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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100047606A
公开(公告)日：2010-05-10
申请号：KR1020080106581
申请日：2008-10-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01J21/10
Abstract: PURPOSE: A thermal cathode electron discharge vacuum channel transistor, a diode, and a method for manufacturing the vacuum channel transistor are provided to operate at a low voltage by discharging an electron from a cathode with a low operation voltage. CONSTITUTION: A micro heating unit(1020) with a thin film structure is formed on a basic substrate. A cathode with the thin film structure is separated from the center of the micro heating unit with a first space. A gate unit is formed on the upper side of both outer sides of the cathode unit. An anode unit is separated from the cathode with a second space through a spacer(1041) on the gate unit. A vacuum electron passage region is formed between the cathode unit and the anode unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造真空沟道晶体管的热阴极电子放电真空沟道晶体管，二极管和制造方法，通过以低工作电压从阴极放电而在低电压下工作。 构成：在碱性基材上形成具有薄膜结构的微加热单元（1020）。 具有薄膜结构的阴极具有第一空间与微加热单元的中心分离。 栅极单元形成在阴极单元的两个外侧的上侧。 阳极单元通过栅极单元上的间隔物（1041）从阴极与第二空间分离。 在阴极单元和阳极单元之间形成真空电子通过区域。
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公开(公告)号：KR1020090006452A
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：KR1020070069815
申请日：2007-07-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L29/45 , H01L45/1233
Abstract: The metal insulator phase changeable memory cell and a method of manufacturing thereof are provided to achieve the high current gain and performance characteristic regardless of the size of the memory cell by using the transistor and resistor having the MIT property. The MIT transistor(1) comprises the substrate(100). The insulating layer(110) is formed on the substrate. The MIT channel layer(120) is formed on the fixed region of the insulating layer. The source(130) and drain(135) are formed ate both sides of the MIT channel layer. The gate insulating layer(140) is formed on the insulating layer, the MIT channel layer, and the source and drain. The gate(150) is formed on the gate insulating layer in order to be positioned at the MIT channel layer, source, drain and the upper of the MIT channel layer.
Abstract translation: 提供金属绝缘体相变存储单元及其制造方法，以通过使用具有MIT特性的晶体管和电阻器来实现高电流增益和性能特性，而与存储单元的尺寸无关。 MIT晶体管（1）包括基板（100）。 绝缘层（110）形成在基板上。 MIT沟道层（120）形成在绝缘层的固定区域上。 源极（130）和漏极（135）形成在MIT沟道层的两侧。 栅极绝缘层（140）形成在绝缘层，MIT沟道层以及源极和漏极上。 栅极（150）形成在栅极绝缘层上，以便位于MIT沟道层，源极，漏极和MIT沟道层的上部。
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公开(公告)号：KR100670945B1
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050051981
申请日：2005-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 선문대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02
Abstract: LTCC 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼 어레이에 대해 개시한다. 그 마이크로칼럼 어레이는 배선이 형성된 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판과 상기 LTCC 기판의 적어도 일측에 접합되며, 전자빔을 편향시키는 복수개의 편향소자가 배열된 상기 웨이퍼 크기의 편향기 어레이를 포함한다. LTCC 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼 어레이에 의하면 시간당 반도체 웨이퍼 처리량을 획기적으로 증가시킬 수 있고, 제조공정을 간단하게 하고 소요되는 경비를 크게 낮출 수 있다.
웨이퍼 규모, LTCC 기판, 편향소자, 동일한 방위각-
公开(公告)号：KR100528970B1
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：KR1020030011949
申请日：2003-02-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J37/04
Abstract: 전자빔이나 이온빔을 제어하는 마이크로 칼럼의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 도전성 박막판과, 제1 구멍을 갖는 유리판을 준비한다. 상기 도전성 박막판의 하면 또는 상면과 유리판을 접합한다. 상기 제1 구멍에 의해 노출된 도전성 박막판에 제2 구멍을 형성하여 마이크로 렌즈를 마련한다. 상기 마련된 마이크로 렌즈들을 복수개 적층 접합한다. 이와 같이 본 발명은 전자빔이나 이온빔을 제어하기 위한 마이크로 칼럼을 도전성 박막판과 유리판을 직접 적층 접합하여 제조함으로써 실리콘 웨이퍼의 복잡한 식각 과정 없이 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100496643B1
公开(公告)日：2005-06-20
申请号：KR1020030074927
申请日：2003-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B3/00
CPC classification number: H01J9/02 , H01J3/18 , H01J9/14 , H01J37/12 , H01J2237/1205 , H01J2237/3175 , H01J2237/31754 , Y10T29/49117
Abstract: 마이크로칼럼 전자빔 장치의 전자빔 렌즈 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마이크로칼럼 전자빔 렌즈 제작방법에서는 격리 기판 재료로서 감광성 유리 기판을 사용하고, 금속 박막은 도금 공정으로 성장시킨다. 그리고, 전자빔이 통과하는 홀들은 격리 기판 상에 홀 형상의 레지스트 패턴을 형성한 후 금속 박막의 도금 공정을 실시하여 리프트 오프 방법으로 형성한다. 본 발명에 의하면, 금속 박막의 평행과 홀간의 정렬이 비교적 단순한 공정에 의해 자체적으로 이루어진다. 제작비가 저가이며 특히 우수한 성능의 렌즈를 제작할 수 있다.
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