公开(公告)号：KR1020010110480A

公开(公告)日：2001-12-13

申请号：KR1020017012533

申请日：2000-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로 ,  야자와미노루

IPC: G01J5/10

CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/04 ,  G01J5/046 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0818 ,  G01J5/0862 ,  G01J5/0875 ,  G01J5/0887

Abstract: 본발명은방사식온도계를이용하여웨이퍼등의피처리물체의온도측정을행하는경우에, 장치의구성을복잡하게하지않고가열용램프에의한미광의영향을배제하는것을목적으로하고있다. 챔버(2)의창 재료(6)로서수산기를함유하는석영유리를이용한다. 수산기를함유하는석영유리는그 자체가 2700 nm 부근의파장의빛을강하게흡수하는성질을갖는다. 광검출기(16)측의수광소자(18)와광필터(19)를적절하게선택하고, 광검출기(16)에의해 2700 nm 근방의파장의빛만을검출하도록하여, 램프미광의영향을배제한다. 창재료(6) 자체가필터기능을갖고있기때문에, 램프(22)와가열대상물사이에별개의필터를설치할필요가없게된다.

Abstract translation: 提供了一种简化的系统，其中待处理物体（例如晶片）的温度由非接触式温度计测量，同时消除来自加热灯的杂散光的影响。 室（2）的窗口材料（6）由含有羟基的熔融二氧化硅制成。 含有羟基的熔融二氧化硅能够强烈吸收波长在2700nm附近的光。 适当地选择光电检测器（16）上的光电检测器元件（18）和滤光器（19），使得光电检测器（16）可以仅检测波长在2700nm附近的光，从而消除杂散光的影响 从灯。 由于窗口材料（6）本身用作过滤器，所以在灯（22）和待加热物体之间不需要其它过滤器。

公开(公告)号：KR100248840B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019930007916

申请日：1993-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  바리안 세미컨덕터 이큅먼트 가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B13/041

Abstract: 제어시스템은, 반도체웨이퍼 온도제어기구와 같은 제어대상에 주어지는 제어입력과 이 제어대상의 출력에 의거하여 제어대상의 제1상태량을 추정하는 제1추정부와, 제어입력에만 의거하여 제어대상의 제2상태량을 추정하는 제2추정부와, 제1 및 제2추정부를 선택하는 전환부와, 제1 및 제2추정부로부터의 상태량을 제어대상의 입력부에 피드백하여 제어입력을 조정하는 서보부에 의해 구성된다.

公开(公告)号：KR101736070B1

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：KR1020140028350

申请日：2014-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이케다타로 ,  후지노유타카

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/4401 ,  B05B1/005 ,  B05B1/14 ,  C23C16/452 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/3244

Abstract: 처리용기내로가스를도입하는샤워플레이트를가지고, 마이크로파에의해표면파플라즈마를발생시키는플라즈마처리장치에서, 샤워플레이트의가스홀에프리커서가퇴적되는것을억제한다. 플라즈마처리가행해지는처리용기(10)와, 처리용기(10) 내로제 1 가스와제 2 가스를공급하는샤워플레이트(100)를구비한플라즈마발생용의안테나(20)를가지고, 마이크로파의공급에의해샤워플레이트(100)의표면에형성된표면파에의해플라즈마를형성하여기판을처리하는플라즈마처리장치로서, 샤워플레이트(100)에는, 처리용기(10) 내로제 1 가스를공급하는복수의가스홀(133)과, 당해복수의가스홀(133)과상이한위치에, 샤워플레이트(100)의하면으로부터수직하방으로돌출되고처리용기(10) 내로제 2 가스를공급하는복수의공급노즐(160)이형성되어있다.

Abstract translation: 具有用于将气体引入所述处理容器内的喷淋板，用于产生微波的表面波等离子体的等离子体处理装置，它是从沉积在喷淋板的前体气体孔防止。 等离子体处理具有用于具有用于供给气体进入处理容器10中，在等离子体产生时，微波的供给完成的处理容器10和第一气体到第二喷淋板（100）的天线（20） 喷淋板100具备用于向处理容器10内供给第一气体的多个气孔（未图示），多个气孔 133和多个气孔133髁上的一个位置的技术中，喷淋板100，根据多个供应喷嘴160，其垂直向下伸出，并供给第二气体到处理容器10从 它正在释放。

