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公开(公告)号：KR1020160010992A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140091846
申请日：2014-07-21
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/00 , C23C16/305 , C23C16/407
Abstract: 본발명은신규한인듐전구체, 이의제조방법및 이를이용한박막에관한것으로, 열적안정성및 휘발성이우수하고, 다루기용이한인듐 3가의신규한인듐전구체및 이의제조방법, 그리고이를이용한고순도의인듐함유박막에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新颖的铟前体及其制备方法和使用该铟前体的薄膜，更具体地说，涉及一种具有优异的热稳定性和挥发性，易于处理的新颖的三价铟铟前体， 其制造方法，以及使用该薄膜的含有高纯度的铟的薄膜。 铟前体由化学式1表示。
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公开(公告)号：KR1020160006491A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140086145
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌化合物及其制备方法和薄膜形成方法。 由化学式1表示的钌化合物可以由于热稳定性和优异的挥发性而形成优质的钌薄膜。 在化学式1中，R 1〜R 6各自独立地为氢，或具有1〜4个碳原子的直链或支链烷基。
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公开(公告)号：KR101530044B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046346
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1 또는화학식 4로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)[화학식 4](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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94.发明授权
公开(公告)号：KR101472473B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120136556
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것으로, 상기 게르마늄 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화게르마늄 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及涉及由式（1），其中，所述的Ge前体具有的是不需要在作为含有硫和在质量硫化物的热稳定性和挥发性提高的前体产生的薄膜添加一个额外的硫的优点表示的Ge前体 可以形成锗薄膜。
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公开(公告)号：KR1020140112633A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130026189
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film and a method for manufacturing an organic-inorganic hybrid thin film using the same. In the deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film, an atomic layer deposition chamber for the deposition of inorganic matters and a thermal deposition chamber for the depositing of organic matters are vertically connected. A gate valve is arranged in a connection path connecting the chambers. An injection port for supplying an inorganic deposition source is arranged in the atomic layer deposition chamber. A unit for heating an organic deposition source is arranged in the thermal deposition chamber. In the formation of a molecular organic-inorganic thin film, the present invention can form the multi-layered physical thin film of the organic and inorganic layers using a thermal deposition method and an atomic layer deposition method and the multi-layered thin film of the organic and inorganic layers through a chemical combination on the interface of the organic and inorganic layers.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机 - 无机混合薄膜的沉积装置及其制造方法。 在有机 - 无机混合薄膜的沉积装置中，垂直连接用于沉积无机物质的原子层沉积室和用于沉积有机物的热沉积室。 闸阀布置在连接腔室的连接路径中。 用于提供无机沉积源的注入口布置在原子层沉积室中。 用于加热有机沉积源的单元布置在热沉积室中。 在分子有机 - 无机薄膜的形成中，本发明可以使用热沉积法和原子层沉积法形成有机和无机层的多层物理薄膜，并且可以形成多层薄膜 有机和无机层通过化学组合在有机和无机层的界面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101399552B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120047439
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식1로 표시되는 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R4, R5, R6, R7은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, m, n은 각각 1 내지 3이다.)-
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公开(公告)号：KR1020130124814A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048238
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07D487/22 , H01L51/0091 , H01L51/0545
Abstract: The present invention relates to a novel preparation method of a benzoporphyrin derivative and the fabrication of an organic thin-film transistor thereby. The novel preparation method of the benzoporphyrin derivative by the present invention remarkably reduces the number of production processes compare to existing preparation method of the benzoporphyrin derivative for economically obtaining the benzoporphyrin derivative which is a target compound. The process is simplified and the facility and production costs for applying the printing method are reduced by dissolving the benzoporphyrin derivative in more than two kinds of mixed organic solvent with different boiling points, and fabricating the organic thin-film transistor using the printing method.
Abstract translation: 本发明涉及一种苯并卟啉衍生物的新型制备方法及其制造有机薄膜晶体管。 本发明的苯并卟啉衍生物的新型制备方法与用于经济地获得作为目标化合物的苯并卟啉衍生物的苯并卟啉衍生物的现有制备方法相比，显着降低了制备方法的数量。 该方法简化，通过将苯并卟啉衍生物溶解在两种以上沸点不同的混合有机溶剂中，并且使用印刷方法制造有机薄膜晶体管来降低印刷方法的设备和生产成本。
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公开(公告)号：KR1020130104627A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120026274
申请日：2012-03-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film including Sb with an atomic layer deposition method is provided to improve productivity by forming the thin film including Sb at low temperatures through an atomic layer deposition process using a Sb precursor. CONSTITUTION: A substrate is prepared in a vacuum chamber. A Sb precursor material is prepared. A source gas is prepared by the Sb precursor material. A reactive gas including a hydrogen gas is prepared. A purge gas is prepared. A metal precursor gas is prepared by a metal precursor material. A thin film of a Sb-metal monolayer is formed on the substrate by successively supplying the source gas, the reactive gas, the purge gas, and the metal precursor gas to the vacuum chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种通过原子层沉积法形成包含Sb的薄膜的方法，以通过使用Sb前体的原子层沉积工艺在低温下形成包含Sb的薄膜来提高生产率。 构成：在真空室中制备基材。 制备Sb前体材料。 源气体由Sb前体材料制备。 制备包括氢气的反应气体。 准备吹扫气体。 通过金属前体材料制备金属前体气体。 通过将源气体，反应气体，吹扫气体和金属前体气体依次供给到真空室，在基板上形成Sb-金属单层薄膜。
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