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公开(公告)号：KR100723839B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020050081314
申请日：2005-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: 저소비전력형 상변화 메모리소자의 제작을 위한 발열성 관통전극 구조를 포함하는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 소정의 영역을 관통한 관통전극 구조를 내재한 제1 상변화 박막층과, 관통전극 구조에 매립된 발열성 금속전극을 포함한다. 발열성 금속전극에 의해 가해진 열에너지에 의해 결정상태가 변화하고, 변화된 영역이 상기 제1 상변화 박막층에 제한된다.
상변화 메모리소자, 관통전극 구조, 상변화 박막층-
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公开(公告)号：KR1020070014837A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069803
申请日：2005-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: A phase change memory device is provided to maximize the contact area between a phase change material layer and a heat generating electrode by including a phase change material layer at least one surface of which is surrounded by a heat generating electrode covering at least one sidewall of a pore. At least one surface of a lower electrode(102) is covered with an insulation layer(104) in which a pore for exposing a part of the one surface of the lower electrode is formed. At least one side surface of the insulation layer exposed by the pore and a part of the one surface of the lower electrode are covered with a heat generating electrode(110) including a recessed region. A phase change material layer(112) is formed on the heat generating electrode, burying the recessed region. An upper electrode is formed on the phase change material layer. The heat generating electrode surrounds at least one surface of the phase change material layer, having a uniform thickness.
Abstract translation: 提供了一种相变存储器件，用于通过包括相变材料层来最大化相变材料层和发热电极之间的接触面积，所述相变材料层的至少一个表面由覆盖至少一个侧壁的发热电极包围 孔。 下电极（102）的至少一个表面被绝缘层（104）覆盖，其中形成用于暴露下电极的一个表面的一部分的孔。 由孔隙露出的绝缘层的至少一个侧表面和下电极的一个表面的一部分被包括凹陷区域的发热电极（110）覆盖。 在发热电极上形成相变材料层（112），埋入凹部。 在相变材料层上形成上电极。 发热电极围绕相变材料层的至少一个表面，具有均匀的厚度。
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公开(公告)号：KR1020060027103A
公开(公告)日：2006-03-27
申请号：KR1020040075938
申请日：2004-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B3/44
CPC classification number: H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 폴리비닐 페놀과 광반응성 물질을 포함하며, 유기박막 트랜지스터는 상기 조성물로부터 형성된 광반응성 유기고분자 게이트 절연막을 구비한다.
본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기 고분자에 광 패터닝 특성을 부여하면서, 전기적 특성이 향상된 막을 형성시킬 수 있다.
폴리비닐 페놀, 리소그라피, 유기박막 트랜지스터Abstract translation: 本发明公开了一种光反应性有机聚合物栅极绝缘膜组合物和使用该组合物的有机薄膜晶体管。 根据本发明的光反应性有机聚合物栅绝缘层组合物包含聚乙烯苯酚和光反应性材料，并且该有机薄膜晶体管具有由该组合物形成的光反应性有机聚合物栅绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020060027102A
公开(公告)日：2006-03-27
申请号：KR1020040075937
申请日：2004-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02107 , C08G61/123 , H01L21/0274 , H01L51/0036 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 폴리비닐 알코올과 광반응성 화합물을 포함하며, 유기박막 트랜지스터는 상기 조성물로부터 형성된 광반응성 유기고분자 게이트 절연막을 구비한다.
본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 저온에서 막을 형성시킬 수 있고, 또한 형성된 막은 리소그라피 공정으로 미세 패턴화되기 때문에 선 공정막에 미치는 영향을 최소화 할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 조성물을 게이트 절연막으로 적용할 경우 전기적 특성을 개선시키면서 선 공정막의 선택성을 높일 수 있기 때문에 유기박막 트랜지스터의 구조를 다양화할 수 있다.