公开(公告)号：KR101722307B1

公开(公告)日：2017-03-31

申请号：KR1020147029665

申请日：2013-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  고마츠토모히토 ,  가사이시게루 ,  나카고미준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01P5/103

CPC classification number: H01Q1/26 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 마이크로파전송로를전송된마이크로파를챔버내에방사하여, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)는, 도체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에설치된, 마이크로파를방사하는복수의슬롯(122)과, 안테나본체(121)에설치된, 처리가스를챔버내에토출하는복수의가스토출구멍(125)을갖고, 마이크로파에의해표면에금속표면파가형성되고, 이금속표면파에의해표면파플라즈마가생성되고, 안테나본체(121)의금속표면의적어도일부가표면파플라즈마로부터직류적으로절연되도록유전체층(126)이설치되어있다.

Abstract translation: 用于将通过微波传输路径传输的微波辐射到腔室中以产生表面波等离子体的微波辐射天线45包括由导体制成的天线主体121和多个微波辐射天线 以及多个气体排出孔125，用于将处理气体排出到设置在天线主体121中的腔室中。金属表面波通过微波形成在表面上，并且表面波 产生等离子体，形成电介质层126，使得天线主体121的至少一部分金属表面与表面波等离子体直流隔离。

公开(公告)号：KR1020150122735A

公开(公告)日：2015-11-02

申请号：KR1020157026486

申请日：2013-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미우라히토시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67 ,  H05B6/78 ,  H05B6/70 ,  H05B6/72

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H05B6/70 ,  H05B6/701 ,  H05B6/708 ,  H05B6/72 ,  H05B6/78 ,  H05B6/80

Abstract: 마이크로파를이용하여피처리체에균일한열처리를실시할수 있는가열처리장치를제공한다. 가열처리장치(10)는, 내부에실효파장이λg의마이크로파가도입되는 4개의처리실(11)을구비하고, 4개의처리실(11)은서로평행하게배치되며, 또한 4개의처리실(11)의각각은기판(G)에대향하는개구부(15)를갖고, 길이방향에관한일단의내벽으로부터다단의내벽까지의길이는 m×λg/2(m은양의정수)이며, 처리실(11)의내부로마이크로파를발진하는안테나(14)는처리실(11)의길이방향에관한단부의내벽으로부터λg/4+p×λg/2(p는 0을포함하는양의정수) 만큼어긋나게배치되며, 각처리실(11)의길이방향에수직인방향으로부터각 처리실(11)이중첩되도록각 처리실(11)을바라보았을때, 각처리실(11)은길이방향에관하여λg/8씩어긋나게배치된다.

公开(公告)号：KR101504850B1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020137007756

申请日：2011-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  오사다유키 ,  가사이시게루 ,  미야시타히로유키

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J23/005 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 마이크로파 도입 기구(41)는 마이크로파를 챔버 내에 방사하는 평면 안테나(81)를 갖는 안테나부(80)와, 임피던스 정합시키기 위한 튜너(60)와, 안테나부(80)의 열을 방열하기 위한 방열 기구(90)를 구비하고, 튜너(60)는 통 형상을 이루는 외측 도체(52)와 내측 도체(53)를 갖고 마이크로파 전송로의 일부로 되는 본체(51)와, 외측 도체(52)와 내측 도체(53) 사이에 이동 가능하게 마련된 슬러그(61a, 61b)와, 슬러그를 이동시키는 슬러그 구동부(70)를 갖고, 방열 기구(90)는 입열단이 안테나부(80)에 위치하고, 안테나부(80)의 열을 입열단으로부터 방열단으로 전송하는 히트 파이프(91)와, 방열단에 마련된 방열부(92)를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140101362A

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：KR1020147015926

申请日：2012-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고마츠도모히토 ,  이케다다로 ,  가사이시게루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/006 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615 ,  H05H2001/463

Abstract: 동축 도파관을 통해 전송된 마이크로파를 처리 용기 내에 방사하고, 처리 용기 내의 금속면에 전파시켜 가스를 플라즈마화시킴으로써 표면파 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 발생용 안테나를 제공한다. 플라즈마 발생용 안테나는, 상기 플라즈마 발생용 안테나 내에 가스를 흘리는 가스 경로와, 상기 가스 경로에 연통(連通)되고, 상기 가스 경로를 통과한 가스를 처리 용기 내에 도입하는 복수의 가스 구멍과, 상기 가스 경로와 분리된 상태에서 상기 가스 경로를 관통하고, 동축 도파관을 통해 지파판(遲波板; slow wave plate)을 투과한 마이크로파를 통과시켜, 처리 용기 내에 방사하는 복수의 슬롯을 구비하며, 인접하는 슬롯 사이는, 처리 용기 내의 플라즈마 생성 공간으로 개구되는 부분의 간격(WB)보다도 상기 가스 경로를 관통하는 부분의 간격(WA)이 넓게 되어 있다.

