公开(公告)号：KR1020060066603A

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：KR1020050051062

申请日：2005-06-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고남석 ,  홍성백 ,  이경호 ,  이종현

IPC: H04L12/28

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 부하 분산 시스템 및 그 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 부하 분산을 위해 패킷 처리 및 세션 관리 기능을 제공하는 두개의 전용칩으로 구현되며, 상기 전용칩의 성능을 최대한 활용하기 위해 패킷 처리 및 세션 관리 기능도 내부에서 부하 분산을 통하여 수행함으로써, 패킷 처리를 고속화하여 시스템의 전체적인 성능을 향상시키며, 부가적으로 새로운 세션이 생성됨에 따라 고가용성 패킷을 생성함으로써, 제어 패킷의 교환 없이 고가용성을 제공할 수 있도록 하기 위한, 부하 분산 시스템 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 부하 분산 시스템에 있어서, 내/외부 네트워크로부터 네트워크 접속수단을 통하여 입력되는 패킷의 방화벽/서버로의 분산을 담당하며, 상기 방화벽/서버로부터 유입된 패킷을 상기 네트워크 접속수단으로 전달하기 위한 방화벽/서버 접속수단; 상기 방화벽/서버 접속수단으로부터 전달받은 패킷의 상기 내/외부 네트워크로의 분산을 담당하며, 상기 내/외부 네트워크로부터 유입된 패킷을 상기 방화벽/서버 접속수단으로 전달하기 위한 상기 네트워크 접속수단; 및 상기 방화벽/서버 접속수단 및 상기 네트워크 접속수단 간의 부하 분산 과정을 제어하기 위한 호스트 제어수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 부하 분산 시스템 등에 이용됨.
부하 분산, 방화벽, 패킷 처리, 세션 생성 및 관리, 부하 분산 시스템

公开(公告)号：KR100588001B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020050048009

申请日：2005-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 곽동용 ,  이경호 ,  홍성백 ,  이종현

IPC: H04L12/863

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 여러 개의 세션들이 하나의 출력링크를 공유하는 고속 교환 노드 등에 이용되는 패킷 스케줄링 시스템 및 그 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 여러 개의 세션들이 하나의 출력링크를 공유하는 경우에 각 세션에 예약된 최소의 전송 속도를 보장하고 실시간 트래픽의 지연을 최소화하면서도 구현이 용이한, 가중치 기반의 패킷 스케줄링 시스템 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 가중치 기반의 패킷 스케줄링 시스템에 있어서, 입력 패킷을 해당 패킷이 속한 세션 별로 분류하기 위한 패킷 분류 수단; 상기 패킷 분류 수단에서 분류한 패킷을 해당 클래스 별로 저장하기 위한 다수의 패킷 저장 수단; 상기 다수의 패킷 저장 수단의 임계치 초과 유무를 서로 상응하여 감지하기 위한 다수의 임계치 제어 수단; 세션 단위로 각 세션의 가중치를 계산하기 위한 가중치 제어 수단; 및 상기 다수의 임계치 제어 수단으로부터의 임계치 상태 정보 및 상기 가중치 제어 수단으로부터의 가중치를 이용하여 상기 다수의 패킷 저장 수단에 저장되어 있는 패킷을 전송하기 위한 패킷 전송 처리 수단을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 ATM(Asynchronous Transfer Mode) 또는 인터넷 등의 고속 패킷 교환망에서의 노드, 즉 ATM 교환기(스위치) 또는 라우터 등의 입력 인터페이스 및 출력 인터페이스 부분 등에 이용됨.
패킷 스케줄링, 가중치 기반, 트래픽 분류, 임계치 제어, 가중치 제어, 전송 세션 선정

Abstract translation: 1.权利要求书中描述的发明所属的技术领域

公开(公告)号：KR1020060058564A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097648

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강동민 ,  홍주연 ,  심재엽 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H03B19/00

Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성

公开(公告)号：KR100568067B1

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：KR1020030073166

申请日：2003-10-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  민병규 ,  이경호 ,  김성일 ,  이종민 ,  강영일 ,  남은수 ,  조경익

