艺。 构成：在具有输入和输出焊盘（22）的半导体衬底（21）上形成保护层（23）。 在保护层（23）上依次形成UBM（球状冶金）（24）和镀膜。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模的喷雾法的湿式蚀刻或干蚀刻，顺序地对镀层和UBM（24）进行图案化。 在镀层上涂布树脂焊剂后，树脂焊剂在氮气气氛中回流，从而形成凸块（25a）。
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公开(公告)号：KR1020020092041A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：KR1020010030893
申请日：2001-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/1146 , H01L2224/11614 , H01L2224/11622 , H01L2224/11849 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01078 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A bump formation method is provided to easily achieve a high density and a high aspect ration and to simplify manufacturing processes by minimizing a stress due to a thermal expansive coefficient between a chip and a substrate. CONSTITUTION: A protection layer(23) is formed on a semiconductor substrate(21) having an input and an output pad(22). An UBM(Under Ball Metallurgy)(24) and a plating film are sequentially formed on the protection layer(23). The plating layer and the UBM(24) are sequentially patterned by wet-etching or dry-etching of spray method using a photoresist pattern as a mask. After coating a resin flux on the plating layer, the resin flux reflows in nitrogen atmosphere, thereby forming a bump(25a).
Abstract translation: 目的：提供凸块形成方法以容易地实现高密度和高纵横比，并且通过最小化由于芯片和基板之间的热膨胀系数引起的应力来简化制造工艺。 构成：在具有输入和输出焊盘（22）的半导体衬底（21）上形成保护层（23）。 在保护层（23）上依次形成UBM（球状冶金）（24）和镀膜。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模的喷雾法的湿式蚀刻或干蚀刻，顺序地对镀层和UBM（24）进行图案化。 在镀层上涂布树脂焊剂后，树脂焊剂在氮气气氛中回流，从而形成凸块（25a）。
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公开(公告)号：KR1020020054112A
公开(公告)日：2002-07-06
申请号：KR1020000082807
申请日：2000-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/00
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a multichip module(MCM) substrate having a passive device is provided to reduce the size of the MCM substrate and to increase a signal rate of an MCM, by increasing interconnection density of the MCM substrate. CONSTITUTION: The first metal layer as a power layer, the second metal layer(114) and the third metal layer are sequentially formed on a base substrate of the MCM substrate. A capacitor and a resistor are formed between the power layer and the second metal layer in the same process. The resistor is made of NiCr. The power layer, the second metal layer and the third metal are stack structures composed of a seed metal layer and a main metal layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有无源器件的多芯片模块（MCM）衬底的方法，以通过增加MCM衬底的互连密度来减小MCM衬底的尺寸并增加MCM的信号速率。 构成：作为功率层的第一金属层，第二金属层（114）和第三金属层依次形成在MCM基板的基底基板上。 在同一工艺中，在功率层和第二金属层之间形成电容器和电阻器。 电阻由NiCr制成。 功率层，第二金属层和第三金属是由种子金属层和主金属层构成的堆叠结构。
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公开(公告)号：KR100249827B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970071624
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정시 미세패턴이 가능한 다층 금속배선의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다층 금속배선 방법은 반도체 소자가 형성되어 있는 기판상에 1차 금속 배선층과 상층 금속과의 접속을 위한 필라를 형성하기 위해 필라 형성용 금속막을 차례로 적층하고, 필라 형성용 금속막상에 감광막 패턴을 형성하여 산화막을 패터닝하여 산화막 패턴을 필라 형성용 마스크 패턴으로 이용 하며, 산화막으로 식각 마스크 패턴을 형성한 후, 1차 금속 배선층의 패턴 형상을 가지는 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 필라 형성용 금속막을 식각하여 1차 금속 배선의 패터닝 형상을 필라 형성용 금속막에 형성한 후, 감광막 패턴을 제거하고 산화막으로된 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 필라 형성용 금속막과 1차 금속 배선층을 동시에 패터닝하여 필라와 1차 금속배선을 형성하는 공정에 이루어진다.
본 발명은 필라를 형성하기 위한 마스크로서 산화막을 이용하므로서 단차의 발생을 없앨 수 있어, 1층이상의 상층 금속층을 미세하게 패터닝할 수 있다.
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