公开(公告)号：DE102012110133B4

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102012110133

申请日：2012-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUBER HERMANN ,  GROSS THOMAS ,  MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L21/336 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482

Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafer (40), der Folgendes umfasst:- ein Halbleitersubstrat (30) mit einer ersten Seite (15) und einer zweiten Seite (16), die gegenüber der ersten Seite (15) angeordnet ist; und- ein Dielektrikumsgebiet (7) auf der ersten Seite (15);- Ausbilden eines weiteren Dielektrikumsgebiets (8) auf der ersten Seite (15);- Montieren des Wafer (40) mit der ersten Seite (15) auf ein Trägersystem (50);- Ätzen eines tiefen vertikalen Grabens (19) von der zweiten Seite (16) durch das Halbleitersubstrat (30) zu dem Dielektrikumsgebiet (7), wodurch ein Halbleitermesagebiet (30a) von dem verbleibenden Halbleitersubstrat (30) isoliert wird;- Ätzen eines Trenngrabens (19a) durch das Halbleitersubstrat (30) bis mindestens nahe an das weitere Dielektrikumsgebiet (8);- Maskieren des Trenngrabens (19a); und- Füllen des tiefen vertikalen Grabens (19) mit einem Dielektrikumsmaterial (6) nach dem Maskieren des Trenngrabens (19a).

公开(公告)号：DE102016106872A1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102016106872

申请日：2016-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  GEBHARDT KARL-HEINZ ,  WEBER DETLEF

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer integrierten Schaltung, die einen lateralen Graben-Transistor und ein Logikschaltungselement enthält, umfasst ein Ausbilden einer Vielzahl von Gategräben (S100) in der ersten Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats, wobei die Gategräben so gebildet werden, dass eine Längsachse der Gategräben in einer ersten Richtung parallel zur ersten Hauptoberfläche verläuft. Ferner umfasst das Verfahren ein Ausbilden einer Source-Kontaktvertiefung (S110), die in einer zweiten Richtung parallel zur ersten Hauptoberfläche verläuft, wobei die zweite Richtung senkrecht zur ersten Richtung ist, und die Source-Kontaktvertiefung sich entlang der Vielzahl von Gategräben erstreckt, ein Ausbilden eines Sourcegebiets (S120), das ein Durchführen eines Dotierungsprozesses umfasst, um Dotierstoffe durch eine Seitenwand der Source-Kontaktvertiefung einzuführen, und ein Füllen eines Opfermaterials (S130) in die Source-Kontaktvertiefung. Außerdem umfasst das Verfahren danach ein Ausbilden von Komponenten (S140) des Logikschaltungselements, danach ein Entfernen des Opfermaterials (S150) aus der Source-Kontaktvertiefung und ein Füllen eines leitfähigen Sourcematerials (S160) in die Source-Kontaktvertiefung.

公开(公告)号：DE102013107379B4

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102013107379

申请日：2013-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H03K17/687 ,  H01L29/06 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

Abstract: Brückenschaltung, umfassend: – ein erstes integriertes Halbleiterbauelement (100), das einen High-Side-Schalter (M1) umfasst; – ein zweites integriertes Halbleiterbauelement (200), das einen Low-Side-Schalter (M0) umfasst, der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist; – einen ersten Pegelwandler (T1), der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist; und einen zweiten Pegelwandler (T0), der mit dem Low-Side-Schalter (M0) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist, wobei der High-Side-Schalter (M1) und der Low-Side-Schalter (M0) elektrisch verbunden sind, und wobei die Brückenschaltung ferner eine erste Treiberschaltung (X1), die mit einem Steueranschluss des High-Side-Schalters (M1) und über einen ersten Widerstand (R10) mit dem zweiten Pegelwandler (T0) elektrisch verbunden ist, und/oder eine zweite Treiberschaltung (X0), die mit einem Steueranschluss des Low-Side-Schalters (M0) und über einen zweiten Widerstand (R01) mit dem ersten Pegelwandler (T1) elektrisch verbunden ist, umfasst.

公开(公告)号：DE102016102493B3

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE102016102493

申请日：2016-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Transistor (10) in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110). Der Transistor (10) umfasst einen Sourcebereich (201), einen mit dem Sourcebereich (201) elektrisch verbundenen Sourcekontakt, wobei der Sourcekontakt einen ersten Sourcekontaktabschnitt (202) und einen zweiten Sourcekontaktabschnitt (130) umfasst, und eine Gateelektrode (210) in einem Gategraben (212) in der ersten Hauptoberfläche, einem Bodybereich (220) benachbart. Die Gateelektrode (210) ist dafür eingerichtet, eine Leitfähigkeit eines Kanals im Bodybereich (220) zu steuern. Der Bodybereich (220) und eine Driftzone (260) sind entlang einer ersten Richtung parallel zur ersten Hauptoberfläche zwischen dem Sourcebereich (201) und einem Drainbereich (205) angeordnet. Der zweite Sourcekontaktabschnitt (130) ist an einer zweiten Hauptoberfläche (120) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet. Der erste Sourcekontaktabschnitt (202) umfasst ein leitfähiges Sourcematerial (115) in direktem Kontakt mit dem Sourcebereich (201), wobei der erste Sourcekontaktabschnitt (202) ferner einen Abschnitt des Halbleitersubstrats (100) zwischen dem leitfähigen Sourcematerial (115) und dem zweiten Sourcekontaktabschnitt (130) umfasst. Die Halbleitervorrichtung (1) weist ferner einen Temperatursensor (30) im Halbleitersubstrat (100) auf.