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 리프트오프 방법을 이용함에 따른 재현성 저하를 개선시키는데 적합한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상부에 접착력 강화를 위한 티타늄(Ti)과 전기도금을 위한 시드 역할을 하는 금(Au)을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 금(Au) 상에 금속배선예정영역을 오픈시키는 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선예정영역에 금속배선 역할을 하는 금(Au)을 전기도금법으로 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 티타늄, 금 및 금속배선용 금의 순서로 적층된 금속배선구조를 형성하기 위해 불산용액을 이용하여 습식식각하는 단계를 포함하여, 리프트오프방법이 아닌 습식식각법을 이용하므로써 재현성이 우수하면서 깨끗한 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다.
화합물반도체소자, HBT, 금속배선, 시드금속, 전기도금, 리프트오프, 습식식각, 불산용액, Au

公开(公告)号：KR1020050063024A

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：KR1020030094077

申请日：2003-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서범수 ,  김성훈 ,  정승욱 ,  이경호

IPC: G06F9/44

CPC classification number: G06F8/24

Abstract: 본 발명은 Enterprise Java Bean에서 제안한 Entity Bean, Session Bean, Message Driven Bean 이외에 ThreadBean이라는 새로운 형태의 빈에 관한 정의와 그 명세 및 구현 방법에 관한 것이다.
본 발명은 독립적 쓰레드를 할당받아 루핑(looping)하면서 정해진 메시지 목표에 들어온 메시지를 처리하거나 혹은 주기적으로 구동되어 특정 작업을 수행하는 비즈니스 로직을 처리하는 EJB로 ThreadBean을 정의하여 EJB 컨테이너에서 ThreadBean에 대해 명세하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100494559B1

公开(公告)日：2005-06-13

申请号：KR1020020072689

申请日：2002-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  이경호 ,  주철원 ,  조경익 ,  강영일

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 에미터 렛지(emitter ledge)를 갖는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 베이스 전극과 에미터 렛지간의 간격이 정밀하게 제어된 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및, 추가적인 마스크의 사용없이 정밀한 렛지 보호막을 형성시킬 수 있는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다. 본 발명의 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에서는, 에미터 메사 형성시 소정 두께의 에미터층을 잔류시켜 에미터 렛지층으로 사용하고, 에미터 메사와 잔류 에미터층 위에 유전체층을 형성하여 식각 마스크로 사용함으로써 에미터층의 측면 식각이 최대한으로 억제된 정밀한 크기의 에미터 렛지를 형성한다. 종래 제조방법에 비하여 식각 정밀도를 향상시킬 수 있으므로 소자 특성에 변화가 없는 균일한 소자의 제조로 수율 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050052651A

公开(公告)日：2005-06-03

申请号：KR1020030085822

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이경호 ,  민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  주철원 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: 절연막 리프트-오프(lift-off)를 활용한 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT) 마이크로웨이브 단일기판 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC) 제작방법을 제시한다. 본 발명에서는 HBT MMIC의 제작에서 필수적인 비아(via)를 형성하기 위하여 형상반전패턴인 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 양질의 절연막을 저온에서 증착한다. 그런 다음, 포토레지스트 패턴과 절연막을 동시에 리프트-오프하여 비아를 개방한다. 이렇게 함으로써, 고온의 절연막 증착 공정과 절연막 식각 공정으로 비아를 형성하던 종래에 비하여 전류이득 감소를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR100477798B1

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：KR1020020068720

申请日：2002-11-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성훈 ,  장철수 ,  이경호 ,  김중배 ,  정승욱 ,  서범수 ,  노명찬 ,  박중기

IPC: G06Q50/00

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은, 다중 단말기간 세션 유지 방법 및 상기 방법을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 유무선 인터넷 서비스를 제공하는 응용서버 등에서 사용자가 단말기를 변경하여 접속하여도 동일한 사용자임을 인증하여 상기 사용자가 기존에 사용하던 세션을 유지시켜 주는 다중 단말기간 세션 유지 방법 및 상기 방법을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은, 다중 단말기간 세션 유지 방법에 있어서, 단말기로부터 서비스 요청에 따라 상기 단말기로부터 받은 요청 메시지의 헤드 정보를 해석하여 사용자를 인증하는 사용자 인증 단계; 상기 요청 메시지의 헤드 정보 해석 결과에 따라 세션키를 추출하고, 상기 세션키 추출 결과에 따라 세션을 검색하여 세션 존재 여부를 판단하는 세션 존재 여부 판단 단계; 상기 세션 존재 여부 판단 결과, 세션이 존재하면 응용컴포넌트 호출시 정보로 제공하여 다중 단말기간 세션을 유지하는 세션 유지 단계; 및 상기 제션 존재 여부 판단 결과, 세션이 존재하지 않으면 세션키와 세션을 신규로 생성한 후, 상기 세션 정보를 멀티세션관리부에 저장하여, 이후에 상기 인증한 사용자의 다중 단말기간 세션이 유지되도록 하는 세션 정보 저장 단계를 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 유무선 인터넷 서비스를 제공하는 응용서버 등에 이용됨.