公开(公告)号：KR1020120112261A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033519

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다타로 ,  고마츠토모히토 ,  가사이시게루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma generation antenna are provided to supply gas and electromagnetic waves which are separated from each other by providing a structure of separating the gas and the electromagnetic waves. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus(10) has a process container(100) which processes a wafer with plasma in an internal space hermetically maintained. The process container is grounded in a cylindrical shape. A susceptor(105) mounting the wafer is installed in the bottom of the process container. A shower head is installed to be contiguous to the susceptor. The shower head is formed into a conductor having a plurality of gas holes. The shower head has the plurality of slots passing through electromagnetic waves in a separated location. The plasma processing apparatus includes a plurality of plasma generation antenna(200). [Reference numerals] (120) Matcher; (135) Exhaust device; (255) DC power supply; (300) Microwave output unit; (410) Antenna module; (505) Control unit; (510) Memory unit; (600) Gas supply source; (AA) Microwave transfer mechanism; (BB) Recipe

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体产生天线，以通过提供分离气体和电磁波的结构来提供彼此分离的气体和电磁波。 构成：等离子体处理装置（10）具有处理容器（100），该处理容器（100）在密封保持的内部空间中的等离子体处理晶片。 处理容器接地为圆柱形。 安装晶片的感受器（105）安装在处理容器的底部。 淋浴头安装成与基座相邻。 淋浴头形成为具有多个气孔的导体。 淋浴头具有通过分离位置的电磁波的多个槽。 等离子体处理装置包括多个等离子体产生天线（200）。 （附图标记）（120）匹配器; （135）排气装置; （255）直流电源; （300）微波输出单元; （410）天线模块; （505）控制单元; （510）存储单元; （600）供气源; （AA）微波传输机制; （BB）食谱

公开(公告)号：KR1020120104429A

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：KR1020127020891

申请日：2011-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  오사다유키 ,  가사이시게루

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01P5/08

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32311 ,  H01Q15/0006 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

Abstract: 동축구조의 도파로(44)의 측부에 마련되고, 급전선으로서의 동축선로(56)가 접속되는 마이크로파 전력 도입 포트(55)와, 동축선로(56)에 접속되고, 도파로(44)의 내부에 전자파 전력을 방사하는 급전 안테나(90)를 구비한다. 급전 안테나(90)는 동축선로(56)에 접속된 제 1 극(92)과, 도파로(44)의 내측 도체(53)에 접촉하는 제 2 극(93)을 갖는 안테나 본체(91)와, 상기 안테나 본체(91)의 양측으로부터 연장하고 링형상으로 형성된 반사부(94)를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120096892A

公开(公告)日：2012-08-31

申请号：KR1020120017275

申请日：2012-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마자키료지 ,  아시다미츠토시 ,  오바타유지 ,  타나카스미

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B6/806

Abstract: PURPOSE: A microwave irradiation apparatus is provided to separately control the temperature of a processed object by irradiating the processed object with microwaves. CONSTITUTION: A support supports a processed object. A processing gas introduction unit(106) introduces process gas. A microwave introduction unit introduces microwaves. A gas cooling unit(104) cools the processed object with cooling gas. A radiation thermometer(64) measures the temperature of the processed object. A temperature control unit(70) controls the temperature of the processed object by controlling a heating unit and the gas cooling unit based on the measured value of the radiation thermometer.

Abstract translation: 目的：提供微波照射装置，通过用加工对象的微波进行照射来分别控制被处理物的温度。 构成：支持支持处理对象。 处理气体导入部（106）引入处理气体。 微波引入单元引入微波。 气体冷却单元（104）用冷却气体冷却被处理物体。 辐射温度计（64）测量被处理物体的温度。 温度控制单元（70）通过基于辐射温度计的测量值控制加热单元和气体冷却单元来控制被处理物体的温度。