폴리비닐 알코올, 리소그라피, 유기박막 트랜지스터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050046956A
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：KR1020030080808
申请日：2003-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/322 , H01L51/5036 , H01L51/5246 , H01L51/525
Abstract: 본 발명은 백색 유기 발광 소자 및 풀 칼러(full color) 구현을 위한 컬러 필터(color filter)로 이루어지는 디스플레이 판넬에 관한 것으로, 유기 발광 소자가 형성된 기판과 컬러 필터가 접착제 패턴을 사이에 두고 서로 마주보도록 합체 및 접착되며, 접착제 패턴 내측의 기판과 컬러 필터 사이에는 외부로부터의 수분이나 산소의 침투를 막기 위한 액상 오일이 채워진다. 이와 같이 유기 발광 소자와 컬러 필터 부분이 액상 오일로 엔캡슐레이션됨으로써 수분이나 산소의 침투로 인한 발광 특성의 열화가 방지되어 소자의 안정성 및 신뢰성이 향상된다. 본 발명의 엔캡슐레이션 공정은 비교적 간단한 단계와 저렴한 비용으로 구현이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020040036410A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065430
申请日：2002-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An infrared detecting pixel is provided to facilitate fabrication of the structure of a detection part and maximize an effective detecting area by separating the detection part from a substrate having a read-out integrated circuit by a gap and by electrically connecting electrodes of the detection part and the read-out integrated circuit by a pillar. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) includes the read-out integrated circuit. The detection part detects infrared rays, located over the semiconductor substrate and spatially separated from the substrate. A plurality of support units have a dual cylinder structure made of outer insulation pillars(104a,104b) and inner conductive bridges(106a,106b), connecting the semiconductor substrate with the detection part. A signal detected by the detection part is delivered to the read-out integrated circuit of the semiconductor substrate through the conductive bridge.
Abstract translation: 目的：提供一种红外线检测像素，以便于制造检测部件的结构，并通过将检测部分与具有读出集成电路的基板间隔开来并通过电连接检测电极而使检测部分分离，从而使检测部分最大化 部分和读出的集成电路由一个支柱。 构成：半导体衬底（100）包括读出的集成电路。 检测部分检测位于半导体衬底上并与衬底空间分离的红外线。 多个支撑单元具有由外绝缘柱（104a，104b）和内导电桥（106a，106b）制成的双圆筒结构，其将半导体衬底与检测部分连接。 由检测部检测的信号通过导电桥传送到半导体基板的读出集成电路。
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公开(公告)号：KR101783933B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020100116736
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 강유전체트랜지스터, 강유전체트랜지스터와전기적으로결합된복수의스위칭소자, 및복수의스위칭소자를제어하기위한각각의제어신호를각각의스위칭소자에게전달하기위한복수의제어라인을포함하고, 강유전체트랜지스터의각 전극이플로팅(floating)되지않도록, 복수의스위칭소자가각각의제어신호에기초하여개별적으로제어되도록구성되는메모리셀이제공된다.
Abstract translation: 一个铁电晶体管，与该铁电晶体管电耦合的多个开关元件，以及多个控制线，用于将用于控制该多个开关元件的各个控制信号传输到各个开关元件， 控制多个开关元件以便基于各个控制信号单独控制以不浮动。
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公开(公告)号：KR1020170015098A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020160026258
申请日：2016-03-04
Applicant: 한국전자통신연구원 , 경희대학교 산학협력단
IPC: G09G3/32
Abstract: 본발명의실시예에따른게이트구동회로는 i번째변조회로(여기서 i는 2 이상의자연수) 및 i번째라인선택회로를포함한다. i번째변조회로는수신된제 1 내지제 3 제어신호들을기반으로 i번째변조전압을 i번째라인선택회로로출력한다. i번째라인선택회로는수신된 i번째변조전압의레벨에따라턴-온되거나턴-오프하는메모리트랜지스터를포함한다.
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公开(公告)号：KR101395086B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020100053968
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 본 발명은 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 저장 수단으로서 강유전체 트랜지스터를 구비한 비휘발성 비파괴 판독형 랜덤 억세스 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명은 메모리 셀에 있어서, 드레인에 기준 전압이 인가되는 강유전체 트랜지스터; 스캔 신호에 응답하여 상기 강유전체 트랜지스터의 소스를 제1라인에 연결시키는 제1스위치; 및 스캔 신호에 응답하여 상기 강유전체 트랜지스터의 게이트를 제2라인에 연결시키는 제2스위치를 포함한다. 본 발명에 따르면, 랜덤 억세스가 가능하며, 리드 동작시 비파괴형으로 동작하는 메모리 장치를 제공할 수 있다.
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