公开(公告)号：KR100454505B1

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：KR1020020050124

申请日：2002-08-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  이경호 ,  민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  남은수 ,  강영일

IPC: C25D7/12

Abstract: PURPOSE: An electroplating device is provided which further improves uniformity of plating thickness by changing a member for resting an object to be plated into an electrode ring and constructing the electrode ring in an inclined shape so that bubbles generated from the surface of wafer that is the object to be plated are easily removed. CONSTITUTION: The electroplating device comprises a plating pot(100) which forms an external appearance, and in which a plating solution is contained; a metal box(110) positioned inside the plating pot and formed of the same metal as plating metal; an inclined electrode ring(120) which is positioned oppositely to the metal box in the plating pot, and on which an object to be plated is rested; a metal box fixing frame(140) for fixing the metal box; an electrode ring fixing frame(130) for fixing the inclined electrode ring; and power supply terminals(150,160) connected to the metal box and inclined electrode ring, wherein a wafer holder(170) is attached to the inclined electrode ring so that a wafer i.e., the object to be plated is rested on the wafer holder, wherein a chemical resistant material such as Teflon and polyethylene is coated on the surface of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame, and wherein the power supply terminals are connected to the metal box and inclined electrode ring through an inner part of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame.

Abstract translation: 目的：提供一种电镀装置，其通过改变用于将待电镀物体放置到电极环中的构件并且以倾斜形状构造电极环以使得从晶片表面产生的气泡 被镀物体很容易被去除。 构成：电镀装置包括形成外观并且包含电镀液的电镀锅（100） 金属盒（110），所述金属盒（110）定位在所述电镀锅内并且由与电镀金属相同的金属形成; 一个倾斜的电极环（120），该电极环与电镀锅中的金属盒相对地定位，并且在其上放置待电镀的物体; 金属盒固定框架（140），用于固定金属盒; 用于固定倾斜电极环的电极环固定框架（130） 和连接到所述金属盒和倾斜电极环的电源端子（150,160），其中晶片保持器（170）附接到所述倾斜电极环，使得晶片，即待镀物体放置在晶片保持器上，其中 在金属盒固定框架和电极环固定框架的表面涂覆有特氟隆，聚乙烯等耐化学性材料，其中，电源端子通过金属盒内部与金属盒和倾斜电极环连接 固定框架和电极环固定框架。

公开(公告)号：KR100352376B1

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：KR1020000003184

申请日：2000-01-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성호 ,  이태우 ,  박문평 ,  민병규 ,  이경호

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 화합물반도체를 이용한 이종접합(heterojunction) 쌍극자(bipolar) 소자(HBT)의 제작방법에 관한 것으로서, 유무선 통신 부품에 요구되는 초고속 및 초고주파 특성을 구현하기 위해 에미터를 중심으로 소자의 크기가 축소됨에 따라 각종 기생요소를 축소시켜야 하는 바, 특히 최대공진주파수에 결정적인 영향을 미치는 베이스-컬렉터 사이의 접합용량(junction capacitance)을 크게 감소시킴으로써 소자의 특성을 개선시킬 수 있는 방법을 고안한 것이다.
이러한 본 발명은, 반도체 기판 상에 완충층과 부컬렉터층과 컬렉터층과 베이스층과 에미터층과 에미터캡층을 순차적으로 적층하여 HBT 에피기판을 제작하는 제 1 단계와; 상기 HBT 에피기판의 베이스층 위에 에미터 전극과 베이스 전극을 형성하고 상기 두 전극 위에 도핑되지 않은 실리콘질화막을 형성하는 제 2 단계; 상기의 결과물의 기판 전면에 아연이 도핑된 2차 실리콘질화막을 증착하고 활성화 열처리하여 상기 아연을 베이스층과 컬렉터층에 확산시키는 제 3 단계; 상기 아연이 확산된 컬렉터층을 역경사 형상으로 식각하고 상기 부컬렉터층 위에 컬렉터 전극을 증착하는 제 4 단계; 및 상기의 결과물에 질화 절연막을 도포하고 금속배선을 형성하는 제 5 단계를 포함한다.