公开(公告)号：DE102015112414A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102015112414

申请日：2015-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  IRSIGLER PETER ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Struktur in einem Halbleiterkörper (304) umfasst ein Ausbilden einer ersten Maske (320) über einer ersten Oberfläche (307) des Halbleiterkörpers (304). Die erste Maske (320) weist eine Öffnung (322) auf, die einen ersten Abschnitt (3201) der ersten Maske (320) umgibt, wodurch der erste Abschnitt (3201) und ein zweiter Abschnitt (3202) der ersten Maske (320) getrennt sind. Der Halbleiterkörper (304) wird durch die Öffnung (322) an der ersten Oberfläche (307) bearbeitet. Die Öffnung (322) wird vergrößert, indem zumindest ein Teil der ersten Maske (320) in dem ersten Abschnitt (3201) entfernt wird, während die erste Maske (320) in dem zweiten Abschnitt (3202) beibehalten wird. Der Halbleiterkörper (304) wird durch die Öffnung (322) an der ersten Oberfläche (307) weiter bearbeitet.

公开(公告)号：DE102015102115B3

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102015102115

申请日：2015-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/765

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1), die in einem Halbeitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche gebildet ist, umfasst ein Transistorarray (10) und einen Abschlussbereich (20). Das Transistorarray (10) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) an dem Bodybereich (220). Die Gateelektrode (210) ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220) gebildeten Kanals zu steuern. Die Gateelektrode (210) ist in ersten Trenches (212) vorgesehen. Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Bodybereich (220) hat eine Gestalt eines ersten Grats, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Der Abschlussbereich (20) umfasst einen Abschlusstrench (272), wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches (272) in der ersten Richtung erstreckt, eine Länge des Abschlusstrenches (272) größer ist als eine Länge der ersten Trenches (212) und die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.

公开(公告)号：DE102015112804A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015112804

申请日：2015-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  MISCHITZ MARTIN ,  PINCZOLITS MICHAEL ,  ROESNER MICHAEL ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/58 ,  H01L21/67 ,  H01L21/784 ,  H01L23/485 ,  H01L29/40

Abstract: Ein Verfahren zur Bildung eines Halbleiterbauelements schließt das Bilden von Bauelementregionen in einem Halbleitersubstrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite ein. Die Bauelementregionen werden angrenzend an die erste Seite gebildet. Das Verfahren schließt ferner das Bilden einer Keimschicht über der ersten Seite des Halbleitersubstrats und das Bilden einer strukturierten Resistschicht über der Keimschicht ein. Ein Kontaktpad ist über der Keimschicht innerhalb der strukturierten Resistschicht gebildet. Das Verfahren schließt ferner das Entfernen der strukturierten Resistschicht nach dem Bilden des Kontaktpads, um einen Teil der Keimschicht, die unter der strukturierten Resistschicht liegt, freizulegen, und das Bilden einer Schutzschicht über dem freigelegten Teil der Keimschicht ein.

公开(公告)号：DE102014104589A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102014104589

申请日：2014-04-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/808

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor in einem Halbleitersubstrat, das eine Hauptoberfläche aufweist. Der Transistor umfasst einen Sourcebereich, einen Drainbereich, einen Bodybereich und eine Gatestruktur benachbart zu dem Bodybereich. Der Sourcebereich und der Drainbereich sind längs einer ersten Richtung angeordnet, die parallel zu der Hauptoberfläche ist. Der Bodybereich ist zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich vorgesehen. Der Bodybereich umfasst einen oberen Bodybereich an der Hauptoberfläche und einen unteren Bodybereich entfernt von der Hauptoberfläche. Eine erste Breite des unteren Bodyteiles ist kleiner als eine zweite Breite des oberen Bodyteiles. Die erste Breite und die zweite Breite sind in einer Richtung senkrecht zu der ersten Richtung gemessen.

公开(公告)号：DE102013107761A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102013107761

申请日：2013-07-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Transistorzellanordnung (122a, 122b) in einem Halbleiterkörper (104) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen ersten Trench (102) in der Transistorzellanordnung (122a, 122b) zwischen Transistorzellen. Der erste Trench (102) erstreckt sich in den Halbleiterkörper (104) von einer ersten Seite (106) und umfasst eine pn-Übergangdiode (118, 120), die elektrisch mit dem Halbleiterkörper (104) an einer Seitenwand (114a, 114b) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102013107379A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：DE102013107379

申请日：2013-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H03K17/687 ,  H01L29/06 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78

Abstract: Bereitgestellt wird eine Brückenschaltung. Die Brückenschaltung beinhaltet ein erstes integriertes Halbleiterbauelement (100), das einen High-Side-Schalter (M1) aufweist, ein zweites integriertes Halbleiterbauelement (200), das einen Low-Side-Schalter (M2) aufweist, der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist, einen ersten Pegelwandler (T1), der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist, und einen zweiten Pegelwandler (T0), der mit dem Low-Side-Schalter (M2) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist. Ferner wird ein integriertes Halbleiterbauelement bereitgestellt.